-
公开(公告)号：CN106797213A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580054805.7
申请日：2015-10-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K3/3562 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786
Abstract: 在逻辑电路中设置的保持电路能够进行电源门控。保持电路包括第一端子、节点、电容器以及第一晶体管至第三晶体管。第一晶体管控制第一端子与逻辑电路的输入端子之间的电连接。第二晶体管控制逻辑电路的输出端子与节点之间的电连接。第三晶体管控制节点与逻辑电路的输入端子之间的电连接。第一晶体管的栅极与第二晶体管的栅极电连接。在数据保持期间中，节点处于电浮动状态。节点的电压被电容器保持。
-
公开(公告)号：CN103779359A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410039983.X
申请日：2005-11-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/02532 , H01L21/02683 , H01L21/02691 , H01L21/84 , H01L23/544 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L27/12 , H01L29/78603 , H01L29/78648 , H01L2221/6835 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/6677 , H01L2224/16 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/85 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/0106 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01Q1/38 , H01Q9/285 , H01Q23/00 , Y10S438/982 , H01L2924/00 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明的目的在于提供一种通过不同于专利文献1中公开的方法从衬底分离薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的电路或半导体器件，并将该薄膜晶体管和电路或半导体器件移位到具有柔性的衬底上的方法。根据本发明，在绝缘膜处形成了大开口或多个开口，在开口处形成了连接薄膜晶体管的导电膜，以及移除了剥离层，然后，将具有薄膜晶体管的层移位到提供有导电膜等的衬底上。根据本发明的薄膜晶体管具有通过激光照射结晶化的半导体膜，并且防止不必用激光照射的剥离层暴露在激光照射下。
-
公开(公告)号：CN101667538B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200910159435.X
申请日：2005-08-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/268 , H01L21/20 , H01L21/336 , B23K26/06
CPC classification number: H01L29/78648 , B23K26/0604 , B23K26/066 , H01L21/268 , H01L27/1296 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的是提供激光照射设备和方法，其能够减小微晶区在整个被照射区中的比例并能够用激光束均匀地照射半导体膜。通过狭缝阻挡从激光振荡器发射的激光束的低强度部分，该激光束被镜片偏转，用两个凸柱镜将激光束整形成所需的尺寸。然后，向照射表面提供激光束。
-
公开(公告)号：CN1790748B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200510118686.5
申请日：2005-11-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L27/1214 , H01L27/127 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
Abstract: 本发明的目的是在一个工艺中以更少的处理步骤制造具有小尺寸LDD区域的TFT，并且独立制造出具有由每种电路而定的结构的TFT。依照本发明，栅电极是多层的，并且通过使得下层栅电极的栅极长度比上层栅电极的栅极长度长而形成帽形栅电极。此时，利用抗蚀剂凹口宽度使得仅上层栅电极被蚀刻以形成帽形栅电极。因此，也可在精细TFT中形成LDD区域；因此，可独立地制造出具有由每种电路而定的结构的TFT。
-
公开(公告)号：CN100492640C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200510067389.2
申请日：2000-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/133345 , G02F1/13454 , G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136277 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3276 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/78633
Abstract: 通过保证充足存储电容值(Cs)时获得较高孔径率，同时通过以适时方式分散电容器引线的负载(象素写入电流)以有效地减少负载，从而提供一种液晶显示装置。扫描线形成在与栅电极不同的层面上，电容器布置成与信号线平行。每个象素通过电介质与各自独立的电容器引线连接。这样，可避免由相邻象素的写入电流产生的电容器引线的电势变化，进而获得了满意的显示图象。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100426489C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200610100169.X
申请日：2000-09-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/1362 , G03B21/00
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2201/40 , H01L27/124 , H01L27/1255
Abstract: 提供一种具有高显示品质的液晶显示器件，它具有高的孔径比而又确保有足够的存储电容(Cs)，同时还可通过将电容线的负荷(像素的写入电流)及时地分散开以便有效地减小该负荷。扫描线形成在与栅电极不同的层上，以便将电容线安置得与信号线平行。每个像素都通过介电质与各独立的电容线相连接。因而，由邻近像素的写入电流所引起的电容线的电位变化就可避免，由此可获得满意的显示图像。
-
公开(公告)号：CN1870276A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610087813.4
申请日：2006-05-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/84 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78606 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/13 , H01L29/0603 , H01L29/78609 , H01L29/78636
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其抑制了由在半导体膜的沟道区的端部中的栅绝缘膜的断开或薄的厚度导致的半导体膜和栅极之间的短路和漏电流，以及该半导体器件的制造方法。多个薄膜晶体管，每一个具有连续地提供于衬底上方的半导体膜、经由栅绝缘膜提供于半导体膜上方的导电膜、不与导电膜重叠提供于半导体膜中的源和漏区，和存在于导电膜下方和源和漏区之间的提供于半导体膜中的沟道区。且杂质区提供于不与导电膜重叠的半导体膜中，且与源和漏区相邻地提供。而且，导电膜提供于沟道区和半导体膜的与沟道区相邻提供的区域的上方。
-
公开(公告)号：CN1280880C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN02143428.X
申请日：2002-09-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/324 , G02F1/35
CPC classification number: H01L21/02675 , B23K26/0604 , B23K26/0608 , B23K26/0732 , B23K26/0736 , B23K26/0738 , B23K26/352 , B23K2101/40 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/268 , H01L21/283 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L27/14625
Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。
-
公开(公告)号：CN1276468C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200410044699.8
申请日：2000-09-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/82 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/8234 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1248 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2201/40 , H01L27/124 , H01L27/1255
Abstract: 提供一种具有高显示品质的液晶显示器件，它具有高的孔径比而又确保有足够的存储电容(Cs)，同时还可通过将电容线的负荷(像素的写入电流)及时地分散开以便有效地减小该负荷。扫描线形成在与栅电极不同的层上，以便将电容线安置得与信号线平行。每个像素都通过介电质与各独立的电容线相连接。因而，由邻近像素的写入电流所引起的电容线的电位变化就可避免，由此可获得满意的显示图像。
-
公开(公告)号：CN1722448A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510076233.0
申请日：2005-04-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1259 , H01L27/1214
Abstract: 对薄膜集成电路施以硅化物自对准工艺，而不必担心对玻璃基底的损害，因此能够实现电路的高速运行。在玻璃基底上形成金属基膜、氧化物和绝缘基膜。在绝缘基膜上形成具有侧壁的TFT，形成覆盖TFT的金属膜。通过RTA等，在不引起基底收缩的温度进行退火，在源和漏区中形成高电阻金属硅化物层。去除未反应的金属膜之后，进行第二次退火的激光照射，因此发生硅化物反应，高电阻金属硅化物层变成低电阻金属硅化物层。在第二次退火中，金属基膜吸收并且积累激光照射的热量，除了激光照射的热量之外，还向半导体层提供金属基膜的热量，从而提高源和漏区中的硅化物反应的效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
85
records
(took 0.037 seconds)
