公开(公告)号：CN105206515B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201510350426.4

申请日：2015-06-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策 ,  S·福斯 ,  A·布雷梅瑟 ,  A·苏斯蒂 ,  刘书海 ,  H·奥弗纳

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L29/36 ,  C30B31/22

Abstract: 本公开涉及用于处理半导体晶片的方法。通过经由第二侧将第一粒子注入到半导体晶片中以在半导体晶片中形成晶体缺陷，来处理磁性提拉法半导体晶片，磁性提拉法半导体晶片具有在第一垂直方向上彼此远离布置的第一侧和第二侧。晶体缺陷在第一深度处具有最大缺陷浓度。在第一热工艺中对半导体晶片进行加热，以形成辐射引发施主。选择注入能量和剂量，使得半导体晶片在第一热工艺之后具有布置在第二侧与第一深度之间的n掺杂半导体区域，并且n掺杂半导体区域在第一垂直方向上具有在第一深度与第二侧之间的净掺杂浓度的局部最大值和在第一深度与第一最大值之间的净掺杂浓度的局部最小值。

公开(公告)号：CN108735689A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810333020.9

申请日：2018-04-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·赫格尔 ,  A·罗特 ,  H-J·舒尔策 ,  H-J·蒂默

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/50 ,  H01L25/07

Abstract: 一种模块(100)包括载体(102)、仅安装在所述载体(102)的主表面(128)的一部分上的至少部分导热电绝缘体(104)、位于导热电绝缘体(104)上的至少部分导电的再分配结构(112)、安装在所述再分配结构(112)上并且在导热电绝缘体(104)上方的电子芯片(106)以及包封所述载体(102)的至少一部分、导热电绝缘体(104)的至少一部分、所述再分配结构(112)的至少一部分和所述电子芯片(106)的至少一部分的包封材料(108)。

公开(公告)号：CN104347424B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201410374151.3

申请日：2014-07-31

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  M·科托罗格亚 ,  H-J·舒尔策 ,  H·伊塔尼 ,  E·格瑞布尔 ,  A·哈格霍弗

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L21/22 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/31111 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明公开了具有单元沟槽结构和接触点的半导体器件及其制造方法。第一单元沟槽结构和第二单元沟槽从第一表面延伸至半导体衬底中。该第一单元沟槽结构包括第一埋置电极以及在该第一埋置电极和半导体台面之间的第一绝缘层，半导体台面分隔第一单元沟槽结构和第二单元沟槽结构。包覆层覆盖第一表面。图形化该包覆层以形成具有最小宽度大于第一绝缘层厚度的开口。该开口暴露第一绝缘层在第一表面处的第一垂直部分。除去第一绝缘层的暴露部分以形成在半导体台面和第一埋置电极之间的凹部。接触结构在该开口和该凹部中。接触结构电连接半导体台面中的埋置区和第一埋置电极，并允许更窄的半导体台面宽度。

公开(公告)号：CN104934297B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201510116886.0

申请日：2015-03-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  P·伊尔西格勒

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/2257 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02524 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/2605 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0623

Abstract: 一种用于从晶体硅主体中移除晶体原生颗粒的方法，该晶体硅主体具有相对的第一表面和第二表面，该方法包括增加该第一表面和该第二表面中的至少一个的表面区域。该方法进一步包括在至少1000℃的温度下和持续至少20分钟的时长氧化所增加的表面区域。

公开(公告)号：CN107564810A

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201710516182.1

申请日：2017-06-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·G·拉文 ,  A·毛德 ,  R·拉普 ,  H-J·舒尔策 ,  W·舒斯特德

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L29/808

Abstract: 本公开涉及使用定向离子束形成电极沟槽和含沟槽电极结构的半导体器件。例如，通过在半导体衬底(500a)的处理表面(101a)上引导具有束发散角(θ)的离子束(690)，在半导体衬底(500a)中形成平行的电极沟槽(150a)。定向离子束(690)的中心轴以倾斜角(α)相对于处理表面(101a)的法线(105)倾斜，其中倾斜角(α)和束发散角(θ)中的至少一个不等于0。半导体衬底(500a)在形成电极沟槽(150a)期间沿着平行于处理表面(101a)的方向移动。导电电极(155)形成在电极沟槽(150a)中，其中电极沟槽(150a)的第一侧壁(151)通过第一倾斜角 相对于法线(105)倾斜，第二侧壁(157)通过第二倾斜角 相对于法线(105)倾斜，其中。

