公开(公告)号：CN118676194A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410807463.2

申请日：2019-12-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 目黒美佐稀 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  儿玉奈绪子 ,  阿形泰典

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其在深度方向上，氢浓度分布具有氢浓度峰，氦浓度分布具有氦浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，氦浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，以该半导体装置的下表面为基准时，所述第二深度比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用氦浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。

公开(公告)号：CN112204710B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN201980034474.9

申请日：2019-12-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 目黒美佐稀 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  儿玉奈绪子 ,  阿形泰典

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，其在深度方向上，氢浓度分布具有氢浓度峰，氦浓度分布具有氦浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，氦浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，以该半导体装置的下表面为基准时，所述第二深度比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用氦浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。

公开(公告)号：CN112204710A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201980034474.9

申请日：2019-12-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 目黒美佐稀 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  儿玉奈绪子 ,  阿形泰典

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 高精度地控制通过结晶缺陷与氢结合而产生的施主区域的范围和施主浓度。提供一种半导体装置，其在深度方向上，氢浓度分布具有氢浓度峰，氦浓度分布具有氦浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，氦浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，以该半导体装置的下表面为基准时，所述第二深度比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用氦浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。