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公开(公告)号：CN113632236B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202080024662.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/36 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/082 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备具有上表面和下表面并包含体施主的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布除了设置有局部的氢浓度峰的部分以外，从下表面到上表面为止是平坦的、或单调地增加或单调地减小，半导体基板的施主浓度遍及从上表面到下表面为止的整个半导体基板而高于体施主浓度。可以以在深度方向上贯穿半导体基板的方式从半导体基板的上表面或下表面照射氢离子。
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公开(公告)号：CN114097079A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202080047123.4
申请日：2020-11-30
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本申请提供一种半导体装置，其具备具有晶体管部和二极管部的半导体基板，在晶体管部的俯视半导体基板时的二极管部侧的端部，晶体管部具有抑制第二导电型载流子的注入的注入抑制区。晶体管部和二极管部两者在半导体基板的正面具有第二导电型的基区，晶体管部在半导体基板的正面还具有第一导电型的发射区和掺杂浓度比基区的掺杂浓度高的第二导电型的抽出区，在注入抑制区未设置发射区和抽出区。
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公开(公告)号：CN118676194A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410807463.2
申请日：2019-12-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其在深度方向上，氢浓度分布具有氢浓度峰，氦浓度分布具有氦浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，氦浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，以该半导体装置的下表面为基准时，所述第二深度比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用氦浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。
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公开(公告)号：CN107112370A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680004883.0
申请日：2016-06-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/868
Abstract: 提供如下一种半导体装置：即使在作为初始材料的母材晶圆所含有的碳、氧的杂质浓度不同的情况下，也能够使照射电子射线后的处理晶圆之间的能级不同的各种复合缺陷的构成比率成为同等，从而器件特性的偏差的调整变得容易。例如具备：第一导电型的漂移区(11)，其具有通过电子射线等的照射而产生的晶体缺陷；第一导电型的第一主电极区(13)，其配置于漂移区(11)的一部分，该第一主电极区的杂质浓度比漂移区(11)的杂质浓度高；以及第二导电型的第二主电极区(12)，其以与第一主电极区13相离的方式配置于漂移区(11)的另一部分，其中，晶体缺陷包括由空位和氧构成的第一复合缺陷以及由碳和氧构成的第二复合缺陷，该晶体缺陷的缺陷密度被设定为：在深能级瞬态谱法的测定中鉴定的第一复合缺陷的能级的信号峰强度为第二复合缺陷的能级的信号峰强度的5倍以上。
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公开(公告)号：CN104662667B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201380047787.0
申请日：2013-11-21
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L29/0619 , H01L29/404 , H01L29/408 , H01L29/4941 , H01L29/7395 , H01L29/7811 , H01L29/861
Abstract: 包围活性区域(101)周围的边缘终端区域(100)具有电场缓和机构，该电场缓和机构包括保护环(2)、与保护环(2)接触的第一场板(4)以及以夹持层间绝缘膜(5)的方式设置在第一场板(4)上的第二场板(7)。第二场板(7)的厚度比第一场板(4)的厚度厚。第二场板(7)之间的间隔比第一场板(4)之间的间隔宽。在第二场板(7)与层间绝缘膜(5)之间设置有与第二场板(7)导电接触的势垒金属膜(6)。势垒金属膜(6)之间的间隔与第一场板(4)之间的间隔相等。由此，即使具备第一、第二场板(4、7)的结构也能够提高针对外来电荷的屏蔽效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104662667A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380047787.0
申请日：2013-11-21
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L29/0619 , H01L29/404 , H01L29/408 , H01L29/4941 , H01L29/7395 , H01L29/7811 , H01L29/861
Abstract: 包围活性区域(101)周围的边缘终端区域(100)具有电场缓和机构，该电场缓和机构包括保护环(2)、与保护环(2)接触的第一场板(4)以及以夹持层间绝缘膜(5)的方式设置在第一场板(4)上的第二场板(7)。第二场板(7)的厚度比第一场板(4)的厚度厚。第二场板(7)之间的间隔比第一场板(4)之间的间隔宽。在第二场板(7)与层间绝缘膜(5)之间设置有与第二场板(7)导电接触的势垒金属膜(6)。势垒金属膜(6)之间的间隔与第一场板(4)之间的间隔相等。由此，即使具备第一、第二场板(4、7)的结构也能够提高针对外来电荷的屏蔽效果。
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公开(公告)号：CN118053898A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311244292.9
申请日：2023-09-25
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。在半导体装置中，期望抑制故障。该半导体装置具备：有源部，其配置于上表面电极的下方；以及边缘终端结构部，其在俯视时配置于上表面电极与半导体基板的端边之间，有源部具有有源集电区，边缘终端结构部具有边缘集电区，有源集电区的载流子浓度的在深度方向上的积分值比边缘集电区的载流子浓度的在深度方向上的积分值大。有源集电区的深度方向上的上端位置与边缘集电区的深度方向上的上端位置可以不同。
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公开(公告)号：CN115176344A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202180016458.4
申请日：2021-04-08
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备半导体基板，该半导体装置包括：感测部，其设置于半导体基板，且检测预先确定的物理信息；感测焊盘部，其设置于半导体基板的上表面的上方，并且与感测部连接；栅极流道，其设置在半导体基板的上表面的上方，且被施加栅极电位；以及分离导电部，其设置在感测焊盘部与半导体基板之间，且与栅极流道分离。
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公开(公告)号：CN113632236A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080024662.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/36 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/082 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备具有上表面和下表面并包含体施主的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布除了设置有局部的氢浓度峰的部分以外，从下表面到上表面为止是平坦的且单调地增加或单调地减小，半导体基板的施主浓度遍及从上表面到下表面为止的整个半导体基板而高于体施主浓度。可以以在深度方向上贯穿半导体基板的方式从半导体基板的上表面或下表面照射氢离子。
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公开(公告)号：CN107112370B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201680004883.0
申请日：2016-06-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/868
Abstract: 提供如下一种半导体装置：即使在作为初始材料的母材晶圆所含有的碳、氧的杂质浓度不同的情况下，也能够使照射电子射线后的处理晶圆之间的能级不同的各种复合缺陷的构成比率成为同等，从而器件特性的偏差的调整变得容易。例如具备：第一导电型的漂移区(11)，其具有通过电子射线等的照射而产生的晶体缺陷；第一导电型的第一主电极区(13)，其配置于漂移区(11)的一部分，该第一主电极区的杂质浓度比漂移区(11)的杂质浓度高；以及第二导电型的第二主电极区(12)，其以与第一主电极区13相离的方式配置于漂移区(11)的另一部分，其中，晶体缺陷包括由空位和氧构成的第一复合缺陷以及由碳和氧构成的第二复合缺陷，该晶体缺陷的缺陷密度被设定为：在深能级瞬态谱法的测定中鉴定的第一复合缺陷的能级的信号峰强度为第二复合缺陷的能级的信号峰强度的5倍以上。
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