公开(公告)号：CN101339899A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810137910.9

申请日：2008-07-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  大沼英人 ,  挂端哲弥 ,  牧野贤一郎

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明的目的在于提供一种SOI衬底的制造方法，该SOI衬底具备即使在使用玻璃衬底等的耐热温度低的衬底时也可以承受实际工作的半导体层。另外，本发明的目的还在于提供使用这种SOI衬底的具有高性能的半导体装置。使用波长为365nm以上且700nm以下的光来对从半导体衬底分离且接合到具有绝缘表面的支撑衬底上的半导体层照射光，并且在将光波长及半导体层的折射率分别设定为λ(nm)及n，m是1以上的自然数(m＝1、2、3、4…)，并且满足0≤α≤10的情况下，照射光的半导体层的厚度d(nm)满足d＝λ/2n×m±α(nm)。可以对半导体层以半导体层的光吸收率大的最适合条件照射能够在半导体层中反射并共振而进行加热处理的光。

公开(公告)号：CN101290876A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810088335.8

申请日：2008-03-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  比嘉荣二 ,  永野庸治 ,  沟井达也 ,  下村明久

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种具有SOI层的SOI基板，该SOI基板即使使用玻璃基板等耐热温度低的基板也可以耐受实际使用。本发明还提供一种使用所述SOI基板的半导体装置。为了将单晶半导体基板接合到玻璃基板等基底基板，接合层例如使用以有机硅烷为原料通过CVD法而形成的氧化硅膜。即使使用玻璃基板等耐热温度为700℃以下的基板，也可以形成接合部具有高结合力的SOI基板。另外，通过将激光照射到从单晶半导体基板分离了的半导体层，将其表面平坦化，并恢复其结晶性。

公开(公告)号：CN101271827A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200710185774.6

申请日：2007-10-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L27/1288 ,  B23K26/0661 ,  B23K26/0732 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70291 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体器件的方法。本发明提供一种方法，通过这种方法可简单和精确地实施薄膜方法并且不使用抗蚀剂。进一步，本发明提供一种以低成本制造半导体器件的方法。在基板之上形成第一层，在该第一层之上形成剥落层，使用激光束从剥落层侧选择性照射该剥落层以减小部分剥落层的粘附性。接着，去除在具有减小的粘附性的部分中的剥落层，并且剥落层的剩余部分用作掩模以选择性刻蚀第一层。

公开(公告)号：CN1925109A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610126730.1

申请日：2006-09-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  B23K26/06

CPC classification number: H01L21/02675 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明的目的在于以低成本且高生产率地制造具有优良的电气特性的半导体器件。本发明的半导体器件的制造方法包括：通过将从单个的光纤激光器发射的激光束照射到半导体膜，使该半导体膜晶化或激活；此外，通过使用耦合器将从多个光纤激光器分别发射的激光束结合为单个的激光束，并且将该被结合了的激光束照射到半导体膜，使该半导体膜晶化或激活。

公开(公告)号：CN1828834A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610006425.9

申请日：2002-09-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  宫入秀和 ,  志贺爱子 ,  下村明久 ,  矶部敦生

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  B23K26/073 ,  B23K101/40

Abstract: 本发明的特征在于通过倾斜入射到凸透镜的激光束，出现诸如像散等的像差，并且激光束的形状在照射表面或其周围区域内形成线状。由于本发明具有非常简单的结构，光线调节较容易，并且器件尺寸变小。此外，由于光束相对于被照体倾斜入射，可防止返回光束。

公开(公告)号：CN1435897A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03102284.7

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。

公开(公告)号：CN107980178A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201680048760.7

申请日：2016-08-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  浜田崇 ,  下村明久 ,  冈本悟 ,  栃林克明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/4763 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/465

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/465 ,  H01L21/47573 ,  H01L21/47635 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供一种微型晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种频率特性高的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种包括该晶体管的半导体装置。提供一种集成度高的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体；第二绝缘体；第二导电体；第三导电体；第四导电体；第五导电体；埋入在形成于第二绝缘体、第二导电体、第三导电体、第四导电体及第五导电体的开口部中的第一导电体及第一绝缘体；第二导电体的侧面及底面与第四导电体接触的区域；以及第三导电体的侧面及底面与第五导电体接触的区域。

公开(公告)号：CN102543833B

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201210025514.3

申请日：2008-03-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  比嘉荣二 ,  永野庸治 ,  沟井达也 ,  下村明久

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/20 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种具有SOI层的SOI基板，该SOI基板即使使用玻璃基板等耐热温度低的基板也可以耐受实际使用。本发明还提供一种使用所述SOI基板的半导体装置。为了将单晶半导体基板接合到玻璃基板等基底基板，接合层例如使用以有机硅烷为原料通过CVD法而形成的氧化硅膜。即使使用玻璃基板等耐热温度为700℃以下的基板，也可以形成接合部具有高结合力的SOI基板。另外，通过将激光照射到从单晶半导体基板分离了的半导体层，将其表面平坦化，并恢复其结晶性。

公开(公告)号：CN101504930B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200910004867.3

申请日：2009-01-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井坂史人 ,  加藤翔 ,  根井孝征 ,  小松立 ,  沟井达也 ,  下村明久

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明的目的之一在于：提供一种可以减少贴合不良，并可以形成大面积的单晶半导体膜的SOI衬底的制造方法。一种SOI衬底的制造方法，其步骤如下：在形成有多个第一单晶半导体膜的第一衬底上形成用作接合层的第一绝缘膜；对第一绝缘膜进行平坦化之后，在第一绝缘膜上贴合单晶半导体膜并进行热处理以形成第二单晶半导体膜；接下来，将第一和第二单晶半导体膜用作种子层形成第三单晶半导体膜；在通过对第三单晶半导体膜引入离子形成脆化层之后，在第三单晶半导体膜上形成用作接合层的第二绝缘膜；将第二衬底贴合在第二绝缘膜上并进行热处理；夹着第二绝缘膜在第二衬底上固定第三单晶半导体膜的一部分。

公开(公告)号：CN101409216B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200810166535.0

申请日：2008-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  挂端哲弥 ,  下村明久 ,  笹川慎也 ,  仓田求

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制造方法，该半导体衬底具备即使是在使用玻璃衬底等耐热温度低的衬底的情况下、也可以实际使用的单晶半导体层。通过激发源气体产生等离子体，从单晶半导体衬底的一个表面添加等离子体中所包含的离子种，从而形成损伤区域；在单晶半导体衬底的一个表面上形成绝缘层；以中间夹着绝缘层的方式而将支撑衬底与单晶半导体衬底紧贴，以使其面对单晶半导体衬底；通过加热单晶半导体衬底，在损伤区域中进行分离，将它分离成贴合有单晶半导体层的支撑衬底和单晶半导体衬底；对贴合在支撑衬底上的单晶半导体层的表面进行干法刻蚀；通过对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层的至少一部分熔化，从而使单晶半导体层再单晶化。