公开(公告)号：CN104103598B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201410146227.7

申请日：2014-04-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  J·鲍姆加特尔 ,  G·拉克纳 ,  A·毛德 ,  F·J·桑托斯罗德里奎兹

IPC: H01L23/04 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/52 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78 ,  H01L23/04 ,  H01L23/043 ,  H01L23/053 ,  H01L24/11 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件包括器件载体以及附接至器件载体的半导体芯片。此外，半导体器件包括具有凹陷的盖体。盖体包括半导体材料并且附接至器件载体以使得半导体芯片容纳在凹陷中。

公开(公告)号：CN104637940B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410640890.2

申请日：2014-11-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H·许斯肯 ,  A·毛德 ,  H-J·舒尔策 ,  W·勒斯纳 ,  H·舒尔策

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/868

Abstract: 一种半导体器件包括在半导体器件的半导体衬底和被布置为邻近半导体衬底的导电结构之间的至少一个欧姆接触区。此外，该半导体器件包括在导电结构和半导体器件的半导体衬底之间的至少一个肖特基接触区。至少一个欧姆接触区被布置为邻近至少一个肖特基接触区地。半导体衬底包括被布置为邻近导电结构的第一掺杂层。在至少一个欧姆接触区的一个区域中的第一掺杂层的表面区的平均掺杂浓度不同于在至少一个肖特基接触区的一个区域中的第一掺杂层的表面区的平均掺杂浓度，相差小于10％。

公开(公告)号：CN107093553A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710090927.2

申请日：2017-02-20

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·舒斯特德 ,  M·布鲁格 ,  M·杰里纳克 ,  J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了用于将离子注入到半导体衬底中的方法和注入系统。该方法包括向半导体衬底中执行离子的测试注入。在半导体衬底上以第一注入角度范围注入测试注入的离子。此外，该方法包括在测试注入之后基于半导体衬底来确定注入角度偏移，以及基于确定的注入角度偏移来调整半导体衬底相对于注入方向的倾斜角度。另外，该方法包括在倾斜角度的调整之后向半导体衬底中执行离子的至少一个目标注入。在半导体衬底上以第二注入角度范围注入至少一个目标注入的离子。此外，第一注入角度范围大于第二注入角度范围。

公开(公告)号：CN104051510B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201410087001.4

申请日：2014-03-11

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·科托罗格亚 ,  F·沃尔特 ,  H-J·舒尔策 ,  F-J·涅德诺斯塞德 ,  Y·高利纳-施米德

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体衬底中的半导体器件包括第一主表面和晶体管单元的。该晶体管单元包括：第一导电类型的漂移区、在漂移区与第一主表面之间的第二导电类型的本体区、延伸到漂移区中的在第一主表面中的有源沟槽、本体区中的邻近有源沟槽的第一导电的源极区、延伸到所述漂移区并且邻近本体区和漂移区的第一主表面处的本体沟槽。该有源沟槽包括在侧壁和底侧的栅极绝缘层、以及栅极导电层。该本体沟槽包括导电层和在侧壁和底侧的、并且对于第一主表面和本体沟槽中心的垂直轴线不对称的绝缘层。

公开(公告)号：CN106373995A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610566847.5

申请日：2016-07-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  H·许斯肯 ,  F-J·涅德诺斯塞德 ,  F·D·普菲尔施 ,  R·罗思 ,  C·P·桑道 ,  C·沙菲尔 ,  S·福斯

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7813

Abstract: 涉及具有减小的带隙区的半导体器件，包括：源极区域，电连接至第一负载端子；漂移区域，含第一带隙的第一半导体材料，具有第一导电类型的掺杂物且承载第一负载端子与第二负载端子之间的负载电流的至少部分。还包括半导体本体区域，其具有与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂物且电连接至第一负载端子，本体区域和漂移区域之间的过渡形成pn结，pn结阻挡施加在第一与第二负载端子之间的电压。本体区域隔离源极区域与漂移区域并含减小的带隙区，该带隙区包括小于第一带隙的第二带隙的第二半导体材料，布置在本体区域中使得与源极区域在沿垂直方向的截面中呈现沿第一横向方向的公共横向延伸范围和沿垂直方向的公共垂直延伸范围中的至少一个。