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公开(公告)号：CN104011890B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380004529.4
申请日：2013-01-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 津田基嗣
CPC classification number: C25D5/02 , H03H3/08 , H03H9/1071
Abstract: 本发明提供一种在制造工序中能够进行中间检查的电子部件的制造方法。在用于构成基板(10)的母基板(21)之上形成多个元件电极(11)和供电线(22)的工序中，按照在俯视下多个元件电极(11)各自的焊盘部(11b)和供电线(22)隔着间隙而对置、且与该焊盘部(11b)相比供电线(22)位于下方的方式形成多个元件电极(11)和供电线(22)。通过一边对供电线(22)供电一边进行电解镀覆，由此来形成将供电线(22)和焊盘部(11b)电连接的镀覆膜(27)。通过对母基板(21)进行单片化，由此来获得电子部件(1)。
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公开(公告)号：CN104040887B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380004883.7
申请日：2013-01-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 津田基嗣
CPC classification number: H03H9/6489 , H03H9/02992 , H03H9/25 , H03H9/725
Abstract: 本发明所涉及的滤波器装置例如是双工器(1)。双工器(1)具备：压电基板(2)；形成在压电基板的主面，构成声表面波谐振器的IDT(3)；与IDT(3)电连接的布线电极(5)；和形成在IDT(3)附近的压电基板(2)的主面，声阻抗与压电基板(2)不同的声构件(异声部)(6)。配置于IDT(3)附近的布线电极(5)形成于声构件6。
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公开(公告)号：CN104040887A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201380004883.7
申请日：2013-01-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 津田基嗣
CPC classification number: H03H9/6489 , H03H9/02992 , H03H9/25 , H03H9/725
Abstract: 本发明所涉及的滤波器装置例如是双工器(1)。双工器(1)具备：压电基板(2)；形成在压电基板的主面，构成声表面波谐振器的IDT(3)；与IDT(3)电连接的布线电极(5)；和形成在IDT(3)附近的压电基板(2)的主面，声阻抗与压电基板(2)不同的声构件(异声部)(6)。配置于IDT(3)附近的布线电极(5)形成于声构件6。
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公开(公告)号：CN102111121A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010605965.5
申请日：2010-12-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
CPC classification number: H03H9/14541
Abstract: 本发明提供一种弹性波装置，即使放置在高温下，也能够抑制电阻的增大及频率特性的恶化，且能够抑制耐电力试验的特性的恶化。弹性波装置(1)具有在压电基板(2)上形成的IDT电极(3)，IDT电极(3)由将多个金属膜层叠而成的层叠金属膜构成，该层叠金属膜具有由Al或Al基合金构成的第一金属膜(3b)、由与所述第一金属膜不同的金属或合金构成的第二金属膜(3e)以及配置于所述第一、第二金属膜间的Cu膜(3c)及Ti膜(3d)，Cu膜(3c)及Ti膜(3d)中的Cu膜(3c)配置于第一金属膜(3b)侧。
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公开(公告)号：CN119343873A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380045418.1
申请日：2023-03-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H04B1/50
Abstract: 高频电路(1)具备：天线连接端子(101)、输入端子(111)以及输出端子(121)；滤波器(31)，其具有包含FDD用的频段A的发送频带的至少一部分的通带；滤波器(32)，其具有包含频段A的接收频带的至少一部分的通带；以及开关(41)，其具有端子(411～413)，其中，天线连接端子(101)与端子(411)连接，滤波器(31)连接在端子(412)与输入端子(111)之间，滤波器(32)连接在端子(413)与输出端子(121)之间，开关(41)构成为在第一连接、第二连接以及第三连接之间切换，在第一连接中，端子(411)与端子(412)连接，且端子(411)不与端子(413)连接，在第二连接中，端子(411)与端子(413)连接，且端子(411)不与端子(412)连接，在第三连接中，端子(411)同时与端子(412、413)连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117242702A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202280031125.3
