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公开(公告)号：CN113471288B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202110548134.7
申请日：2021-05-19
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种全耗尽绝缘体上硅衬底、晶体管及其制备方法、用途。全耗尽绝缘体上硅衬底的制备方法：在背衬硅层上形成氧化硅层；进行光刻和蚀刻，使氧化硅形成多条沟槽，并且沟槽贯穿氧化硅层且深入背衬硅层中，使背衬硅层的表面被分隔成多个硅线条，氧化硅层被分隔成多个氧化硅线条；形成硅顶层，硅顶层填充沟槽并覆盖氧化硅线条；减薄硅顶层；在硅顶层表面涂布光刻胶，图形化，以使覆盖氧化硅线条以及相邻氧化硅线条间隔区域的硅顶层表面曝露；进行氧注入；之后退火，以形成氧化硅隔离层。本发明制作的衬底能减小寄生电容，提高运行速度；还能降低漏电，具有更低的功耗；还能消除闩锁效应；还能抑制衬底脉冲电流干扰；同时引入应变。
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公开(公告)号：CN113013287A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110144207.6
申请日：2021-02-02
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/105 , H01L27/144
Abstract: 本发明涉及一种探测器的集成结构及其方法。一种探测器的集成方法：在第一衬底上制作电子电路结构，然后在电子电路结构的表面形成第一介质层，获得衬底A；在第二衬底的表面由下至上依次形成锗缓冲层、堆叠本征层、P型掺杂锗层、第二介质层，获得衬底B；其中，所述堆叠本征层是由Ge1‑xSnx层和Ge1‑ySiy层交替重复堆叠n次而成，0＜x≤0.3，0＜y≤0.3，n≥1；将衬底A和衬底B键合；在键合后去除第二衬底、锗缓冲层，然后在堆叠本征层的表面形成N型掺杂锗层，再制作探测器结构；将电子电路结构和探测器结构互连。本发明将未制作出探测器的衬底键合在电子电路结构衬底中，简化了集成流程，提高了集成度，还解决了无法精确对准的问题。
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公开(公告)号：CN113161434A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110260880.6
申请日：2021-03-10
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/18 , G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种热敏型探测器结构及其集成方法。一种热敏型探测器结构包括：具有读出电路结构的衬底，在所述衬底上依次堆叠有介质层、P型掺杂锗层、本征层和N型掺杂锗层；其中，所述介质层内部具有空腔结构，所述本征层是由Ge1‑xSnx层和Ge层交替堆叠形成的n层结构，0＜x≤0.3，n≥2。本发明具有P‑I‑N悬挂中空结构，光被吸收后可在中空结构中反射到P‑I‑N结构中，相比传统探测器光的吸收率显著提升。
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公开(公告)号：CN113517361A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110262220.1
申请日：2021-03-10
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/18 , G01J5/20 , G01J5/24
Abstract: 本发明涉及一种热敏型探测器结构及其集成方法。一种热敏型探测器结构包括：具有读出电路结构的衬底，在所述衬底上依次堆叠有介质层、P型掺杂锗层、本征层和N型掺杂锗层；其中，所述介质层内部具有空腔结构，所述本征层是由Ge1‑xSnx层和Ge1‑ySiy层交替堆叠形成的n层结构，0＜x≤0.3，0＜y≤0.3，n≥2。本发明具有P‑I‑N悬挂中空结构，光被吸收后可在中空结构中反射到P‑I‑N结构中，相比传统探测器光的吸收率显著提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113471288A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110548134.7
申请日：2021-05-19
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种全耗尽绝缘体上硅衬底、晶体管及其制备方法、用途。全耗尽绝缘体上硅衬底的制备方法：在背衬硅层上形成氧化硅层；进行光刻和蚀刻，使氧化硅形成多条沟槽，并且沟槽贯穿氧化硅层且深入背衬硅层中，使背衬硅层的表面被分隔成多个硅线条，氧化硅层被分隔成多个氧化硅线条；形成硅顶层，硅顶层填充沟槽并覆盖氧化硅线条；减薄硅顶层；在硅顶层表面涂布光刻胶，图形化，以使覆盖氧化硅线条以及相邻氧化硅线条间隔区域的硅顶层表面曝露；进行氧注入；之后退火，以形成氧化硅隔离层。本发明制作的衬底能减小寄生电容，提高运行速度；还能降低漏电，具有更低的功耗；还能消除闩锁效应；还能抑制衬底脉冲电流干扰；同时引入应变。
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公开(公告)号：CN113161435A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110260894.8
申请日：2021-03-10
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/105 , H01L31/18 , G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种热敏型探测器结构及其集成方法。一种热敏型探测器结构包括：具有读出电路结构的衬底，在所述衬底上依次堆叠有介质层、P型掺杂锗层、本征层和N型掺杂锗层；其中，所述介质层内部具有空腔结构，所述本征层是由Ge1‑xSix层和Ge层交替堆叠形成的n层结构，0＜x≤0.3，n≥2。本发明具有P‑I‑N悬挂中空结构，光被吸收后可在中空结构中反射到P‑I‑N结构中，相比传统探测器光的吸收率显著提升。
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公开(公告)号：CN113471289B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110548328.7
申请日：2021-05-19
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅衬底及其制备方法。一种绝缘体上硅衬底的制备方法，包括：在背衬硅层上形成掩蔽层；进行光刻和蚀刻，使掩蔽层形成多条沟槽，并且沟槽贯穿掩蔽层且深入背衬硅层中，使背衬硅层的表面被分隔成多个硅线条；去除掩蔽层；沉积第一氧化硅层，第一氧化硅层填充沟槽并覆盖硅线条；减薄第一氧化硅层，使硅线条曝露；形成硅顶层；对硅顶层进行热氧化处理，使其表面形成第二氧化硅层；进行退火处理；在退火之后去除第二氧化硅层。本发明制作的衬底能减小寄生电容，提高运行速度；还能降低漏电，具有更低的功耗；还能消除闩锁效应；还能抑制衬底脉冲电流干扰；同时引入应变。
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公开(公告)号：CN113517360A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110260904.8
申请日：2021-03-10
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L31/18 , G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种热敏型探测器结构及其集成方法。一种热敏型探测器结构包括：具有读出电路结构的衬底，在所述衬底上依次堆叠有介质层、P型掺杂锗层、本征层和N型掺杂锗层；其中，所述介质层内部具有空腔结构，所述本征层为Ge层。本发明具有P‑I‑N悬挂中空结构，光被吸收后可在中空结构中反射到P‑I‑N结构中，相比传统探测器光的吸收率显著提升。
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公开(公告)号：CN113471289A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110548328.7
申请日：2021-05-19
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅衬底及其制备方法。一种绝缘体上硅衬底的制备方法，包括：在背衬硅层上形成掩蔽层；进行光刻和蚀刻，使掩蔽层形成多条沟槽，并且沟槽贯穿掩蔽层且深入背衬硅层中，使背衬硅层的表面被分隔成多个硅线条；去除掩蔽层；沉积第一氧化硅层，第一氧化硅层填充沟槽并覆盖硅线条；减薄第一氧化硅层，使硅线条曝露；形成硅顶层；对硅顶层进行热氧化处理，使其表面形成第二氧化硅层；进行退火处理；在退火之后去除第二氧化硅层。本发明制作的衬底能减小寄生电容，提高运行速度；还能降低漏电，具有更低的功耗；还能消除闩锁效应；还能抑制衬底脉冲电流干扰；同时引入应变。
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