公开(公告)号：CN117836949A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202380013271.8

申请日：2023-03-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 内田美佐稀 ,  吉村尚 ,  谷口竣太郎

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，具备：第一导电型的漂移区，其设置于具有正面和背面的半导体基板；以及第一导电型的缓冲区，其设置于比所述漂移区更靠所述半导体基板的所述背面侧的位置，所述缓冲区具有包括掺杂浓度的一个或多个浓度峰的浓度峰组，所述浓度峰组包括第一浓度峰，所述第一浓度峰是在所述半导体基板的深度方向上，在所述一个或多个浓度峰中设置于最靠所述半导体基板的所述背面侧的浓度峰，所述半导体基板包括第一氢峰，所述第一氢峰示在所述半导体基板的深度方向上设置于与所述第一浓度峰的深度位置相同的位置或者比所述第一浓度峰的深度位置更靠所述半导体基板的所述背面侧的位置处的氢的原子密度的峰。

公开(公告)号：CN116895637A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310166963.8

申请日：2023-02-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉村尚 ,  下沢慎 ,  洼内源宜 ,  内田美佐稀

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L29/423 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法，所述半导体装置具备设置于半导体基板的MOS栅极结构，所述半导体装置具备：层间绝缘膜，其具有接触孔，并且设置在所述半导体基板的上方；导电性的第一阻挡金属层，其在所述接触孔中设置在所述层间绝缘膜的侧壁；导电性的第二阻挡金属层，其在所述接触孔中层叠在所述第一阻挡金属层；以及硅化物层，其在所述接触孔的下方设置在所述半导体基板的上表面，所述第一阻挡金属层比所述第二阻挡金属层更致密，并且膜厚是1nm以上且10nm以下。

公开(公告)号：CN114467180A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202180005478.1

申请日：2021-04-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 洼内源宜 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  内田美佐稀 ,  根本道生

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L27/07 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，并包含体施主；第一导电型的缓冲区，其配置在半导体基板的下表面侧，并包含氢施主，并且半导体基板的深度方向上的掺杂浓度分布具有单个的第一掺杂浓度峰；第一导电型的高浓度区，其配置在缓冲区与半导体基板的上表面之间，并包含氢施主，并且施主浓度比体施主浓度高；第一导电型或第二导电型的下表面区，其配置在缓冲区与半导体基板的下表面之间，掺杂浓度比高浓度区的掺杂浓度高。

公开(公告)号：CN113892184B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202080038918.9

申请日：2020-12-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉田浩介 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  内田美佐稀 ,  根本道生 ,  菅沼奈央 ,  洼内源宜

IPC: H10D12/00 ,  H10D30/66 ,  H10D8/00 ,  H10D8/20 ,  H10D84/63 ,  H10D84/40 ,  H10D84/03 ,  H01L21/265 ,  H10D30/01 ,  H10D8/01 ,  H10D12/01

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含氧；氢化学浓度的第一峰，其配置在半导体基板的下表面侧；以及平坦部，其配置于比第一峰更靠半导体基板的上表面侧的位置，并包含氢施主，且在半导体基板的深度方向上的施主浓度分布实质上(大致)为平坦，表示氧的氧化学浓度中有助于生成氢施主的氧化学浓度的比例的氧贡献率为1×10‑5以上且7×10‑4以下，在平坦部中，有助于生成氢施主的氧的浓度低于氢化学浓度，平坦部的氢施主浓度为2×1012/cm3以上且5×1014/cm3以下。

公开(公告)号：CN115516642A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202180030637.3

申请日：2021-11-11

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 谷口竣太郎 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  内田美佐稀

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其设置有漂移区；以及缓冲区，其配置在漂移区与下表面之间，并且浓度比漂移区的浓度高，掺杂浓度分布具有最深斜坡，所述最深斜坡的掺杂浓度在从半导体基板的下表面朝向上表面的方向上单调地减小到与漂移区相接的位置，缓冲区中的氢化学浓度分布在设置有最深斜坡的第一深度范围内具备：第一减小部，其氢化学浓度朝向上表面侧减小；第二减小部，其位于比第一减小部更靠上表面侧的位置，并且氢化学浓度减小；以及中间部，其配置在第一减小部与第二减小部之间，中间部具有氢化学浓度分布均匀的平坦部、氢化学浓度的斜坡内峰、或者氢化学浓度的转折部。

