同一管芯上具有不同膜厚度的谐振器

    公开(公告)号:CN115996887A

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202180053279.8

    申请日:2021-08-31

    Abstract: 声学谐振器通过将第一压电板接合到基板并跨越基板中的第一空腔和第二空腔的位置来制造。将第一压电板的顶表面平坦化至第一厚度。接合层形成在第一压电板上并且跨越第一空腔和第二空腔位置。第二压电板接合到接合层并且跨越第一空腔和第二空腔位置。蚀刻掉第二压电板的跨越第二空腔位置的部分,以在第一空腔位置上方形成第一膜并且在第二空腔位置上方形成第二膜。叉指换能器形成在第一空腔和第二空腔位置上方的第一膜和第二膜上,以在同一管芯上形成第一谐振器和第二谐振器。

    具有蚀刻的导体图案的横向激发的薄膜体声学谐振器

    公开(公告)号:CN115623882A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202180032927.1

    申请日:2021-04-21

    Abstract: 一种声学谐振器,通过在位于所需的叉指换能器(IDT)图案的位置处的压电板上形成图案化的第一光刻胶掩模来制造。然后在该板和第一光刻胶掩模上沉积蚀刻停止层。去除第一光刻胶掩模以去除部分蚀刻停止层并暴露该板。在蚀刻停止层和暴露的板上沉积IDT导体材料。然后在位于IDT图案的位置处的导体材料上形成图案化的第二光刻胶掩模。然后对导体材料进行蚀刻并蚀刻至蚀刻停止层,以形成在膜片上具有交织的指状物以跨越衬底腔体的IDT图案。板和蚀刻停止层的一部分形成膜片。蚀刻停止层和光刻胶掩模不受该蚀刻的影响。去除第二光刻胶掩模以留下IDT图案。

    使用结合至带有陷阱富集层的高电阻率硅衬底的压电薄膜的滤波器

    公开(公告)号:CN119276244A

    公开(公告)日:2025-01-07

    申请号:CN202411415658.9

    申请日:2020-12-18

    Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。声学谐振器包括一衬底,具有与一表面相邻的陷阱富集区,和一单晶压电板,具有平行的正面和背面,除了形成隔膜的压电板部分外(其中,所述隔膜跨越在所述衬底中形成的空腔),背面附接到所述衬底的表面。在单晶压电板的正面上形成叉指式换能器(IDT),使得IDT的交错的指状物设置在隔膜上。单晶压电板和IDT配置成使得施加到IDT上的射频信号激发隔膜内的一剪切主要声模。

    声波器件
    39.
    发明公开
    声波器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116547909A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202180072183.6

    申请日:2021-10-22

    Abstract: 一种声波器件包括压电层和串联臂谐振器和并联臂谐振器,该压电层包括铌酸锂或钽酸锂,串联臂谐振器和并联臂谐振器各自包括在所述压电层上的至少一对第一电极和第二电极。该声波器件使用处于第一厚度剪切模式的体波。串联臂谐振器中的压电层的第一部分的膜厚度不同于并联臂谐振器中的压电层的第二部分的膜厚度。在串联臂谐振器和并联臂谐振器中的每一个中,假设压电层的膜厚度为d并且彼此相邻的第一电极和第二电极的中心之间的距离为p,则比率d/p小于或等于约0.5。

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