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公开(公告)号：CN113759659A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111050334.6
申请日：2021-09-08
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F1/70
Abstract: 本发明涉及一种光源掩模优化方法，包括：提供待优化掩模图形，所述待优化掩模图形包括斜线图形；将所述待优化掩模图形按照第一方向旋转第一角度，使得所述斜线图形的延伸方向为水平方向或竖直方向；基于旋转后的所述待优化掩模图形进行第一次光源优化，以得到第一优化光源；基于旋转前的所述待优化掩模图形进行第一次掩模优化，以得到第一优化掩模图形；将所述第一优化光源按照第二方向旋转所述第一角度，以得到第二优化光源，所述第二方向与所述第一方向相反；基于所述第一优化掩模图形和所述第二优化光源进行第二次掩模优化，以得到第二优化掩模图形。采用上述光源掩模优化方法，可以得到更加接近目标图形的光刻仿真图形。
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公开(公告)号：CN113608410A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110672856.3
申请日：2021-06-17
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请涉及一种晶圆对准掩膜版生成方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：获取晶圆对准的标识图形；将所述标识图形输入至预设的工艺模型，得到所述工艺模型输出的晶圆对准标识；通过预设的衍射光强模型，得到所述晶圆对准标识的第一衍射光强和第二衍射光强；根据所述第一衍射光强和第二衍射光强，得到所述晶圆对准的关键性能指标；若所述关键性能指标在预设的指标阈值内，则生成掩膜版制备指令；所述掩膜版制备指令用于指示生成所述晶圆对准掩膜版。采用本方法能够提高晶圆对准掩膜版制备的效率。
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公开(公告)号：CN113589654A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110712768.1
申请日：2021-06-25
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明能够提供一种用于优化光刻工艺的方法及装置、计算机存储介质。该方法包括如下步骤：获取目标光刻胶的数据，目标光刻胶的数据包括光刻胶空间数据和光刻胶成分数据；根据该光刻胶空间数据对目标光刻胶占据的空间进行分割，以确定多个单元块。每个单元块上均设置有格点；根据光刻胶成分数据确定目标光刻胶上各个格点位置处的原始状态信息，根据预设工艺参数和原始状态信息确定经过曝光后的目标光刻胶上各个格点位置处的当前状态信息；通过当前状态信息预测显影后的目标光刻胶形貌；本发明能够提前预测出显影后的光刻胶形貌，以指导和优化实际光刻工艺，并有助于对新品种或新类型光刻胶的研发，推进研发进度和降低研发成本。
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公开(公告)号：CN113471093A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110639484.4
申请日：2021-06-08
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体器件的薄膜形貌预测方法及装置。该薄膜形貌预测方法包括如下步骤：读取衬底图像，衬底图像上具有微纳结构图形。从衬底图像中提取出多个表面轮廓位点，多个表面轮廓位点均为处于微纳结构图形边缘的位置点。根据表面轮廓位点的位置和目标工艺参数确定各个表面轮廓位点的预期反应速率。利用预设工艺时间和预期反应速率计算各个表面轮廓位点薄膜厚度变化。根据各个表面轮廓位点薄膜厚度变化更新衬底图像中微纳结构图形边缘的界面，以预测出用于半导体器件的薄膜形貌。本发明提供了用于指导薄膜工艺设计开发和优化的薄膜形貌预测结果，基于本发明方案可达到实现工艺设计预期、降低研发成本及推进研发进度等技术目的。
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公开(公告)号：CN113051863A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110271530.X
申请日：2021-03-12
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明涉及一种半导体建模方法、半导体建模装置、存储介质及计算机设备，包括：获取实际衬底图像；基于所述实际衬底图像，得到衬底表面轮廓上若干坐标位点的坐标信息；基于所述坐标信息，得到各所述坐标位点的反应速率；基于各所述坐标位点的反应速率，对衬底表面的生长轮廓进行演化，以得到所述衬底表面的沉积模型。上述半导体建模方法、装置、存储介质及计算机设备可以更加真实的模拟出衬底上进行薄膜沉积后的形貌及可能出现的孔洞、缝隙等薄膜缺陷，从而对薄膜生长工艺具备更好的指导意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112765893A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202110110769.9
