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公开(公告)号：CN117434784A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310872737.1
申请日：2023-07-17
Applicant: 株式会社SK电子
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明提供光掩模及其制造方法。光掩模(100)的制造方法具有：在透明基片(1)形成相移膜(2)、蚀刻阻挡膜(3)和上层膜(4)的工序；形成抗蚀剂图案(5a)的工序；以抗蚀剂图案(5a)为掩模有选择地对上层膜(4)进行蚀刻的第1蚀刻工序；有选择地对蚀刻阻挡膜(3)进行蚀刻的第2蚀刻工序；有选择地对相移膜(2)和上层膜(4)进行蚀刻的第3蚀刻工序；和有选择地对所述蚀刻阻挡膜(3)进行蚀刻的第4蚀刻工序，相移膜(2)和上层膜(4)由同种系的物质构成，蚀刻阻挡膜(3)由与相移膜(2)不同的物质构成，在第3蚀刻工序中对相移膜(2)进行蚀刻，对上层膜(4)进行侧面蚀刻，自对准地形成边缘部(6)，确定其宽度。
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公开(公告)号：CN116107153A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211255619.8
申请日：2022-10-13
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在光掩模的制造时容易进行图案的尺寸控制，能够在光掩模中提高图案的尺寸精度的光掩模坯的制造方法以及光掩模的制造方法。该光掩模坯的制造方法用于制造将透明基板(3)的表面划分为第一图案区域和第二图案区域，在第一图案区域形成有第一功能性膜，在第二图案区域形成有第二功能性膜的光掩模坯(2)。
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公开(公告)号：CN110023836B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201780070662.8
申请日：2017-12-25
Applicant: 株式会社SK电子
Inventor： 美作昌宏
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够兼顾图案细微化和多灰阶的半色调掩模。其解决手段在于在透明基板上具有：包括第一半透膜的第一半透过区域；包括上述第一半透膜与第二半透膜的叠层的第二半透过区域；透明区域；以及第一半透过区域与第二半透过区域邻接的区域，上述第一和第二半透过区域对曝光光的透过率分别为10～70[％]和1～8[％]，第二半透过区域使曝光光的相位反转。其结果，在邻接的第一半透过区域与第二半透过区域的边界部分，曝光光的强度分布陡峭地变化，能够改善经曝光后的光致抗蚀剂图案的剖面形状。
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公开(公告)号：CN111279552B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201880068492.4
申请日：2018-11-02
Abstract: 本发明为LC共振天线，所述LC共振天线具备：电感器层，其设有线圈状的电感器；电容器层，其在该电感器的线圈中心的轴线方向上层叠于该电感器层，在所述电容器层上设有与所述电感器连接的电容器，该电容器具备一对电极板，该一对电极板以在所述层叠方向上相互隔开间隔的状态平行排列。
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公开(公告)号：CN109983402B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201780070660.9
申请日：2017-12-25
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明提供一种能够曝光细微光致抗蚀剂图案的多灰阶半色调掩模。其解决方法在于，在透明基板上形成有由半透膜的图案构成的半透过部和由相位偏移膜的图案构成的相位偏移部，相位偏移膜使曝光光的相位反转，相位偏移膜的透过率低于半透膜的透过率。并且，在半透过部与相位偏移部邻接的边界部，形成有半透膜、相位偏移膜和蚀刻阻挡膜的叠层膜，蚀刻阻挡膜由不被半透膜和相位偏移膜的蚀刻液蚀刻的材质构成。其结果，实现具有半色调的效果和相位偏移效果双方的光掩模。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114114827A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111051234.5
申请日：2021-09-08
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明的目的在于使感光性抗蚀剂从中央向外侧缓缓地倾斜。光掩模(1A)在透明基板上具有多个图案形成区域A和透光部(7)，所述多个图案形成区域(A)通过所述半透过膜的图案与遮光膜的图案以部分重叠的方式层叠而形成且具有规定的形状，所述透光部(7)未形成有图案形成区域(A)。在将包含图案形成区域(A)的中央部的规定面积的区域设为第1区域(D1)、将图案形成区域(A)的外缘部中的规定面积的区域设为第2区域(D2)时，相比第1区域(D1)内的透过率，第2区域(D2)内的透过率高。
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公开(公告)号：CN113994539A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202080027776.6
申请日：2020-04-07
Applicant: 株式会社SK电子
IPC: H01P5/08 , G06K19/077 , H01Q7/00
Abstract: 本发明提供一种具备IC芯片的非接触信息载体，所述IC芯片具有电特性良好的片上天线。所述非接触信息载体是在IC芯片上具备螺旋布线的非接触信息介质，在具有第1电极及第2电极的IC芯片上具有螺旋布线，该螺旋布线具有与第1电极及第2电极电连接的第1端部及第2端部，第1中继布线经由第1连接孔与第1电极连接，第1端部经由形成于螺旋布线的内周侧的第3连接孔与第1中继布线连接，第1中继布线具有在对角线上包含第1连接孔和第3连接孔的长方形区域。
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公开(公告)号：CN111880368B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010710633.7
申请日：2020-07-22
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明的课题是提供可进行极高精度的缺陷修正的半色调掩模的缺陷修正方法、半色调掩模的制造方法，以及缺陷被极高精度地修正的半色调掩模。本发明的半色调掩模的缺陷修正方法通过在半透射部3的缺陷修正对象区域5形成修正膜10，从而修正在半透射部3产生的缺陷4，包括：主膜成膜工序，在缺陷修正对象区域5，以使得透射率和半透射部3的透射率相等的方式，形成主膜8；填补膜成膜工序，在即使通过主膜8的成膜也仍然残留在缺陷修正对象区域5的高透射部，以使得透射率和半透射部3的透射率相等的方式，形成填补膜9。
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公开(公告)号：CN110023836A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201780070662.8
申请日：2017-12-25
Applicant: 株式会社SK电子
Inventor： 美作昌宏
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够兼顾图案细微化和多灰阶的半色调掩模。其解决手段在于在透明基板上具有：包括第一半透膜的第一半透过区域；包括上述第一半透膜与第二半透膜的叠层的第二半透过区域；透明区域；以及第一半透过区域与第二半透过区域邻接的区域，上述第一和第二半透过区域对曝光光的透过率分别为10～70[％]和1～8[％]，第二半透过区域使曝光光的相位反转。其结果，在邻接的第一半透过区域与第二半透过区域的边界部分，曝光光的强度分布陡峭地变化，能够改善经曝光后的光致抗蚀剂图案的剖面形状。
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公开(公告)号：CN101655661A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910149587.1
申请日：2009-07-06
Applicant: 株式会社SK电子
Abstract: 本发明涉及多调光掩模及其修正方法。在多调光掩模的修正工序中，在必要的范围防止形成修正半透膜时可能发生的透过率的异常部的产生。本发明的多调光掩模(10)是在透明基板上设有透光部、遮光部、半透光部。其中，半透光部由半透膜图形(4a)形成。该半透膜包含利用激光熔断形成的厚膜部，并且在所述厚膜部设有透过率调节区域。
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