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公开(公告)号：CN105593401A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480053311.2
申请日：2014-09-24
申请人： 瓦里安半导体设备公司
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/12 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/061 , H01J2237/083
摘要： 本发明涉及一种离子植入机，其在一或多个暴露于离子的导电表面上具有低电阻率碳化硅镀膜。举例来说，离子在离子源室中产生并且壁的内表面镀有低电阻率碳化硅。由于碳化硅是硬性并且耐溅镀的，这可以减少引入到从离子源室提取的离子束中的污染物离子的量。在一些实施例中，提取电极也镀有碳化硅以减少由这些组件引入的污染物离子。
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公开(公告)号：CN103154309B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201180048804.3
申请日：2011-10-04
申请人： 威科仪器有限公司
发明人： 龟山育也
CPC分类号： C23C14/46 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J2237/0656 , H01J2237/083 , H01J2237/3142 , H01J2237/3151 , H01J2237/31701
摘要： 一种离子束系统（100），包括具有基本上椭圆形的孔图案的栅格组件（300），用于使包括多个子束的离子束（108）转向以便产生离子束（108），其中所述离子束（108）的横截面的离子流密度剖面（700、900、1100、1200）是非椭圆的。所述离子流密度剖面（700、900、1100、1200）可以具有关于所述离子束（108）的横截面的两个正交轴中的一个对称的单峰。可替换地，所述单峰可以关于所述离子束（108）的横截面的两个正交轴中的另一个非对称。在另一种实施例中，所述离子流密度剖面可以具有位于所述离子束（108）的横截面的两个正交轴中的一个的相对侧的两个峰。将离子束（108）引导于转动的目标工件（104）上在与所述目标工件（104）的中心等距的每个点上产生基本上均匀的旋转综合平均离子流密度。
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公开(公告)号：CN102301453B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201080005824.8
申请日：2010-02-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 詹姆士·S·贝福 , 史费特那·瑞都凡诺史费特那 , 具本雄 , 威尔汉·P·普拉托 , 法兰克·辛克莱 , 杰弗里·D·里斯查尔 , 奎格·R·钱尼 , 史蒂芬·C·鲍里雪柏史凯 , 捷葛泰普·玫尔 , 艾利克·R·科步 , 肯尼夫·H·普许尔 , 沙杜·佩特尔 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/304 , H01J2237/0453 , H01J2237/0458 , H01J2237/083 , H01J2237/24542
摘要： 揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中，技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源，离子源包括具有孔径的面板，且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组，撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束，以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。
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公开(公告)号：CN103477414A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201180069740.5
申请日：2011-08-05
申请人： 上海凯世通半导体有限公司
IPC分类号： H01J37/08
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/083
摘要： 一种用于产生带状束流的热阴极离子源系统，包括一放电室、由一热阴极与一对阴极构成的阴极单元、引出系统。该引出系统具有一设有引出缝的引出区域，引出缝的数量为两条以上，该些引出缝在引出区域内相互平行。该热阴极离子源系统不但能够显著地提高所引出的离子束的束流强度和离子束的分布均匀性，还能够更好地保证所引出离子束的光学特性。
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公开(公告)号：CN103154310A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048809.6
申请日：2011-10-04
申请人： 威科仪器有限公司
发明人： 龟山育也
CPC分类号： C23C14/46 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J2237/0656 , H01J2237/083 , H01J2237/3142 , H01J2237/3151 , H01J2237/31701
摘要： 与离子束源（102）的放电室耦接的栅格组件（114，300）配置成使从所述放电室发出的离子子束以圆形非对称地确定的转向角转向。所述栅格组件（114、300）包括具有基本上圆形孔图案的至少第一和第二栅格（302、304），其中每个栅格（302、304）包括彼此相邻定位的孔。所述第二栅格（304）的多个孔相对于所述第一栅格（302）中的相应孔偏置定位。由于所述第二栅格（304）中的孔偏置，因此通过偏置孔的离子被朝向下游偏置孔的最接近圆周部分静电吸引。由此，改变通过偏置孔的离子的轨迹。所述子束转向预定非对称角。所述预定转向角取决于孔偏置、施加给栅格（302、304）的电压及栅格（302、304）之间的距离。
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公开(公告)号：CN101652498B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200780052204.8
申请日：2007-04-24
申请人： 佳能安内华股份有限公司
发明人： 中河原均
CPC分类号： H01J37/08 , C23C14/081 , C23C14/28 , H01J37/04 , H01J37/1472 , H01J37/3053 , H01J37/3178 , H01J2237/061 , H01J2237/083 , H01J2237/103 , H01J2237/152 , H01J2237/3132 , H01J2237/3146
摘要： 通过使由会聚线圈从等离子枪提取的等离子束(25)通过下面的磁场，使得束的横断面扁平化：该磁场在与等离子束的行进方向正交的方向上延伸，并且通过由相互平行地成对相对配置的永磁体构成的磁体(27)形成。提供一种使用具有0.7≤Wi/Wt的等离子束的等离子生成设备，其中，相对于扁平化后的束28的宽度Wt，束强度的半值为Wi。包括至少一个在束的中心处的排斥磁场的强度更强的磁体。
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公开(公告)号：CN101432840A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015342.9
申请日：2007-04-26
申请人： 应用材料股份有限公司
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/024 , H01J2237/083
摘要： 本发明是关于适于离子植入机的离子源的前板。根据本发明的前板包含：正及反侧；出口孔洞，其允许离子由离子源移出，且出口孔洞在正及反侧之间是实质平直地延伸穿过前板；及狭缝，由正侧向反侧以其至少一部分厚度的倾斜而穿透前板，且狭缝由前板的一侧延伸以与出口孔洞连结。狭缝是经过倾斜以阻挡在由前方观看时进入离子源的视线，且提供膨胀间隙。
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公开(公告)号：CN1807705A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510132021.X
申请日：2005-12-16
申请人： 应用材料有限公司
IPC分类号： C30B31/06 , C30B31/16 , C30B25/14 , C23C16/448 , H01L21/205 , H01L21/383
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J27/022 , H01J37/08 , H01J2237/061 , H01J2237/0815 , H01J2237/083
摘要： 本发明涉及一种产生掺杂剂气体物质的方法以及实施该方法的离子源，该掺杂剂气体物质含有注入目标的所需掺杂剂元素成分。具体而言，虽然并不排他，但本发明涉及使用离子注入机，产生注入半导体晶片的掺杂剂离子。本发明提供产生掺杂剂气体物质的方法，该掺杂剂气体物质含有注入目标的所需掺杂剂元素成分，该方法包括：将掺杂剂元素成分源堆或块暴露于气态溴，使得溴与所述元素成分反应，形成反应产物，并离子化该反应产物，以产生掺杂剂气体物质的离子。
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公开(公告)号：CN1672232A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03818209.2
申请日：2003-07-29
申请人： 艾克塞利斯技术公司
CPC分类号： H01J37/08 , H01J2237/0815 , H01J2237/083 , H01J2237/0835 , H01J2237/31701
摘要： 公布一种离子源，所述离子源具有用以提供离子注入系统中所使用的带状离子束的细长狭缝。所述离子源包括在圆柱形源外壳内的用于射频激发等离子体的同轴感应耦合天线，以及设置在所述外壳内用于产生多新月形的方位磁场以实现对等离子体进行约束的周向磁体。还公布一种在等离子体与外壳壁之间设有隔热层以减轻或减少等离子体约束腔中冷凝的用于外壳内部的衬套。
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