公开(公告)号：CN110970389A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910825779.3

申请日：2019-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李灿浩 ,  李仁荣 ,  裵镇国 ,  郑显秀

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/50

Abstract: 公开了凸块结构和凸块结构制造方法。可以提供包括焊盘和位于所述焊盘的顶表面上的凸块的凸块结构。所述凸块可以包括上凸块部分和下凸块部分，所述下凸块部分可以包括与所述焊盘的顶表面接触的基座部分和从所述基座部分向上延伸的柱状部分。所述基座部分的至少一部分在与所述焊盘的所述顶表面平行的平面上的截面面积可以大于所述柱状部分在与所述焊盘的所述顶表面平行的所述平面上的截面面积。

公开(公告)号：CN110676227A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910309072.7

申请日：2019-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴镇国 ,  郑显秀 ,  柳翰成 ,  李仁荣 ,  李灿浩

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/18 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体芯片包括半导体衬底。电极焊盘设置在半导体衬底上。电极焊盘包括低k材料层。第一保护层至少部分地围绕电极焊盘。第一保护层包括位于其上部的第一开口。缓冲焊盘电连接到电极焊盘。第二保护层至少部分地围绕缓冲焊盘。第二保护层包括位于其上部的第二开口。柱层和焊料层顺序地堆叠在缓冲焊盘上。缓冲焊盘的厚度大于电极焊盘的厚度。第一开口在平行于半导体衬底的上表面的第一方向上的宽度等于或大于第二开口在第一方向上的宽度。

公开(公告)号：CN108807318A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810387480.X

申请日：2018-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李灿浩 ,  郑显秀 ,  柳翰成 ,  李仁荣

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/50 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/373 ,  H01L23/481 ,  H01L23/544 ,  H01L23/58 ,  H01L24/02 ,  H01L25/0657 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381

Abstract: 可提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；绝缘层，位于所述衬底上且包括沟槽；至少一个通孔结构，穿透所述衬底且突出在所述沟槽的底表面上方；以及导电结构，在所述沟槽中环绕所述至少一个通孔结构。

公开(公告)号：CN104241229B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410279831.7

申请日：2014-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  马金希 ,  李仁荣 ,  赵文祺 ,  赵汊济 ,  赵泰济

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了具有贯穿电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括：设置包括第一电路层的第一基板；在第一基板的前表面上形成前模制层；研磨第一基板的背表面；形成穿透第一基板以电连接到第一电路层的第一贯穿电极；在第一基板的背表面上设置第二基板，第二基板包括电连接到第一贯穿电极的第二电路层；在第一基板的背表面上形成后模制层，后模制层包封第二基板；以及去除前模制层。

公开(公告)号：CN104253056A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410290157.2

申请日：2014-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  金钟延 ,  李仁荣 ,  赵泰济

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/02016 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L24/16 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供具有穿通电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括：形成包括堆叠在第二半导体芯片上的第一半导体芯片的晶片级封装；形成包括堆叠在第三半导体芯片上的第四半导体芯片的芯片级封装；在晶片级封装的第二半导体基板的后表面上堆叠多个芯片级封装，抛光晶片级封装的第一模层和第一半导体芯片以暴露第一半导体芯片的第一穿通电极，和在被抛光的第一半导体芯片上形成外部电极以分别连接到第一穿通电极。