公开(公告)号：CN115443541A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202180030568.6

申请日：2021-11-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 内田美佐稀 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  谷口竣太郎 ,  野口晴司 ,  樱井洋辅

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：缓冲区，其掺杂浓度比体施主浓度高；第一低浓度氢峰，其配置于缓冲区；第二低浓度氢峰，其在缓冲区配置在比第一低浓度氢峰更靠近下表面的位置；高浓度氢峰，其在缓冲区配置在比第二低浓度氢峰更靠近下表面的位置，并且氢化学浓度比所述第二低浓度氢峰高；平坦区，其包括第一低浓度氢峰与第二低浓度氢峰之间的区域、以及设置有第二低浓度氢峰的区域，所述平坦区的掺杂浓度高于体施主浓度，并且掺杂浓度的平均值是第二低浓度氢峰与高浓度氢峰之间的掺杂浓度的极小值以下。

公开(公告)号：CN113892184A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202080038918.9

申请日：2020-12-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉田浩介 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  内田美佐稀 ,  根本道生 ,  菅沼奈央 ,  洼内源宜

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L27/088 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含氧；氢化学浓度的第一峰，其配置在半导体基板的下表面侧；以及平坦部，其配置于比第一峰更靠半导体基板的上表面侧的位置，并包含氢施主，且在半导体基板的深度方向上的施主浓度分布实质上(大致)为平坦，表示氧的氧化学浓度中有助于生成氢施主的氧化学浓度的比例的氧贡献率为1×10‑5以上且7×10‑4以下，在平坦部中，有助于生成氢施主的氧的浓度低于氢化学浓度，平坦部的氢施主浓度为2×1012/cm3以上且5×1014/cm3以下。

公开(公告)号：CN117242553A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280032245.5

申请日：2022-09-30

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉村尚 ,  下沢慎 ,  洼内源宜 ,  内田美佐稀

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：从半导体基板的正面侧形成寿命控制区的步骤；在接触孔的底面以离子方式注入Ti的步骤，所述接触孔贯通配置于半导体基板的正面上的层间绝缘膜而设置；以及利用退火在接触孔的底面形成Ti硅化物层的步骤。另外，提供一种半导体装置，具备：半导体基板，其具有晶体管部和二极管部；以及层间绝缘膜，其配置于半导体基板的正面上，并且被贯通地设置有接触孔，半导体基板从二极管部起遍及晶体管部的至少一部分，具有从半导体基板的正面起形成的寿命控制区，在接触孔的底面设置有Ti硅化物层，在接触孔的侧壁，TiN层与层间绝缘膜相接而设置。

公开(公告)号：CN115207114A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210347147.2

申请日：2022-04-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 樱井洋辅 ,  野口晴司 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  内田美佐稀

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/36 ,  H01L21/331 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供半导体装置和制造方法，在深度方向上较长地形成高浓度区。半导体装置设置有IGBT，并具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且整体地分布有体施主；氢峰，其氢化学浓度示出极大值，并包含在深度方向上距半导体基板的下表面25μm以上而配置的顶点、氢化学浓度从顶点朝向上表面减小的上侧拖尾、以及氢化学浓度从顶点朝向下表面且比上侧拖尾平缓地减小的下侧拖尾；以及第一高浓度区，其施主浓度高于体施主浓度且包含从氢峰的顶点朝向上表面延伸4μm以上的区域。

公开(公告)号：CN114467182A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202180005544.5

申请日：2021-04-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 内田美佐稀 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  洼内源宜 ,  根本道生

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/322 ,  H01L21/265

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的缓冲区，其配置于半导体基板的下表面侧，并具有两个以上的掺杂浓度峰；第一导电型的高浓度区，其配置于缓冲区与半导体基板的上表面之间，在深度方向上具有50μm以上的长度，且施主浓度比体施主浓度高；以及第一导电型或第二导电型的下表面区域，其配置于缓冲区与半导体基板的下表面之间，且掺杂浓度比高浓度区的掺杂浓度高，缓冲区的掺杂浓度峰中的最接近半导体基板的下表面的最浅掺杂浓度峰是浓度比其他的掺杂浓度峰高的氢施主的浓度峰，最浅掺杂浓度峰的峰浓度A与其他的掺杂浓度峰的平均峰浓度B之比A/B为200以下。