公开(公告)号：CN107112370A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680004883.0

申请日：2016-06-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿形泰典 ,  高桥英纪 ,  御田村直树 ,  岛村亚希 ,  尾崎大辅

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

Abstract: 提供如下一种半导体装置：即使在作为初始材料的母材晶圆所含有的碳、氧的杂质浓度不同的情况下，也能够使照射电子射线后的处理晶圆之间的能级不同的各种复合缺陷的构成比率成为同等，从而器件特性的偏差的调整变得容易。例如具备：第一导电型的漂移区(11)，其具有通过电子射线等的照射而产生的晶体缺陷；第一导电型的第一主电极区(13)，其配置于漂移区(11)的一部分，该第一主电极区的杂质浓度比漂移区(11)的杂质浓度高；以及第二导电型的第二主电极区(12)，其以与第一主电极区13相离的方式配置于漂移区(11)的另一部分，其中，晶体缺陷包括由空位和氧构成的第一复合缺陷以及由碳和氧构成的第二复合缺陷，该晶体缺陷的缺陷密度被设定为：在深能级瞬态谱法的测定中鉴定的第一复合缺陷的能级的信号峰强度为第二复合缺陷的能级的信号峰强度的5倍以上。

公开(公告)号：CN107112370B

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201680004883.0

申请日：2016-06-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 阿形泰典 ,  高桥英纪 ,  御田村直树 ,  岛村亚希 ,  尾崎大辅

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

Abstract: 提供如下一种半导体装置：即使在作为初始材料的母材晶圆所含有的碳、氧的杂质浓度不同的情况下，也能够使照射电子射线后的处理晶圆之间的能级不同的各种复合缺陷的构成比率成为同等，从而器件特性的偏差的调整变得容易。例如具备：第一导电型的漂移区(11)，其具有通过电子射线等的照射而产生的晶体缺陷；第一导电型的第一主电极区(13)，其配置于漂移区(11)的一部分，该第一主电极区的杂质浓度比漂移区(11)的杂质浓度高；以及第二导电型的第二主电极区(12)，其以与第一主电极区13相离的方式配置于漂移区(11)的另一部分，其中，晶体缺陷包括由空位和氧构成的第一复合缺陷以及由碳和氧构成的第二复合缺陷，该晶体缺陷的缺陷密度被设定为：在深能级瞬态谱法的测定中鉴定的第一复合缺陷的能级的信号峰强度为第二复合缺陷的能级的信号峰强度的5倍以上。

公开(公告)号：CN116913955A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310181488.1

申请日：2023-02-20

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 御田村直树

IPC: H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：多个沟槽部，其设置于半导体基板；台面部，其在所述半导体基板，设置于所述多个沟槽部之间；以及正面金属层，其设置于所述半导体基板的上方，所述多个沟槽部具有：栅极沟槽部，其具有栅极导电部和栅极绝缘膜；以及虚设沟槽部，其具有虚设导电部和虚设绝缘膜，所述正面金属层具有：上侧区域，其与邻接于所述虚设沟槽部的所述台面部的上表面接触；以及埋入区，其埋入于所述半导体基板，并与所述台面部的侧壁以及所述虚设导电部接触。

公开(公告)号：CN118538730A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202311810432.4

申请日：2023-12-26

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 御田村直树

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法，该半导体装置具备：多个沟槽部，其设置于半导体基板的正面，且包括栅极沟槽部；第一导电型的漂移区，其设置于所述半导体基板；第二导电型的基区，其设置于所述漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置于所述基区的上方，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；以及第二导电型的接触区，其设置于所述基区的上方，且掺杂浓度比所述基区的掺杂浓度高，所述发射区与所述栅极沟槽部的侧壁相接地设置，在沟槽排列方向上，以不延伸至所述多个沟槽部中的与所述栅极沟槽部对置的第一沟槽部的方式终止，所述接触区在沟槽排列方向上从所述发射区的端部起设置到所述第一沟槽部的侧壁。

公开(公告)号：CN105428405A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510458760.1

申请日：2015-07-30

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 御田村直树

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364

Abstract: 本发明的沟槽型绝缘栅双极晶体管包括：形成在第1导电型漂移层(1)的表面的沟槽(10a,10b,…10e,…)、选择性地设置于该沟槽(10a,10b,…10e,…)的内侧的多个栅电极(12a,12b,12c,…)、由填充在相邻的栅电极(12a,12b,12c,…)之间的沟槽(10a,10b,…10e,…)的内侧的绝缘物构成的绝缘块(13d,13e,…)、以及形成在第1导电型漂移层(1)的与沟槽(10a,10b,…10e,…)相反一侧的面上的第2导电型集电极区域(6)。