公开(公告)号：CN107833914B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201710749648.2

申请日：2017-08-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 白川彻 ,  田中裕之

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置。RC‑IGBT与具有IGBT部但不具有FWD部的半导体芯片相比，设置FWD部的部分使得半导体芯片的芯片面积变大。寻求缩小RC‑IGBT的半导体芯片的芯片面积。本发明的半导体装置具备：晶体管部，具有多个晶体管；续流二极管部，在俯视晶体管部的情况下，续流二极管部至少与晶体管部的一边对置，且设置于晶体管部的外侧；以及栅流道部和栅衬垫部，在俯视晶体管部的情况下，栅流道部和栅衬垫部与晶体管部接触地设置，并且不包围晶体管部的整个外侧。

公开(公告)号：CN116247075A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310322912.X

申请日：2017-02-27

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 田中裕之 ,  大井幸多 ,  小野泽勇一 ,  伊仓巧裕 ,  杉村和俊

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供容易微细加工的保护环部。还提供一种半导体装置，具备：半导体基板；有源区，其形成于半导体基板；以及保护环部，其在半导体基板形成于有源区的外侧，保护环部具有：保护环，其呈环状地形成在半导体基板的上表面；层间绝缘膜，其形成于保护环的上方；场板，其沿着保护环在层间绝缘膜的上方形成为环状；以及钨插塞，其沿着保护环形成为环状，贯穿层间绝缘膜而将保护环与场板连接。

公开(公告)号：CN107949915B

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN201780002977.9

申请日：2017-03-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小川惠理 ,  小野泽勇一 ,  杉村和俊 ,  田中裕之 ,  大井幸多 ,  伊仓巧裕

IPC: H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 以较高的精度控制金属电极的侧壁位置、且提高金属电极的上方的层的覆盖率。提供一种半导体装置，其具备半导体基板和形成于半导体基板的上表面的上方的金属电极，金属电极的侧壁具有与半导体基板接触的下侧部分和形成于比下侧部分更靠近上方的位置且相对于半导体基板的上表面的倾斜角比下侧部分小的上侧部分。还具备形成于半导体基板的有源区，金属电极可以是在半导体基板的上表面比有源区更靠近外侧而形成的场板。场板的侧壁的上侧部分可以是向上侧凸起的形状。

公开(公告)号：CN107833914A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710749648.2

申请日：2017-08-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 白川彻 ,  田中裕之

IPC: H01L29/739 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/24 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/417 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L29/7393 ,  H01L27/0629

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置。RC-IGBT与具有IGBT部但不具有FWD部的半导体芯片相比，设置FWD部的部分使得半导体芯片的芯片面积变大。寻求缩小RC-IGBT的半导体芯片的芯片面积。本发明的半导体装置具备：晶体管部，具有多个晶体管；续流二极管部，在俯视晶体管部的情况下，续流二极管部至少与晶体管部的一边对置，且设置于晶体管部的外侧；以及栅流道部和栅衬垫部，在俯视晶体管部的情况下，栅流道部和栅衬垫部与晶体管部接触地设置，并且不包围晶体管部的整个外侧。

公开(公告)号：CN107949915A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201780002977.9

申请日：2017-03-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小川惠理 ,  小野泽勇一 ,  杉村和俊 ,  田中裕之 ,  大井幸多 ,  伊仓巧裕

IPC: H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/404 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395

Abstract: 以较高的精度控制金属电极的侧壁位置、且提高金属电极的上方的层的覆盖率。提供一种半导体装置，其具备半导体基板和形成于半导体基板的上表面的上方的金属电极，金属电极的侧壁具有与半导体基板接触的下侧部分和形成于比下侧部分更靠近上方的位置且相对于半导体基板的上表面的倾斜角比下侧部分小的上侧部分。还具备形成于半导体基板的有源区，金属电极可以是在半导体基板的上表面比有源区更靠近外侧而形成的场板。场板的侧壁的上侧部分可以是向上侧凸起的形状。

公开(公告)号：CN107204360A

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201710107383.6

申请日：2017-02-27

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 田中裕之 ,  大井幸多 ,  小野泽勇一 ,  伊仓巧裕 ,  杉村和俊

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L21/288 ,  H01L23/535 ,  H01L23/58 ,  H01L23/585 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/401 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L29/0611 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0296 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0688

Abstract: 本发明提供容易微细加工的保护环部。还提供一种半导体装置，具备：半导体基板；有源区，其形成于半导体基板；以及保护环部，其在半导体基板形成于有源区的外侧，保护环部具有：保护环，其呈环状地形成在半导体基板的上表面；层间绝缘膜，其形成于保护环的上方；场板，其沿着保护环在层间绝缘膜的上方形成为环状；以及钨插塞，其沿着保护环形成为环状，贯穿层间绝缘膜而将保护环与场板连接。