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公开(公告)号：CN112635325A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011419152.7
申请日：2020-12-07
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上应变硅/锗晶体管及其制备方法。制备方法：在半导体衬底上先制作栅极后形成应变引入层，或者先形成应变引入层后制作栅极。先制作栅极后形成应变引入层的方法是：在半导体衬底的顶层硅或顶层锗上制作栅极；在栅极两侧的顶层硅或顶层锗上分别形成应变引入层；去除应变引入层，对栅极两侧的顶层硅或顶层锗进行掺杂，形成源漏极。先形成应变引入层后制作栅极的方法是：在半导体衬底的顶层硅或顶层锗上形成应变引入层、进行退火处理，去除应变引入层；之后在半导体衬底的顶层硅或顶层锗上形成栅极，并对栅极两侧的顶层硅或顶层锗进行掺杂，形成源漏极。本发明在制备栅极后或之前引入不同方式的应变，提高了沟道迁移率。
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公开(公告)号：CN112050959A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010920554.9
申请日：2020-09-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G01K7/00
Abstract: 本发明提供了一种基于SiC‑MOSFET的温度检测电路及电子设备，在对待测器件进行温度检测的基础上，通过SiC‑MOSFET温度感应模块将检测电流转换为温度检测电压，进而能够减小温度检测电路对电流的依赖特性而提高检测精度。并且迟滞比较模块通过对上限电压和下限电压两个门限电压与温度检测电压进行比较，以通过上限电压和下限电压等效产生一个温度迟滞空间，避免出现温度检测电路频繁交替输出高温报警信号和解除高温报警信号的情况。
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公开(公告)号：CN111721436A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010433667.6
申请日：2020-05-21
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的过温检测电路，属于过温检测电路技术领域，三极管的PN结发射极与场效应管共享一个PGND，相对应的比较电平也对应到同一个电位，场效应管的热能可以通过PGND的金属连线绕过DTI传到三极管的发射极，其次PGND与三极管的B，C端节点在NPN的版图上形成类似于插指电容结构，用于加热NPN的B，C端金属连线，从而加热NPN管，所有以上金属层的面积需要完全覆盖NPN管以实现最佳的热传导。
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公开(公告)号：CN111585438A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010574740.1
申请日：2020-06-22
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H02M3/158
Abstract: 本申请具体涉及一种多相DCDC转换控制电路及方法，所述电路包括并联的多条直流转换支路及控制器，所述控制器通过控制各开关单元的开通时间来改变转换控制电路中导通的直流转换支路的个数，并控制各所述开关单元的开关频率使得所述转换控制电路的工作效率位于预设的第一阈值范围内，所述开关单元包括所述第一开关单元与所述第二开关单元；所述控制器还被配置为通过控制所述第一开关单元的开通占空比实现能量正向传输，并通过控制所述第二开关单元的开通占空比实现能量反向传输。
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公开(公告)号：CN111555737A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010433903.4
申请日：2020-05-21
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H03K3/356
Abstract: 本发明公开了一种可控压摆率N型MOS高边驱动电路，属于驱动电路技术领域，用可控电流对开关的栅极充放电，在充放电完成时，强开或者强关栅极以防止栅极的电压扰动，所有MNx为与衬底隔离的NMOS器件，M0为需驱动的高边N型MOS开关，VHIGH为驱动的电源。最左侧MN0-MN3提供了偏置电路，M1为源级跟随器结构，限制M0栅极的充电电压，实现高边驱动以及可控压摆率的功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119781568A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411953951.0
申请日：2024-12-27