申请日：2021-01-27
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/27 , G06N3/12 , G06F111/04
Abstract: 本发明公开了一种基于遗传算法的掩模侧壁角控制方法、系统、设备及介质，所述掩模侧壁角控制方法包括：在掩模主体图形边缘添加冗余图形；基于遗传算法调控所述冗余图形的添加方式，以确定目标冗余图形添加方式；其中，一组或多组所述目标冗余图形添加方式对应掩模侧壁角的角度。通过引入遗传算法，整个流程可快速，高效地确定一组、或几组目标冗余图形添加方式，其中，一组或多组所述目标冗余图形添加方式对应掩模侧壁角的角度，以实现对精细位置的侧壁角的角度的精准调节，满足光刻工程中特殊工艺对侧壁角的需求，仿真计算可以快速地挑选出比较符合要求的一组或几组冗余图形添加方式，节省人力、物力及财力。
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公开(公告)号：CN119179239A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411602044.1
申请日：2024-11-11
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明公开了一种极紫外光刻胶轮廓的预测方法、预测装置和电子设备，预测方法包括：将目标光刻胶划分为预设数量个体积相同的元胞单元，并进行逐级分组；根据对目标光刻胶曝光后每一元胞单元中各粒子的初始分布数据，计算每级分组中每一计算组的倾向函数值；倾向函数值更新步骤，根据每级分组中每一计算组的当前倾向函数值，通过最小过程法对目标光刻胶进行随机模拟，更新当前选中的细胞单元的倾向函数值以及包含该细胞单元的计算组的倾向函数值；多次重复更新步骤直至后烘结束时刻；根据后烘后目标光刻胶中各粒子的分布数据，预测目标光刻胶显影后的轮廓。本发明提供的技术方案，提升了后烘模拟效率，加快了对极紫外光刻胶轮廓的预测速度。
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公开(公告)号：CN118169974A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410202204.7
申请日：2024-02-23
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明公开一种用于套刻误差量测的采样优化方法、装置、电子设备和存储介质。方法包括：获取晶圆上各曝光场的套刻误差量测数据；利用套刻误差量测数据确定套刻误差补偿模型的参考修正量；根据晶圆中当前剩余的曝光场，确定候选曝光场剔除方案；利用晶圆中除候选曝光场外的其他曝光场的套刻误差量测数据，确定套刻误差补偿模型的候选修正量；根据每个候选曝光场剔除方案各自对应的候选修正量，结合参考修正量，从候选曝光场剔除方案中选出最佳曝光场剔除方案；将最佳曝光场剔除方案所包括的目标曝光场从晶圆中剔除，返回执行确定候选曝光场剔除方案的操作；根据晶圆中剩余的曝光场，确定最佳曝光场采样方案。本发明可保证采样位置和数量准确性。
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公开(公告)号：CN117608172A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311792601.6
申请日：2023-12-22
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种通孔桥连缺陷概率的计算方法及装置，通孔桥连缺陷概率的计算方法包括：获取双重曝光工艺下两层光刻掩膜版图的第一通孔和第二通孔，第一通孔的位置在套刻误差范围内沿预设方向波动，固定第二通孔的位置；划分第一通孔和第二通孔的位置关系；计算每一位置关系中第一通孔和第二通孔之间的距离；获取双重曝光工艺下桥连缺陷的阈值距离；根据阈值距离和每一位置关系中第一通孔和第二通孔之间的距离，确定不同位置关系中的安全区间；根据套刻误差的高斯概率密度分布和不同位置关系中的安全区间，确定发生通孔桥连缺陷的概率。本发明可以快速、准确的计算通孔桥连缺陷的概率。
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公开(公告)号：CN116305773A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211728408.1
申请日：2022-12-30
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G06F30/20 , G06F119/18
Abstract: 本申请提供一种薄膜沉积工艺仿真模型参数优化方法及装置，通过工艺仿真模型，基于将初始衬底轮廓信息、沉积工艺条件和初始半经验系数进行仿真，得到仿真膜层的仿真轮廓信息，初始衬底轮廓为初始结构的表面轮廓信息，根据仿真轮廓信息和实际轮廓信息可以确定仿真预测误差，实际轮廓信息为针对初始结构经过该沉积工艺条件进行沉积之后得到的实际膜层的轮廓信息，以降低仿真预测误差为目的，调整初始半经验参数，在仿真预测误差达到预设误差值时，初始半经验参数被调整为优化半经验参数，提高了参数确定的效率。利用工艺仿真模型，基于优化半经验参数、初始衬底轮廓信息和沉积工艺条件进行沉积工艺仿真，准确模拟实际沉积工艺，利于辅助工艺开发。
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