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公开(公告)号：CN110830054B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201910729614.6
申请日：2019-08-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供散热性提高的高频模块。高频模块(1)具备：发送功率放大器(11)；凸块电极(13)，其与发送功率放大器(11)的主面连接，且在俯视该主面的情况下为长条形状；以及安装基板(90)，其安装发送功率放大器(11)，安装基板(90)具有在上述俯视时为长条形状的导通孔导体(91)，凸块电极(13)与导通孔导体(91)在上述俯视时，长边方向彼此一致，并且，在上述俯视时至少在该长边方向较长的、凸块电极(13)与导通孔导体(91)的重复区域连接。
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公开(公告)号：CN112088494A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201980030811.7
申请日：2019-06-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 武部正英
Abstract: 本发明提供高频模块以及通信装置。频段A(Tx)包含频段C(Tx)，频段B(Rx)包含频段C(Rx)，高频模块(1)具备开关(51)、与选择端子(51d)连接的频段A(Tx)用的发送滤波器(25)以及频段B(Rx)用的接收滤波器(22)、与选择端子(51c)连接的频段B(Tx)用的发送滤波器(11)以及频段A(Rx)用的接收滤波器(16)、与选择端子(51b)连接的频段D(Tx)用的发送滤波器(13)以及频段D(Rx)用的接收滤波器(14)，在第一地域，共用端子(51a)与选择端子(51d)连接，并且，共用端子(51a)与选择端子(51c)连接，在第二地域，共用端子(51a)与选择端子(51d)连接，并且，共用端子(51a)与选择端子(51b)连接。
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公开(公告)号：CN110868233A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910720826.8
申请日：2019-08-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供提高散热性并确保安装基板的平坦性的高频模块以及通信装置。高频模块(1)具备发送功率放大器(11)、与发送功率放大器(11)连接的凸块电极(13)、以及安装发送功率放大器(11)的安装基板(90)，安装基板(90)具有由绝缘性材料形成的基板主体部(90B)、以及处于安装基板(90)，并在俯视安装基板(90)时为长条形状的导通孔导体(91)，凸块电极(13)和导通孔导体(91)在上述俯视时至少一部分重复的状态下连接，在导通孔导体(91)的内部配置有由基板主体部(90B)的绝缘性材料构成的绝缘部(90C)。
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公开(公告)号：CN110830053A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910725013.8
申请日：2019-08-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供抑制了功率放大器的放大特性的劣化的高频模块。高频模块(1)具备：发送功率放大器(11)，由级联连接的放大晶体管(110P)以及(110D)构成；以及安装基板(90)，具有相互背向的主面(90a)以及(90b)，并在主面(90a)安装有发送功率放大器(11)，放大晶体管(110P)配置于最后一级，并具有发射极端子(112P)，放大晶体管(110D)配置于比放大晶体管(110P)靠前一级，并具有发射极端子(112D)，安装基板(90)按距离主面(90a)从近到远的顺序具有地线电极层(93g)～(96g)，发射极端子(112P)与发射极端子(112D)不经由主面(90a)上的电极电连接，并且不经由地线电极层(93g)电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110868233B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201910720826.8
申请日：2019-08-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供提高散热性并确保安装基板的平坦性的高频模块以及通信装置。高频模块(1)具备发送功率放大器(11)、与发送功率放大器(11)连接的凸块电极(13)、以及安装发送功率放大器(11)的安装基板(90)，安装基板(90)具有由绝缘性材料形成的基板主体部(90B)、以及处于安装基板(90)，并在俯视安装基板(90)时为长条形状的导通孔导体(91)，凸块电极(13)和导通孔导体(91)在上述俯视时至少一部分重复的状态下连接，在导通孔导体(91)的内部配置有由基板主体部(90B)的绝缘性材料构成的绝缘部(90C)。
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公开(公告)号：CN110830053B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201910725013.8
申请日：2019-08-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供抑制了功率放大器的放大特性的劣化的高频模块。高频模块(1)具备：发送功率放大器(11)，由级联连接的放大晶体管(110P)以及(110D)构成；以及安装基板(90)，具有相互背向的主面(90a)以及(90b)，并在主面(90a)安装有发送功率放大器(11)，放大晶体管(110P)配置于最后一级，并具有发射极端子(112P)，放大晶体管(110D)配置于比放大晶体管(110P)靠前一级，并具有发射极端子(112D)，安装基板(90)按距离主面(90a)从近到远的顺序具有地线电极层(93g)～(96g)，发射极端子(112P)与发射极端子(112D)不经由主面(90a)上的电极电连接，并且不经由地线电极层(93g)电连接。
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公开(公告)号：CN111526227B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010079663.2
申请日：2020-02-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H04M1/02
Abstract: 提供一种高频模块和通信装置。该高频模块是提高了散热性的两面安装型的高频模块。高频模块(1)具备：安装基板(30)，其具有主面(30a及30b)；功率放大器(14)，其安装于主面(30a)；半导体IC(80)，其安装于主面(30b)；连接端子(41)，其配置于相对于安装基板(30)而言的主面(30b)侧，与外部基板连接；多个通路导体(51及52)，它们与功率放大器(14)连接，贯通安装基板(30)；以及金属块(50)，其安装于主面(30b)，与多个通路导体(51及52)及连接端子(41)连接，其中，在俯视安装基板(30)的情况下，功率放大器(14)与多个通路导体(51及52)重叠，金属块(50)与多个通路导体(51及52)重叠。
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公开(公告)号：CN111526227A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010079663.2
申请日：2020-02-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H04M1/02
Abstract: 提供一种高频模块和通信装置。该高频模块是提高了散热性的两面安装型的高频模块。高频模块(1)具备：安装基板(30)，其具有主面(30a及30b)；功率放大器(14)，其安装于主面(30a)；半导体IC(80)，其安装于主面(30b)；连接端子(41)，其配置于相对于安装基板(30)而言的主面(30b)侧，与外部基板连接；多个通路导体(51及52)，它们与功率放大器(14)连接，贯通安装基板(30)；以及金属块(50)，其安装于主面(30b)，与多个通路导体(51及52)及连接端子(41)连接，其中，在俯视安装基板(30)的情况下，功率放大器(14)与多个通路导体(51及52)重叠，金属块(50)与多个通路导体(51及52)重叠。
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公开(公告)号：CN110830054A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910729614.6
申请日：2019-08-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供散热性提高的高频模块。高频模块(1)具备：发送功率放大器(11)；凸块电极(13)，其与发送功率放大器(11)的主面连接，且在俯视该主面的情况下为长条形状；以及安装基板(90)，其安装发送功率放大器(11)，安装基板(90)具有在上述俯视时为长条形状的导通孔导体(91)，凸块电极(13)与导通孔导体(91)在上述俯视时，长边方向彼此一致，并且，在上述俯视时至少在该长边方向较长的、凸块电极(13)与导通孔导体(91)的重复区域连接。
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