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本申请属于稳压器技术领域，公开了一种参考电压可切换的低压差稳压器及控制方法。该稳压器包括误差放大器、带隙基准源、第一晶体管、第二晶体管、备基准电压电路，带隙基准源的信号输出端输出第一信号时，第一晶体管关闭，第二晶体管导通，由备基准电压电路向误差放大器的负输入端提供第二参考电压；带隙基准源的信号输出端输出第二信号时，第一晶体管导通，第二晶体管关闭，由带隙基准源向误差放大器提供第一参考电压。本申请的低压差稳压器允许在带隙基准源和备基准电压电路之间切换参考电压，以适应不同的输入条件和负载条件；减少了对外部高压器件的依赖，减少器件面积和成本，同时有助于降低电路的功耗。
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公开(公告)号：CN119315980A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202310874256.4
申请日：2023-07-14
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本发明提供一种多数投票电路，将比较电路输出的控制信号输出端，分别与内循环电路的输入端、阈值检测电路的控制信号输入端和投票电路的控制信号输入端相连接，以使内循环电路能够将其所接收到的控制信号，转换为对应的第一时钟信号和第二时钟信号进行输出，且将第二时钟信号作为偏置电压输入至阈值检测电路的偏置电压输入端，以使阈值检测电路，能够依据其所接收到的偏置电压和第一时钟信号，来判断是否开启投票电路，进而无需采用额外的模拟电路，即可为阈值检测电路提供偏置电压，实现了输入信号幅值的检测，进一步降低了多数投票电路的面积和制造成本。
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公开(公告)号：CN113471289B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110548328.7
申请日：2021-05-19
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅衬底及其制备方法。一种绝缘体上硅衬底的制备方法，包括：在背衬硅层上形成掩蔽层；进行光刻和蚀刻，使掩蔽层形成多条沟槽，并且沟槽贯穿掩蔽层且深入背衬硅层中，使背衬硅层的表面被分隔成多个硅线条；去除掩蔽层；沉积第一氧化硅层，第一氧化硅层填充沟槽并覆盖硅线条；减薄第一氧化硅层，使硅线条曝露；形成硅顶层；对硅顶层进行热氧化处理，使其表面形成第二氧化硅层；进行退火处理；在退火之后去除第二氧化硅层。本发明制作的衬底能减小寄生电容，提高运行速度；还能降低漏电，具有更低的功耗；还能消除闩锁效应；还能抑制衬底脉冲电流干扰；同时引入应变。
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公开(公告)号：CN118159118A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410284152.2
申请日：2024-03-12
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请公开了一种自整流隧道结器件的制造方法，可应用于存储器技术领域，该方法包括：提供薄膜结构；薄膜结构从下至上依次包括：衬底层、种子层、人工反铁磁钉扎层、耦合层、参考层、势垒层、自由层以及覆盖层；蚀刻薄膜结构至耦合层上方，得到隧道结结构；蚀刻隧道结结构至衬底层上方，得到底电极蚀刻结构；对底电极蚀刻结构填充底电极金属，得到自整流隧道结器件。如此，基于从下至上包括衬底层、种子层、人工反铁磁钉扎层、耦合层、参考层、势垒层、自由层以及覆盖层的薄膜结构进行蚀刻填充等工艺，使制备的自整流隧道结器件可以集成超高密度的存储器阵列，并自动规避电流串扰问题，从而提高了MRAM存储阵列的存储密度。
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公开(公告)号：CN118116429A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311701862.2
申请日：2023-12-11
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: G11C11/16
Abstract: 一种字线控制电路及磁随机存取存储器。所述字线控制电路包括：控制电路，适于接收读写使能信号及行译码信号，并生成逻辑相反的第一升压控制信号及第二升压控制信号；升压电路，适于在进行不同操作时，基于所述第一升压控制信号及第二升压控制信号，调整所述第一输出端及第二输出端的电压。以及电压选择电路，适于在进行写操作时，将写电压施加至相应字线上，并在所述第二输出端电压的控制下，使得连接至所述第二输出端的通路断开；在进行读操作时，将读电压施加至相应字线上，并在所述第一输出端电压的控制下，使得连接至所述第一输出端的通路断开。采用上述方案，可以避免影响数据正常写入并降低读操作功耗。
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