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公开(公告)号:CN115004548B
公开(公告)日:2023-05-26
申请号:CN202080066592.0
申请日:2020-10-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板,背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上,该部分形成隔膜,隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(IDT)在单晶压电板的正面上形成,使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。
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公开(公告)号:CN115996887A
公开(公告)日:2023-04-21
申请号:CN202180053279.8
申请日:2021-08-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: B81B3/00
Abstract: 声学谐振器通过将第一压电板接合到基板并跨越基板中的第一空腔和第二空腔的位置来制造。将第一压电板的顶表面平坦化至第一厚度。接合层形成在第一压电板上并且跨越第一空腔和第二空腔位置。第二压电板接合到接合层并且跨越第一空腔和第二空腔位置。蚀刻掉第二压电板的跨越第二空腔位置的部分,以在第一空腔位置上方形成第一膜并且在第二空腔位置上方形成第二膜。叉指换能器形成在第一空腔和第二空腔位置上方的第一膜和第二膜上,以在同一管芯上形成第一谐振器和第二谐振器。
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公开(公告)号:CN115623882A
公开(公告)日:2023-01-17
申请号:CN202180032927.1
申请日:2021-04-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H10N30/87 , H10N30/06 , H10N30/082 , H03H3/02
Abstract: 一种声学谐振器,通过在位于所需的叉指换能器(IDT)图案的位置处的压电板上形成图案化的第一光刻胶掩模来制造。然后在该板和第一光刻胶掩模上沉积蚀刻停止层。去除第一光刻胶掩模以去除部分蚀刻停止层并暴露该板。在蚀刻停止层和暴露的板上沉积IDT导体材料。然后在位于IDT图案的位置处的导体材料上形成图案化的第二光刻胶掩模。然后对导体材料进行蚀刻并蚀刻至蚀刻停止层,以形成在膜片上具有交织的指状物以跨越衬底腔体的IDT图案。板和蚀刻停止层的一部分形成膜片。蚀刻停止层和光刻胶掩模不受该蚀刻的影响。去除第二光刻胶掩模以留下IDT图案。
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公开(公告)号:CN115552794A
公开(公告)日:2022-12-30
申请号:CN202180032018.8
申请日:2021-04-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了声波谐振器装置和方法。声波谐振器装置包括具有相对的前表面和后表面的压电板。第一电极和第二电极形成在压电板的前表面上,第一电极和第二电极以及压电板被配置为使得施加在第一电极与第二电极之间的射频信号在压电板中激发剪切主声波模式。第一电极和第二电极具有梯形截面形状。第一电极的至少一个侧表面的侧壁角和第二电极的至少一个侧表面的侧壁角大于或等于70度且小于或等于110度。
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公开(公告)号:CN119276244A
公开(公告)日:2025-01-07
申请号:CN202411415658.9
申请日:2020-12-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 帕特里克·特纳
Abstract: 公开了一种声学谐振器装置和滤波器。声学谐振器包括一衬底,具有与一表面相邻的陷阱富集区,和一单晶压电板,具有平行的正面和背面,除了形成隔膜的压电板部分外(其中,所述隔膜跨越在所述衬底中形成的空腔),背面附接到所述衬底的表面。在单晶压电板的正面上形成叉指式换能器(IDT),使得IDT的交错的指状物设置在隔膜上。单晶压电板和IDT配置成使得施加到IDT上的射频信号激发隔膜内的一剪切主要声模。
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公开(公告)号:CN118353412A
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN202410417312.6
申请日:2020-04-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 帕特里克·特纳 , 迈克·艾迪 , 安德鲁·凯 , 温切斯拉夫·扬捷切夫 , 查尔斯·钟
Abstract: 公开了声波谐振器器件和滤波器。压电板附接到基板,压电板的一部分形成横跨基板中的空腔的隔膜。第一导体图案,在压电板的表面上形成。第一导体图案包括布置在隔膜上的叉指换能器的交错指状物,以及第一多个接触焊盘。第二导体图案,在基部的表面上形成,第二导体图案包括第二多个接触焊盘。第一多个接触焊盘中的每个焊盘直接接合到第二多个接触焊盘中的相应焊盘。在压电板的周边和基部的周边之间形成环形密封。
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公开(公告)号:CN117882296A
公开(公告)日:2024-04-12
申请号:CN202280053854.9
申请日:2022-07-25
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 公开了制造滤波器设备的方法。将具有第一厚度的压电板的背表面附接到基板。选择性地蚀刻压电板的前表面,以将压电板的一部分从第一厚度减薄至小于第一厚度的第二厚度。在基板中形成空腔,使得压电板的多个部分形成跨越相应空腔的多个膜片。在前表面上形成导体图案。该导体图案包括:第一叉指换能器(IDT),在具有第一厚度的第一膜片上具有交织的指状物;以及第二IDT,在具有第二厚度的第二膜片上具有交织的指状物。
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公开(公告)号:CN116636142A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202180084809.5
申请日:2021-12-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 一种声波设备包括:空腔,在基板中;重叠区域,其中,相邻的第一叉指电极和第二叉指电极的部分彼此相对;第一间隙区域,在第一母线和重叠区域之间,并且包括第一叉指电极,但不包括第二叉指电极;以及第二间隙区域,在第二母线和重叠区域之间,并且包括第二叉指电极,但不包括第一叉指电极。比率d/p为约0.5或更小,其中,d是压电层的厚度,并且p是相邻的第一叉指电极和第二叉指电极的中心之间的距离。空腔的第一壁位于第一母线或第一间隙区域下方,并且空腔的第二壁位于第二母线或第二间隙区域下方。
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公开(公告)号:CN116547909A
公开(公告)日:2023-08-04
申请号:CN202180072183.6
申请日:2021-10-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/02
Abstract: 一种声波器件包括压电层和串联臂谐振器和并联臂谐振器,该压电层包括铌酸锂或钽酸锂,串联臂谐振器和并联臂谐振器各自包括在所述压电层上的至少一对第一电极和第二电极。该声波器件使用处于第一厚度剪切模式的体波。串联臂谐振器中的压电层的第一部分的膜厚度不同于并联臂谐振器中的压电层的第二部分的膜厚度。在串联臂谐振器和并联臂谐振器中的每一个中,假设压电层的膜厚度为d并且彼此相邻的第一电极和第二电极的中心之间的距离为p,则比率d/p小于或等于约0.5。
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