申请日：2022-03-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 津田基嗣
IPC: H04B1/04
Abstract: 高频电路(1)能够执行频段A的MIMO发送以及频段A及B的上行链路CA，具备：功率放大器(21)，其放大频段A的信号；功率放大器(22)，其放大频段A及B的信号；滤波器(11)，该滤波器(11)的通带包含频段A；滤波器(12)，该滤波器(12)的通带包含频段B；滤波器(13)，该滤波器(13)的通带包含频段A；以及开关(32)，其同时执行端子(32a)与端子(32c)的连接以及端子(32b)与端子(32d)的连接，同时执行端子(32a)与端子(32c)的连接以及端子(32b)与端子(32e)的连接，其中，端子(32a)与功率放大器(21)连接，端子(32b)与功率放大器(22)连接，端子(32c)与滤波器(11)连接，端子(32d)与滤波器(12)连接，端子(32e)与滤波器(13)连接。
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公开(公告)号：CN116601757A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180080607.3
申请日：2021-12-02
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/00
Abstract: 高频模块(1)具备：模块基板(90)，其具有主面(90a)；集成电路(70)，其配置于主面(90a)，形成有功率放大电路(11)；以及SMD(41d)，其配置于主面(90a)，形成有与功率放大电路(11)直接连接的电路元件，其中，集成电路(70)具备：第一基材(71)，第一基材(71)的至少一部分由第一半导体材料构成；以及第二基材(72)，第二基材(72)的至少一部分由第二半导体材料构成，在第二基材(72)形成有功率放大电路(11)，第一基材(71)具有在俯视时彼此相向的边(71s1)和(71s2)，在俯视时，SMD(41d)离边(71s1)比离边(71s2)更近，在俯视时，第二基材(72)比第一基材(71)小，第二基材(72)在离边(71s1)比离边(71s2)更近的位置处与第一基材(71)重叠。
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公开(公告)号：CN113196675B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201980083833.X
申请日：2019-11-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供高频模块(1)，具备：开关(11)，其对共用端子(11a)与选择端子(11b和11c)的连接进行切换；接收滤波器(21R)，其将带A的接收频段作为通带；发送滤波器(22T)，其将带B的发送频段作为通带，输出端子与选择端子(11c)连接；滤波器(23)，其将带B的发送频段作为衰减频段，输入端子与选择端子(11c)连接；接收路径(62)，其将选择端子(11c)和接收滤波器(21R)的输入端子连结，且配置有滤波器(23)；旁通路径(61)，其将选择端子(11b)和接收滤波器(21R)的输入端子连结，且未配置滤波器；以及发送路径(63)，其将选择端子(11c)和发送端子(130)连结，且配置有发送滤波器(22T)。
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公开(公告)号：CN110868233B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201910720826.8
申请日：2019-08-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供提高散热性并确保安装基板的平坦性的高频模块以及通信装置。高频模块(1)具备发送功率放大器(11)、与发送功率放大器(11)连接的凸块电极(13)、以及安装发送功率放大器(11)的安装基板(90)，安装基板(90)具有由绝缘性材料形成的基板主体部(90B)、以及处于安装基板(90)，并在俯视安装基板(90)时为长条形状的导通孔导体(91)，凸块电极(13)和导通孔导体(91)在上述俯视时至少一部分重复的状态下连接，在导通孔导体(91)的内部配置有由基板主体部(90B)的绝缘性材料构成的绝缘部(90C)。
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公开(公告)号：CN110830053B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201910725013.8
申请日：2019-08-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供抑制了功率放大器的放大特性的劣化的高频模块。高频模块(1)具备：发送功率放大器(11)，由级联连接的放大晶体管(110P)以及(110D)构成；以及安装基板(90)，具有相互背向的主面(90a)以及(90b)，并在主面(90a)安装有发送功率放大器(11)，放大晶体管(110P)配置于最后一级，并具有发射极端子(112P)，放大晶体管(110D)配置于比放大晶体管(110P)靠前一级，并具有发射极端子(112D)，安装基板(90)按距离主面(90a)从近到远的顺序具有地线电极层(93g)～(96g)，发射极端子(112P)与发射极端子(112D)不经由主面(90a)上的电极电连接，并且不经由地线电极层(93g)电连接。
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