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公开(公告)号：CN112055887B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201980028305.4
申请日：2019-11-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/322 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种具备半导体基板的半导体装置，半导体基板具有含有氢的含氢区域，含氢区域在至少一部分区域含有氦，含氢区域的深度方向上的氢化学浓度分布具有1个以上的氢浓度谷部，在各氢浓度谷部中，氢化学浓度是氧化学浓度的1/10以上。在至少一个氢浓度谷部中，氢化学浓度可以是氦化学浓度以上。
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公开(公告)号：CN112055887A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201980028305.4
申请日：2019-11-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/322 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种具备半导体基板的半导体装置，半导体基板具有含有氢的含氢区域，含氢区域在至少一部分区域含有氦，含氢区域的深度方向上的氢化学浓度分布具有1个以上的氢浓度谷部，在各氢浓度谷部中，氢化学浓度是氧化学浓度的1/10以上。在至少一个氢浓度谷部中，氢化学浓度可以是氦化学浓度以上。
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公开(公告)号：CN113632236A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080024662.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/36 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/082 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备具有上表面和下表面并包含体施主的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布除了设置有局部的氢浓度峰的部分以外，从下表面到上表面为止是平坦的且单调地增加或单调地减小，半导体基板的施主浓度遍及从上表面到下表面为止的整个半导体基板而高于体施主浓度。可以以在深度方向上贯穿半导体基板的方式从半导体基板的上表面或下表面照射氢离子。
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公开(公告)号：CN112219263A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201980028584.4
申请日：2019-11-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/322 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，具备半导体基板，半导体基板具有含氢的含氢区，含氢区具有载流子浓度比根据所含有的氢的浓度和氢的活化率确定的虚拟载流子浓度高的高浓度区。半导体基板具有N型的漂移区、以与半导体基板的上表面接触的方式设置且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的发射区、设置在发射区与漂移区之间的P型的基区、以与半导体基板的下表面接触的方式设置的P型的集电区、以及设置在集电区与漂移区之间且载流子浓度比漂移区的载流子浓度高的N型的缓冲区，含氢区被包含在缓冲区中。
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公开(公告)号：CN111834440B
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202010115605.0
申请日：2020-02-25
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种改善半导体装置的动态特性的半导体装置。所述半导体装置具备：晶体管，其具有多个栅极构造部；以及二极管部，其在半导体基板的下表面具有阴极区，各栅极构造部具有：栅极沟槽部；第一导电型的发射区，其在半导体基板的上表面与漂移区之间与栅极沟槽部接触地设置，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；以及第二导电型的基区，在发射区与漂移区之间与栅极沟槽部接触地设置，在俯视下，距阴极区的距离最近的栅极构造部的第一阈值比距阴极区的距离最远的栅极构造部的第二阈值低0.1V以上且低1V以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113454789A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202080011718.4
申请日：2020-08-04
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；以及第一导电型的缓冲区，其设置于漂移区与半导体基板的下表面之间，并在半导体基板的深度方向上具有3个以上的掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的浓度峰，3个以上的浓度峰包含：最浅峰，其最接近半导体基板的下表面；高浓度峰，其配置于比最浅峰更远离半导体基板的下表面的位置；以及低浓度峰，其配置于比高浓度峰更远离半导体基板的下表面的位置，且掺杂浓度为高浓度峰的掺杂浓度的1/5以下。
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公开(公告)号：CN111834440A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010115605.0
申请日：2020-02-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L27/06
Abstract: 本发明提供一种改善半导体装置的动态特性的半导体装置。所述半导体装置具备：晶体管，其具有多个栅极构造部；以及二极管部，其在半导体基板的下表面具有阴极区，各栅极构造部具有：栅极沟槽部；第一导电型的发射区，其在半导体基板的上表面与漂移区之间与栅极沟槽部接触地设置，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；以及第二导电型的基区，在发射区与漂移区之间与栅极沟槽部接触地设置，在俯视下，距阴极区的距离最近的栅极构造部的第一阈值比距阴极区的距离最远的栅极构造部的第二阈值低0.1V以上且低1V以下。
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公开(公告)号：CN114730805A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202180006775.8
申请日：2021-04-22
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置具备半导体基板，该半导体基板具有晶体管部和二极管部，半导体基板具有设置于内部的第一导电型的漂移区，晶体管部具有：晶体管区，其在俯视半导体基板时与二极管部分离；以及边界区，其在俯视半导体基板时位于晶体管区与二极管部之间，并且在漂移区中，在半导体基板的正面侧具有寿命控制区，边界区具有电流抑制结构。
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公开(公告)号：CN113875016A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202080038621.2
申请日：2020-12-14
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；掺杂浓度的多个峰，其设置在半导体基板的背面；平坦部，其在半导体基板的深度方向上设置在多个峰之间，并且具有半导体基板的基板浓度的2.5倍以上的掺杂浓度，多个峰中的至少一者为设置在比平坦部更靠正面侧的位置的第一峰，第一峰的掺杂浓度是平坦部的掺杂浓度的2倍以下。
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公开(公告)号：CN112470288A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201980049420.X
申请日：2019-12-03
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/8234 , H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L29/78
Abstract: 在半导体装置中，优选雪崩耐量高。提供一种半导体装置，具备：半导体基板；晶体管部，其在与半导体基板的上表面接触的区域具有发射区；二极管部，其在与半导体基板的下表面接触的区域具有阴极区并且在除阴极区以外的区域具有第二导电型的重叠区，并且在半导体基板的上表面在预定的排列方向上与晶体管部并列地配置；以及层间绝缘膜，其设置于半导体基板与发射电极之间并设置有用于将发射电极与二极管部连接的接触孔，重叠区以第一长度设置在发射区的端部与阴极区的端部之间，重叠区以第二长度设置在接触孔的端部与阴极区的端部之间，第一长度大于第二长度。
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