公开(公告)号：CN115732495A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210897071.0

申请日：2022-07-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 庄司敦 ,  西村明

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/66 ,  G01N27/00 ,  G01N27/04 ,  G01N27/20

Abstract: 本发明提供降低将半导体模块组装后的不良率的半导体装置的测试方法以及半导体模块的制造方法。该半导体装置设置有：包括主晶体管部和主二极管部的主元件部；以及电流检测用的感测晶体管部，该测试方法包括：在处于芯片或晶片状态的半导体装置中，使感测晶体管部进行二极管的工作的元件工作步骤；对表示进行二极管的工作的感测晶体管部的主端子间的电压与在主端子流通的电流之间的关系的电压‑电流特性进行测定的元件测定步骤；以及基于电压‑电流特性判断半导体装置是否不良的元件判断步骤。

公开(公告)号：CN112470291B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN201980049489.2

申请日：2019-12-03

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 庄司敦 ,  吉田崇一

IPC: H10D30/60 ,  H10D62/81 ,  H10D12/00

Abstract: 降低半导体装置的制造成本。提供半导体装置，其具备：半导体基板；有源部，其设置于半导体基板；第一阱区以及第二阱区，其设置于半导体基板，并且第一阱区以及第二阱区在俯视时夹着有源部地配置；发射电极，其配置于有源部的上方；以及焊盘，其配置于第一阱区的上方，并与发射电极分离，并且在第二阱区的上方，配置有发射电极。还具备周边阱区，其在俯视时包围有源部地配置，第一阱区以及第二阱区相比于周边阱区可以向有源部的中央侧突出。

公开(公告)号：CN117916894A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202380013278.X

申请日：2023-03-15

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 庄司敦 ,  洼内源宜

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，其具有设置于漂移区与半导体基板的上表面之间的第二导电型的基区、配置于比基区更靠近半导体基板的下表面侧的漂移区的第一寿命区、以及被配置为在与半导体基板的上表面平行的第一方向上被夹在第一寿命区之间且载流子寿命比第一寿命区的载流子寿命长的第二寿命区，第二寿命区的第一方向上的宽度是第一寿命区的与半导体基板的上表面垂直的第二方向上的厚度的0.2倍以上。

公开(公告)号：CN115116873A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210079478.2

申请日：2022-01-24

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 庄司敦 ,  吉田崇一

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/324 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  G01R31/26

Abstract: 存在半导体装置的阈值电压偏离设计值的情况。本发明提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置的测试方法，所述制造方法包括：元件形成工序，在半导体基板形成半导体元件，并在半导体基板的上方形成金属电极；镀覆工序，对金属电极进行镀覆；退火工序，对半导体基板进行退火；电压施加工序，在退火工序之后，将与栅极绝缘膜的厚度相应的电压施加于栅极绝缘膜；判定工序，在电压施加工序之后，测定半导体元件的阈值电压，并基于测定结果判定半导体元件是否合格。

公开(公告)号：CN112470291A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201980049489.2

申请日：2019-12-03

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 庄司敦 ,  吉田崇一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 降低半导体装置的制造成本。提供半导体装置，其具备：半导体基板；有源部，其设置于半导体基板；第一阱区以及第二阱区，其设置于半导体基板，并且第一阱区以及第二阱区在俯视时夹着有源部地配置；发射电极，其配置于有源部的上方；以及焊盘，其配置于第一阱区的上方，并与发射电极分离，并且在第二阱区的上方，配置有发射电极。还具备周边阱区，其在俯视时包围有源部地配置，第一阱区以及第二阱区相比于周边阱区可以向有源部的中央侧突出。