公开(公告)号：CN113892184B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202080038918.9

申请日：2020-12-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉田浩介 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  内田美佐稀 ,  根本道生 ,  菅沼奈央 ,  洼内源宜

IPC: H10D12/00 ,  H10D30/66 ,  H10D8/00 ,  H10D8/20 ,  H10D84/63 ,  H10D84/40 ,  H10D84/03 ,  H01L21/265 ,  H10D30/01 ,  H10D8/01 ,  H10D12/01

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含氧；氢化学浓度的第一峰，其配置在半导体基板的下表面侧；以及平坦部，其配置于比第一峰更靠半导体基板的上表面侧的位置，并包含氢施主，且在半导体基板的深度方向上的施主浓度分布实质上(大致)为平坦，表示氧的氧化学浓度中有助于生成氢施主的氧化学浓度的比例的氧贡献率为1×10‑5以上且7×10‑4以下，在平坦部中，有助于生成氢施主的氧的浓度低于氢化学浓度，平坦部的氢施主浓度为2×1012/cm3以上且5×1014/cm3以下。

公开(公告)号：CN119092536A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202410480366.7

申请日：2024-04-22

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 樱井洋辅 ,  野口晴司 ,  内藤达也 ,  菅沼奈央 ,  山田拓弥 ,  古川畅昭 ,  浜崎竜太郎

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：有源部、设置于半导体基板的第一导电型的漂移区、设置于所述漂移区的上方的第二导电型的基区、设置于所述半导体基板的上方的栅极焊盘、设置于所述半导体基板的上方的发射电极、在所述有源部中设置于所述半导体基板的正面的栅极沟槽部、以及用于将所述栅极焊盘与所述栅极沟槽部连接的栅极布线部，所述栅极布线部具有沿预先确定的方向延伸的第一栅极沟槽布线部、以及沿与所述第一栅极沟槽布线部不同的方向延伸并与所述第一栅极沟槽布线部在交叉部交叉的第二栅极沟槽布线部，所述发射电极设置于所述交叉部的上方。

公开(公告)号：CN113892184A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202080038918.9

申请日：2020-12-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉田浩介 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  内田美佐稀 ,  根本道生 ,  菅沼奈央 ,  洼内源宜

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含氧；氢化学浓度的第一峰，其配置在半导体基板的下表面侧；以及平坦部，其配置于比第一峰更靠半导体基板的上表面侧的位置，并包含氢施主，且在半导体基板的深度方向上的施主浓度分布实质上(大致)为平坦，表示氧的氧化学浓度中有助于生成氢施主的氧化学浓度的比例的氧贡献率为1×10‑5以上且7×10‑4以下，在平坦部中，有助于生成氢施主的氧的浓度低于氢化学浓度，平坦部的氢施主浓度为2×1012/cm3以上且5×1014/cm3以下。