公开(公告)号：CN119654982A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202380056908.1

申请日：2023-11-21

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 洼内源宜 ,  下泽慎

IPC: H10D30/66 ,  H10D30/01 ,  H10D12/00 ,  H10D12/01 ,  H10D8/00 ,  H10D8/01

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备晶体管部以及并列地配置的二极管部，晶体管部具有供多个台面部中的第一台面部与金属电极接触的第一接触部、以及供多个台面部中的比第一台面部距二极管部更远地配置的第二台面部与金属电极接触的第二接触部，第二接触部的下端配置在比第一接触部的下端更靠上方的位置。

公开(公告)号：CN118743030A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380023606.4

申请日：2023-06-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泽雄生 ,  洼内源宜 ,  大井幸多

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其设置有纵向型，所述纵向型元件具有：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第一注入部，其设置于比所述漂移区更靠下方的位置；以及第二注入部，其设置于比所述漂移区更靠下方的位置，且所述第二注入部的载流子注入效率比所述第一注入部的载流子注入效率低，在所述半导体基板的背面，所述第一注入部的面积比所述第二注入部的面积大，所述纵向型元件具有在预先确定的方向上交替地设置的所述第一注入部和所述第二注入部。

公开(公告)号：CN118435357A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202380015510.3

申请日：2023-07-06

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 洼内源宜 ,  下沢慎 ,  吉村尚

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；层间绝缘膜，其具有接触孔，并设置于所述半导体基板的上方；第一合金层，其在所述接触孔的下方设置于所述半导体基板的上表面；氧化物层，其在所述接触孔中设置于所述第一合金层的上表面；阻挡金属层，其在所述接触孔中设置在所述氧化物层的上方且具有导电性；以及插塞层，其在所述接触孔中设置在所述阻挡金属层的上方。

公开(公告)号：CN118352354A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410002460.1

申请日：2024-01-02

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 洼内源宜 ,  吉田崇一

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够减少向发射电极的漏电流。所述半导体装置具有第一寿命调整区，其设置于半导体基板的上表面侧的第一深度，并且第一寿命调整区的晶格缺陷的密度为第一缺陷密度，第一寿命调整区包括配置在接触区中的在第一方向上距二极管部最近的接触区的下方的区域，在二极管部中设置第一寿命调整区的第一方向上的第一长度为0，或者比在二极管部中不设置第一寿命调整区的第一方向上的第二长度小。

公开(公告)号：CN117916894A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202380013278.X

申请日：2023-03-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 庄司敦 ,  洼内源宜

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，其具有设置于漂移区与半导体基板的上表面之间的第二导电型的基区、配置于比基区更靠近半导体基板的下表面侧的漂移区的第一寿命区、以及被配置为在与半导体基板的上表面平行的第一方向上被夹在第一寿命区之间且载流子寿命比第一寿命区的载流子寿命长的第二寿命区，第二寿命区的第一方向上的宽度是第一寿命区的与半导体基板的上表面垂直的第二方向上的厚度的0.2倍以上。

公开(公告)号：CN111095569B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN201980004053.1

申请日：2019-03-18

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉村尚 ,  小野泽勇一 ,  泷下博 ,  目黑美佐稀 ,  洼内源宜 ,  儿玉奈绪子

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，具备：半导体基板；氢施主，设置在半导体基板的深度方向的内部，具有比半导体基板的掺杂剂的掺杂浓度高的掺杂浓度，在从半导体基板的一个主面起算沿半导体基板的深度方向分开了预先设定的距离的第一位置具有掺杂浓度分布的峰，并在比第一位置更靠一个主面侧的位置具有掺杂浓度比峰小的掺杂浓度分布的拖尾；以及晶体缺陷区，在半导体基板的深度方向上，在比第一位置更浅的位置具有晶体缺陷密度的中心峰。

公开(公告)号：CN114051653A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202180004245.X

申请日：2021-01-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 洼内源宜 ,  吉村尚

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/265

Abstract: 以对半导体基板的预定的面的损伤小的方法容易地形成调整载流子寿命的区域。提供半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面；第一区域，其设置于半导体基板的上表面侧的区域，且在第一深度位置具有第一杂质的第一化学浓度峰；以及第二区域，其在半导体基板中设置于与第一区域不同的区域，且在第一深度位置具有第一杂质的第二化学浓度峰，在第一深度位置，第二区域的复合中心的浓度低于第一区域的复合中心的浓度。

公开(公告)号：CN113892184A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202080038918.9

申请日：2020-12-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉田浩介 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  内田美佐稀 ,  根本道生 ,  菅沼奈央 ,  洼内源宜

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含氧；氢化学浓度的第一峰，其配置在半导体基板的下表面侧；以及平坦部，其配置于比第一峰更靠半导体基板的上表面侧的位置，并包含氢施主，且在半导体基板的深度方向上的施主浓度分布实质上(大致)为平坦，表示氧的氧化学浓度中有助于生成氢施主的氧化学浓度的比例的氧贡献率为1×10‑5以上且7×10‑4以下，在平坦部中，有助于生成氢施主的氧的浓度低于氢化学浓度，平坦部的氢施主浓度为2×1012/cm3以上且5×1014/cm3以下。

公开(公告)号：CN113287201A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202080007299.7

申请日：2020-05-11

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 洼内源宜

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其包含第一导电型的漂移区；内侧区域，其包含设置于半导体基板的上表面与漂移区之间的第二导电型的基区，以及阱区，其掺杂浓度比基区的掺杂浓度高，且从半导体基板的上表面起设置到比基区的下端深的位置为止，并被配置为在半导体基板的上表面夹着内侧区域，内侧区域具有多个沿半导体基板的上表面的预定的长边方向具有长边，并从半导体基板的上表面到达漂移区的沟槽部，至少一个沟槽部在与阱区不重叠的区域中沿长边方向分离为2个以上的部分沟槽。