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公开(公告)号：CN117561612A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202380012492.3
申请日：2023-01-17
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明提供半导体装置(100)，其具备：多个沟槽部，其包括栅极沟槽部(G)和虚设沟槽部(E)，且从半导体基板(10)的上表面起设置到比基区(14)更靠下方的位置；第二导电型的第一下端区(202)，其与包括栅极沟槽部在内的两个以上的沟槽部的下端相接地设置；第二导电型的阱区(11)，其在俯视下配置在与第一下端区不同的位置，从半导体基板的上表面起设置到比基区更靠下方的位置，并且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高；第二导电型的第二下端区(205)，其在俯视下，在第一下端区与阱区之间，与第一下端区和阱区分离地设置，并且与包括栅极沟槽部在内的一个以上的沟槽部的下端相接地设置。
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公开(公告)号：CN113892184B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202080038918.9
申请日：2020-12-10
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H10D12/00 , H10D30/66 , H10D8/00 , H10D8/20 , H10D84/63 , H10D84/40 , H10D84/03 , H01L21/265 , H10D30/01 , H10D8/01 , H10D12/01
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含氧；氢化学浓度的第一峰，其配置在半导体基板的下表面侧；以及平坦部，其配置于比第一峰更靠半导体基板的上表面侧的位置，并包含氢施主，且在半导体基板的深度方向上的施主浓度分布实质上(大致)为平坦，表示氧的氧化学浓度中有助于生成氢施主的氧化学浓度的比例的氧贡献率为1×10‑5以上且7×10‑4以下，在平坦部中，有助于生成氢施主的氧的浓度低于氢化学浓度，平坦部的氢施主浓度为2×1012/cm3以上且5×1014/cm3以下。
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公开(公告)号：CN113892184A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202080038918.9
申请日：2020-12-10
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L21/8234 , H01L21/265 , H01L21/331 , H01L21/329 , H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含氧；氢化学浓度的第一峰，其配置在半导体基板的下表面侧；以及平坦部，其配置于比第一峰更靠半导体基板的上表面侧的位置，并包含氢施主，且在半导体基板的深度方向上的施主浓度分布实质上(大致)为平坦，表示氧的氧化学浓度中有助于生成氢施主的氧化学浓度的比例的氧贡献率为1×10‑5以上且7×10‑4以下，在平坦部中，有助于生成氢施主的氧的浓度低于氢化学浓度，平坦部的氢施主浓度为2×1012/cm3以上且5×1014/cm3以下。
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公开(公告)号：CN117561611A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202380012488.7
申请日：2023-01-17
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 本发明提供半导体装置(100)，其具备：多个沟槽部，其包括栅极沟槽部(G)和虚设沟槽部(E)，且从半导体基板(10)的上表面起设置到比基区(14)更靠下方的位置；第二导电型的第一下端区(202)，其与包括栅极沟槽部在内的两个以上的沟槽部的下端相接地设置；第二导电型的阱区(11)，其在俯视下配置在与第一下端区不同的位置，从半导体基板的上表面起设置到比基区更靠下方的位置，并且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高；第二导电型的第二下端区(205)，其在俯视下，在第一下端区与阱区之间，与第一下端区和阱区分离地设置，并且与包括栅极沟槽部在内的一个以上的沟槽部的下端相接地设置。
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