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公开(公告)号：CN1536947A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200410043462.8
申请日：1999-09-13
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P1/387 , H01P1/215 , H01P11/00 , H05K1/0237 , H05K1/165
Abstract: 一种复合电路板，包含：介电基片；磁性基片，在介电基片与磁性基片之间提供的间距；位于所述介电基片与所述磁性基片之间的电极，电极包含谐振器部分和传输线部分；以及向所述电极施加直流磁场的磁铁；其中所述电极的传输线部分相对地接近所述介电基片并相对远离所述磁性基片，而所述电极的谐振器部分相对地接近所述磁性基片并相对远离所述介质基片。
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公开(公告)号：CN108886349B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201780017528.1
申请日：2017-03-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 一种频率可变滤波器、RF前端电路和通信终端。第一衰减电路(13)连接在梯形谐振电路(11)和发送侧端子(Ptx)之间连接的节点与地线之间。第二衰减电路(14)与梯形谐振电路(11)的第一并联臂谐振器(115)和地线连接，并与第一并联臂谐振器(115)串联连接。第一衰减电路(13)具有第二并联臂谐振器(132)和第一开关(131)，该第一开关切换使第二并联臂谐振器(132)和节点导通的第一状态以及开路的第二状态。第二衰减电路(14)具有电容器(142)和第二开关(141)，该第二开关切换使电容器(142)和第一并联臂谐振器(115)导通的第一状态以及使第一并联臂谐振器(115)和地线导通的第二状态。在第一开关为第一状态的情况下，第二开关为第一状态。
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公开(公告)号：CN108886349A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780017528.1
申请日：2017-03-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 第一衰减电路(13)连接在梯形谐振电路(11)和发送侧端子(Ptx)之间连接的节点与地线之间。第二衰减电路(14)与梯形谐振电路(11)的第一并联臂谐振器(115)和地线连接，并与第一并联臂谐振器(115)串联连接。第一衰减电路(13)具有第二并联臂谐振器(132)和第一开关(131)，该第一开关切换使第二并联臂谐振器(132)和节点导通的第一状态以及开路的第二状态。第二衰减电路(14)具有电容器(142)和第二开关(141)，该第二开关切换使电容器(142)和第一并联臂谐振器(115)导通的第一状态以及使第一并联臂谐振器(115)和地线导通的第二状态。在第一开关为第一状态的情况下，第二开关为第一状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119343873A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380045418.1
申请日：2023-03-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H04B1/50
Abstract: 高频电路(1)具备：天线连接端子(101)、输入端子(111)以及输出端子(121)；滤波器(31)，其具有包含FDD用的频段A的发送频带的至少一部分的通带；滤波器(32)，其具有包含频段A的接收频带的至少一部分的通带；以及开关(41)，其具有端子(411～413)，其中，天线连接端子(101)与端子(411)连接，滤波器(31)连接在端子(412)与输入端子(111)之间，滤波器(32)连接在端子(413)与输出端子(121)之间，开关(41)构成为在第一连接、第二连接以及第三连接之间切换，在第一连接中，端子(411)与端子(412)连接，且端子(411)不与端子(413)连接，在第二连接中，端子(411)与端子(413)连接，且端子(411)不与端子(412)连接，在第三连接中，端子(411)同时与端子(412、413)连接。
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公开(公告)号：CN1288795C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200410043462.8
申请日：1999-09-13
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P1/387 , H01P1/215 , H01P11/00 , H05K1/0237 , H05K1/165
Abstract: 一种非互易电路器件，包含：介电基片；磁性基片，在介电基片与磁性基片之间提供的间距；位于所述介电基片与所述磁性基片之间的电极，电极包含谐振器部分和传输线部分；以及向所述电极施加直流磁场的磁铁；其中所述电极的传输线部分相对地接近所述介电基片并相对远离所述磁性基片，而所述电极的谐振器部分相对地接近所述磁性基片并相对远离所述介电基片。
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公开(公告)号：CN1860642A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200480028584.8
申请日：2004-08-26
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P1/209 , H01P1/2084
Abstract: 电介质衬底(1)上置有经由第一狭缝(SL1)相通的第一和第二导体开口(AP1)和(AP2)，以及经由第二狭缝(SL2)相通的第三和第四导体开口(AP3)和(AP4)，使得狭缝(SL1)和狭缝(SL2)彼此相交。因此，产生以下两种谐振模，即其磁场矢量从(AP1)指向(AP3)和从(AP4)指向(AP2)的偶模，以及磁场矢量从(AP3)指向(AP2)和从(AP1)指向(AP4)的奇模；或者产生以下两种谐振模，即其磁场矢量从(AP1)指向(AP2)的X模，以及其磁场矢量从(AP3)指向(AP4)的Y模。
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