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公开(公告)号：CN111095569B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201980004053.1
申请日：2019-03-18
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/868
Abstract: 提供一种半导体装置，具备：半导体基板；氢施主，设置在半导体基板的深度方向的内部，具有比半导体基板的掺杂剂的掺杂浓度高的掺杂浓度，在从半导体基板的一个主面起算沿半导体基板的深度方向分开了预先设定的距离的第一位置具有掺杂浓度分布的峰，并在比第一位置更靠一个主面侧的位置具有掺杂浓度比峰小的掺杂浓度分布的拖尾；以及晶体缺陷区，在半导体基板的深度方向上，在比第一位置更浅的位置具有晶体缺陷密度的中心峰。
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公开(公告)号：CN113632236A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080024662.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/36 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/082 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备具有上表面和下表面并包含体施主的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布除了设置有局部的氢浓度峰的部分以外，从下表面到上表面为止是平坦的且单调地增加或单调地减小，半导体基板的施主浓度遍及从上表面到下表面为止的整个半导体基板而高于体施主浓度。可以以在深度方向上贯穿半导体基板的方式从半导体基板的上表面或下表面照射氢离子。
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公开(公告)号：CN113169123B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202080005857.6
申请日：2020-05-15
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备设置有N型区的半导体基板，N型区是包括半导体基板的深度方向上的中央位置的区域，N型区在中央位置包含浓度为载流子浓度的0.001倍以上的受主。半导体装置能够通过如下制造方法制造，该制造方法具备：准备P型的半导体基板的准备步骤、以及通过向P型的半导体基板注入N型的杂质并进行热处理，从而形成包括半导体基板的深度方向上的中央位置的N型区的第一反转步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113632236B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202080024662.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/36 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/082 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备具有上表面和下表面并包含体施主的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布除了设置有局部的氢浓度峰的部分以外，从下表面到上表面为止是平坦的、或单调地增加或单调地减小，半导体基板的施主浓度遍及从上表面到下表面为止的整个半导体基板而高于体施主浓度。可以以在深度方向上贯穿半导体基板的方式从半导体基板的上表面或下表面照射氢离子。
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公开(公告)号：CN111886682B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN201980021045.8
申请日：2019-10-11
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置，在深度方向上，氢浓度分布具有第一氢浓度峰和第二氢浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，第一氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，第二氢浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，该第二深度以下表面为基准时比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用第二氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用第一氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。
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公开(公告)号：CN113169123A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202080005857.6
申请日：2020-05-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336
Abstract: 提供一种半导体装置，其具备设置有N型区的半导体基板，N型区是包括半导体基板的深度方向上的中央位置的区域，N型区在中央位置包含浓度为载流子浓度的0.001倍以上的受主。半导体装置能够通过如下制造方法制造，该制造方法具备：准备P型的半导体基板的准备步骤、以及通过向P型的半导体基板注入N型的杂质并进行热处理，从而形成包括半导体基板的深度方向上的中央位置的N型区的第一反转步骤。
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公开(公告)号：CN111886682A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201980021045.8
申请日：2019-10-11
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 提供一种半导体装置，在深度方向上，氢浓度分布具有第一氢浓度峰和第二氢浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，第一氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，第二氢浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，该第二深度以下表面为基准时比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用第二氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用第一氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。
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公开(公告)号：CN111095569A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004053.1
申请日：2019-03-18
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L21/322 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/868
Abstract: 提供一种半导体装置，具备：半导体基板；氢施主，设置在半导体基板的深度方向的内部，具有比半导体基板的掺杂剂的掺杂浓度高的掺杂浓度，在从半导体基板的一个主面起算沿半导体基板的深度方向分开了预先设定的距离的第一位置具有掺杂浓度分布的峰，并在比第一位置更靠一个主面侧的位置具有掺杂浓度比峰小的掺杂浓度分布的拖尾；以及晶体缺陷区，在半导体基板的深度方向上，在比第一位置更浅的位置具有晶体缺陷密度的中心峰。
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