公开(公告)号：CN107180855B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN201710138246.9

申请日：2017-03-09

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小野泽勇一 ,  大井幸多 ,  内藤达也 ,  高桥美咲

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/10

Abstract: 本发明提供具有接触区的半导体装置。所述半导体装置具备：半导体基板；多个第一沟槽部，形成在半导体基板的正面侧，并在俯视时沿预定的延伸方向延伸；第一导电型的发射极区，在多个第一沟槽部的相邻的沟槽之间，形成在半导体基板的正面侧；第二导电型的第一接触区，形成在多个第一沟槽部的相邻的沟槽之间，并在延伸方向上与发射极区交替地配置；第二导电型的第二接触区，在第一接触区的上方与发射极区分离地形成，且与第一接触区相比为高掺杂浓度。

公开(公告)号：CN109075191B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201780019961.9

申请日：2017-10-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大井幸多 ,  小野泽勇一 ,  伊仓巧裕

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；第一导电型的漂移区，其形成于半导体基板；第二导电型的集电区，其在半导体基板形成于半导体基板的下表面与漂移区之间；以及第一导电型的高浓度区，其在半导体基板形成于漂移区与集电区之间，且掺杂浓度比所述漂移区高，半导体基板的深度方向上的高浓度区的掺杂浓度分布具有一个以上的峰，高浓度区的掺杂浓度分布的峰中的最靠所述半导体基板的下表面侧的第一峰与半导体基板的下表面之间的距离为3μm以下。

公开(公告)号：CN107851666B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201780002602.2

申请日：2017-02-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小野泽勇一 ,  大井幸多

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 提供一种半导体装置，具备：半导体基板；第一导电型的漂移层，其形成于半导体基板；第二导电型的基区，其在半导体基板，形成于漂移层的上方；以及第一导电型的积累层，其设置于漂移层与基区之间，且浓度比漂移层高浓度，积累层具有第一积累区和第二积累区，所述第二积累区在俯视时积累层与不同区域的边界侧，形成得比第一积累区浅。

公开(公告)号：CN113454789A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202080011718.4

申请日：2020-08-04

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大井幸多 ,  伊仓巧裕 ,  樱井洋辅 ,  北村睦美 ,  小野泽勇一 ,  加藤由晴 ,  安喰彻

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；以及第一导电型的缓冲区，其设置于漂移区与半导体基板的下表面之间，并在半导体基板的深度方向上具有3个以上的掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的浓度峰，3个以上的浓度峰包含：最浅峰，其最接近半导体基板的下表面；高浓度峰，其配置于比最浅峰更远离半导体基板的下表面的位置；以及低浓度峰，其配置于比高浓度峰更远离半导体基板的下表面的位置，且掺杂浓度为高浓度峰的掺杂浓度的1/5以下。

公开(公告)号：CN107851666A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201780002602.2

申请日：2017-02-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小野泽勇一 ,  大井幸多

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8613

Abstract: 提供一种半导体装置，具备：半导体基板；第一导电型的漂移层，其形成于半导体基板；第二导电型的基区，其在半导体基板，形成于漂移层的上方；以及第一导电型的积累层，其设置于漂移层与基区之间，且浓度比漂移层高浓度，积累层具有第一积累区和第二积累区，所述第二积累区在俯视时积累层与不同区域的边界侧，形成得比第一积累区浅。

公开(公告)号：CN107180855A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710138246.9

申请日：2017-03-09

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小野泽勇一 ,  大井幸多 ,  内藤达也 ,  高桥美咲

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53257 ,  H01L27/0716 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/06 ,  H01L27/10

Abstract: 本发明提供具有接触区的半导体装置。所述半导体装置具备：半导体基板；多个第一沟槽部，形成在半导体基板的正面侧，并在俯视时沿预定的延伸方向延伸；第一导电型的发射极区，在多个第一沟槽部的相邻的沟槽之间，形成在半导体基板的正面侧；第二导电型的第一接触区，形成在多个第一沟槽部的相邻的沟槽之间，并在延伸方向上与发射极区交替地配置；第二导电型的第二接触区，在第一接触区的上方与发射极区分离地形成，且与第一接触区相比为高掺杂浓度。

公开(公告)号：CN109075191A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780019961.9

申请日：2017-10-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大井幸多 ,  小野泽勇一 ,  伊仓巧裕

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；第一导电型的漂移区，其形成于半导体基板；第二导电型的集电区，其在半导体基板形成于半导体基板的下表面与漂移区之间；以及第一导电型的高浓度区，其在半导体基板形成于漂移区与集电区之间，且掺杂浓度比所述漂移区高，半导体基板的深度方向上的高浓度区的掺杂浓度分布具有一个以上的峰，高浓度区的掺杂浓度分布的峰中的最靠所述半导体基板的下表面侧的第一峰与半导体基板的下表面之间的距离为3μm以下。

公开(公告)号：CN107949915A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201780002977.9

申请日：2017-03-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小川惠理 ,  小野泽勇一 ,  杉村和俊 ,  田中裕之 ,  大井幸多 ,  伊仓巧裕

IPC: H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 以较高的精度控制金属电极的侧壁位置、且提高金属电极的上方的层的覆盖率。提供一种半导体装置，其具备半导体基板和形成于半导体基板的上表面的上方的金属电极，金属电极的侧壁具有与半导体基板接触的下侧部分和形成于比下侧部分更靠近上方的位置且相对于半导体基板的上表面的倾斜角比下侧部分小的上侧部分。还具备形成于半导体基板的有源区，金属电极可以是在半导体基板的上表面比有源区更靠近外侧而形成的场板。场板的侧壁的上侧部分可以是向上侧凸起的形状。

公开(公告)号：CN107204360A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710107383.6

申请日：2017-02-27

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 田中裕之 ,  大井幸多 ,  小野泽勇一 ,  伊仓巧裕 ,  杉村和俊

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L21/288 ,  H01L23/535 ,  H01L23/58 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/401 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L29/0611 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0296 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0688

Abstract: 本发明提供容易微细加工的保护环部。还提供一种半导体装置，具备：半导体基板；有源区，其形成于半导体基板；以及保护环部，其在半导体基板形成于有源区的外侧，保护环部具有：保护环，其呈环状地形成在半导体基板的上表面；层间绝缘膜，其形成于保护环的上方；场板，其沿着保护环在层间绝缘膜的上方形成为环状；以及钨插塞，其沿着保护环形成为环状，贯穿层间绝缘膜而将保护环与场板连接。

公开(公告)号：CN118743030A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380023606.4

申请日：2023-06-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泽雄生 ,  洼内源宜 ,  大井幸多

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其设置有纵向型，所述纵向型元件具有：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第一注入部，其设置于比所述漂移区更靠下方的位置；以及第二注入部，其设置于比所述漂移区更靠下方的位置，且所述第二注入部的载流子注入效率比所述第一注入部的载流子注入效率低，在所述半导体基板的背面，所述第一注入部的面积比所述第二注入部的面积大，所述纵向型元件具有在预先确定的方向上交替地设置的所述第一注入部和所述第二注入部。