公开(公告)号：CN1670960A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510054278.8

申请日：2005-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩桢希 ,  蔡洙杜 ,  田尚勋

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/7883 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种存储器件及其制造方法。该存储器件包括：半导体衬底；第一杂质区和第二杂质区，其通过注入杂质到所述半导体衬底中形成；以及栅结构，其形成在所述第一杂质区与所述第二杂质区之间的所述半导体衬底上。栅结构包括具有浮栅的电介质层、及栅电极。电介质层是非对称的，并具有高效率和低功耗的电子陷阱。

公开(公告)号：CN1790718A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510119953.0

申请日：2005-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  韩桢希 ,  金桢雨

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/513 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 一种非易失半导体存储器件，它包括具有源区、漏区和在源区和漏区之间提供的沟道区的衬底，以及位于沟道区上部的栅极堆叠和位于栅极堆叠上部的金属栅极。金属栅极是由相对栅极堆叠的复合层具有特定金属逸出功的金属构成的，以使电子通过直接隧穿效应贯穿阻挡层的整个厚度。栅极堆叠优选地包括一种选自由ONO、ONH、OHH、OHO、HHH或HNH构成的多层堆叠组的多层堆叠，其中O为氧化物材料、N为SiN、H为高κ材料。

公开(公告)号：CN1776891A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510087568.2

申请日：2005-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩桢希 ,  赵薰英 ,  金桢雨 ,  朴赞真 ,  吴钟守 ,  赵起贤

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L29/78 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L21/31155 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/7881

Abstract: 公开了一种使用离子注入制造的非易失性存储器件以及制造该器件的方法。在半导体衬底上形成介电层，并且通过使用Si或Ge的离子注入来形成离子注入层，该离子注入层用作电荷俘获地点。然后，执行退火工艺。接着，执行用于在介电层上形成晶体管的工艺。

公开(公告)号：CN100533742C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200510119953.0

申请日：2005-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  韩桢希 ,  金桢雨

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/513 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 一种非易失半导体存储器件，它包括具有源区、漏区和在源区和漏区之间提供的沟道区的衬底，以及位于沟道区上部的栅极堆叠和位于栅极堆叠上部的金属栅极。金属栅极是由相对栅极堆叠的复合层具有特定金属逸出功的金属构成的，以使电子通过直接隧穿效应贯穿阻挡层的整个厚度。栅极堆叠优选地包括一种选自由ONO、ONH、OHH、OHO、HHH或HNH构成的多层堆叠组的多层堆叠，其中O为氧化物材料、N为SiN、H为高κ材料。