公开(公告)号：CN1909751B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200610110927.6

申请日：2006-08-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  樋口美由纪 ,  渡边康子 ,  荒井康行

IPC: H05B33/08 ,  H05B33/00 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/3227 ,  H01L27/3253 ,  H01L27/3288 ,  H01L2227/326 ,  Y10S257/918

Abstract: 为了防止在形成发光装置期间的点缺陷和线缺陷，从而提高成品率。设置在不同基板上面的发光元件和发光元件的驱动电路被电连接。即，发光元件和发光元件的驱动电路先形成在不同的基板上面，然后被电连接。通过在不同的基板上面设置发光元件和发光元件的驱动电路，可分开进行形成发光元件的步骤和形成发光元件驱动电路的步骤。因此，可增加每个步骤的自由度，且该处理能够被弹性地改变。此外，能够比传统技术减少用于形成发光元件表面上的台阶(凹凸不平之处)。

公开(公告)号：CN1871711B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200480031537.9

申请日：2004-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  今井馨太郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/56

Abstract: 根据本发明，提供了一种显示器件，在该显示器件中，TFT与发光元件连接，在发光元件处具有产生称为电致发光的发光的有机物质或包括夹在电极之间的有机物质与无机物质的混和物的介质，本方面将通过形成至少一个多个诸如用于形成预定图形的掩模层之类的导电层来制造显示屏，所述导电层形成引线或电极和制造显示屏所需的图形，所述预定图形通过能够选择性地形成图形的方法来形成。点滴滴注方法能够依照具体物体通过选择性地滴注合成物的点滴和通过形成导电层或绝缘层来形成预定图形，被作为能够选择性地形成图形的方法来使用。

公开(公告)号：CN101452893B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200810185705.X

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 福地邦彦 ,  藤井岩 ,  中村理 ,  前川慎志

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/288 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78678 ,  C25D5/022 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造法。根据本发明的一个方面，通过液滴喷射方法形成制造显示装置所需的至少一个或多个图案，例如形成布线或电极的导电层以及掩模。那时，其中不在半导体层下的一部分栅极绝缘薄膜在本发明的制造步骤过程中被除去。

公开(公告)号：CN1734736B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200510091030.9

申请日：2005-08-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  本田达也 ,  小路博信 ,  中村理 ,  铃木幸惠 ,  川俣郁子

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1277 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供不易发生阈值偏离、具有能够高速运转的逆交错型TFT的半导体器件的制作方法。另外，还提供以减少原料来削减成本、且成品率高的半导体器件的制作方法。本发明用耐热性高的材料形成栅电极后，形成非晶半导体膜，在该非晶半导体膜上掺杂催化剂元素并加热形成结晶性半导体膜，在该结晶性半导体膜上形成具有施主型元素或稀有气体元素的层，并加热，将催化剂元素从结晶性半导体膜中除去后，用该结晶性半导体膜的一部分形成半导体区域，形成与该半导体区域通电的源电极和漏极电极，且形成与栅电极连接的栅布线，形成逆交错型的TFT，从而制成半导体器件。

公开(公告)号：CN101834201A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010142748.7

申请日：2004-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中村理 ,  山道亚希 ,  山出直人

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/77 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L27/1259 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3272 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2251/552

Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件以及高成品率地制作该显示器件的制作方法。本发明的显示器件是一种包括显示区域的显示器件，该显示区域包括第一电极；覆盖该第一电极周围边缘的绝缘层；形成在所述第一电极上的包含有机化合物的层；以及第二电极，其中，给所述第一电极和所述绝缘层中掺杂赋予一个导电型的杂质元素。

公开(公告)号：CN1925112B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200510103678.3

申请日：2005-08-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  佐藤淳子

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/288 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种具有所希望的形状的半导体区域的制造方法。另外，本发明提供一种不均匀少的半导体器件的制造方法。此外，本发明还提供一种通过使用少量原料可以减少成本，且能够制造高成品率的半导体器件的方法。本发明中，对半导体膜的一部分进行氧化来形成氧化物层，接着用该氧化物层作为掩模蚀刻半导体膜，以形成具有所希望的形状的半导体区域，从而制造使用该半导体区域的半导体器件。在本发明中，不用众所周知的使用抗蚀剂的光刻步骤就能在预定区域中形成具有所希望的形状的半导体区域。

公开(公告)号：CN101202300B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200810003150.2

申请日：2002-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 浜田崇 ,  村上智史 ,  山崎舜平 ,  中村理 ,  梶尾诚之 ,  肥塚纯一 ,  高山彻

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明特征在于，在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上，形成含稀有气体元素的半导体膜，并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且，在第一n-沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n-沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p-沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。

公开(公告)号：CN100559245C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200410071231.8

申请日：2004-07-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  今井馨太郎 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/133 ,  H01L29/786 ,  H05B33/00 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13624 ,  G09G3/20 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/08 ,  G09G2310/0289 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678

Abstract: 当半非晶TFT用于形成信号线驱动器电路和像素时，需要大的幅度来驱动该像素，由此需要高的电源电压。另一方面，当移位寄存器由具有单一导电率的晶体管构成时，需要自举电路，将超过电源的电压施加给特定的元件。因此，利用单一电源并不是可以既实现驱动幅度又实现可靠性的。根据本发明，提供具有单一导电率的电平移位器来解决这样的问题。

公开(公告)号：CN100533808C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200510007056.0

申请日：2005-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中村理 ,  前川慎志 ,  藤井严 ,  伊佐敏行

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/0022 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/3225 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/0251 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/055 ,  H01L51/529

Abstract: 本发明通过提高材料的有效性以及简化步骤来提供了一种显示器件及其制造方法。本发明还提供了形成诸如用于形成显示器件的引线之类的图形的技术，使之具有极佳的可控性的预定形状。制造显示器件的方法包括以下步骤：形成疏液性区域；将激光束选择性地照射到疏液性区域，以形成亲液性区域；在亲液性区域中排放包含导电材料的合成物，以形成栅极电极层；在栅极电极层上形成栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上排放包含导电材料的合成物，以形成源极电极层和漏极电极层；以及在源极电极层或漏极电极层上形成像素电极层。

公开(公告)号：CN100530553C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200410083448.0

申请日：2004-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村理 ,  佐藤淳子

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/498 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明包括用于形成由高熔点金属组成的第一导电层以与一绝缘层相接触的第一步骤；以及用于通过流注包含导电材料的合成物来形成第二导电层以与第一导电层相接触的第二步骤。在通过液滴流注形成第二导电层之前，形成所述第一导电层，并因此，提高了第二导电层的粘合性和抗剥离性。此外，用第一导电层覆盖绝缘层，从而防止绝缘层的损坏或破坏。