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公开(公告)号：CN218351493U
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202220719631.9
申请日：2022-03-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，其隔离层覆盖所述外延叠层并裸露所述凹槽的部分表面，且沿所述台面表面的隔离层具有至少一通孔；通过所述通孔实现对发光面积的控制；同时，所述通孔是对所述隔离层进行刻蚀工艺而形成，且隔离层为绝缘材料，则刻蚀过程容易控制，藉以更好地实现对发光面积的有效控制；再者，本实用新型提供的LED芯片，使电流扩展金属正下方的电流扩展层与所述第二型半导体层不直接接触，从而，避免了电流聚集在扩展电极正下方的情况，进而提高LED芯片的抗ESD能力。
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公开(公告)号：CN216054758U
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202122711893.9
申请日：2021-11-08
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种发光二极管的外延结构及LED芯片，通过将衬底设置为表面具有多个凸起的图形化衬底，且在所述凸起的表面设有反射层；有利于增大衬底的反射出光率，从而进一步提高发光二极管LED芯片的发光亮度。进一步地，所述非故意掺杂层覆盖各所述凸起及反射层，且反射层对所述凸起表面的覆盖面积范围为5％‑95％，包括端点值；在提高衬底的反射出光率的同时，可实现非故意掺杂层、反射层、图形化衬底三者之间的有效连接，保证其结构稳定性，从而降低衬底与外延结构之间的晶格失配，避免图形斜面对外延生长的不利影响，确保了外延结构生长的均匀性。
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公开(公告)号：CN218918893U
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202223031310.9
申请日：2022-11-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种低热阻LED芯片，提供了一复合衬底，所述复合衬底包括沿第一方向依次堆叠的第一衬底、第一键合层以及第二衬底；从而使外延叠层通过第二键合层键合形成于所述第二衬底背离所述第一键合层的一侧表面，进一步地，所述第二键合层和所述第二衬底具有导电性。从而，通过第二衬底的高热导率解决了LED芯片的热阻；同时，通过复合衬底的临时支撑增强了LED晶片的强度，避免了制备过程中的翘曲和破片问题；同时，通过复合衬底的临时支撑可以免除研磨工艺，保证了LED芯片厚度的一致性，并节约了成本。尤其适用于大电流密度的LED芯片。
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公开(公告)号：CN217426776U
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202221079718.0
申请日：2022-05-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，包括：衬底、外延结构、电流阻挡层、透明导电层、绝缘保护层、N型电极和P型电极。该LED芯片通过设置电流阻挡层可改善P型电极处的电流垂直注入而导致的电流拥挤，提升了电流扩散，减少了P型电极的吸光，提高量子效率，进而提高LED芯片的发光亮度；且外延结构具有倾斜面，有利于绝缘保护层的覆盖；再者，设置绝缘保护层包括从下至上依次层叠的粘附层、致密层和疏水层，粘附层能牢固的粘附在外延结构上，致密层能有效阻止外界水汽渗入，疏水层可以避免水汽在绝缘保护层表面附着，提升了LED芯片的逆压可靠性。
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公开(公告)号：CN216354260U
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202122930127.1
申请日：2021-11-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片，通过在基板表面依次设置键合层、金属反射镜、介质层以及外延叠层，其中，所述介质层具有介质孔，且所述金属反射镜通过填充于所述介质孔内的欧姆接触结构与所述外延叠层形成连接；一方面，使欧姆接触结构通过所述介质孔与第二型半导体层电性连接，保证电流的注入和导通；同时，解决了外延叠层与介质层、金属反射镜之间结合力弱的问题，从而提高芯片的可靠性。另一方面，使金属反射镜与介质层形成ODR反射结构，将外延叠层朝向基板一侧辐射的光线返回至外延叠层，并从出光侧辐射出去，提高出光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN219123256U
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202222534107.7
申请日：2022-09-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，由于Au金属材料的电阻率较低，可以实现较好的电流扩展能力；另外，在PAD制作时，通过刻蚀部分所述外延叠层至绝缘层的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，并保留边缘的外延叠层以形成独立的保护墙，该裸露部分承担PAD功能以实现与外部的电连接。通过该方式，节省了单独制作PAD金属层的工序，并同步形成了保护墙，节约了成本。同时，所形成的保护墙弥补了外延叠层刻蚀时在边角所形成的高度差，从而减少了崩边崩角的风险。
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公开(公告)号：CN218039255U
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202222545753.3
申请日：2022-09-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种LED芯片，通过：基板及设置于所述基板上方的第一金属层、绝缘层、第二金属层、外延叠层、第一电极以及第二电极。从而，实现了LED芯片的两个电极位于芯片同侧，但在发光区中，电流分布与垂直结构芯片类似，其电流和热量分布相较于普通的同侧电极结构更加均匀。而本方案与传统的垂直结构芯片相比，其所采用的基板不受是否导电的限制，可以采用高导热的金刚石、氮化硼、碳化硅等基板，以实现芯片更低的热阻，因此本方案可以很好地运用于高功率LED芯片。
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公开(公告)号：CN217507341U
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202221448357.2
申请日：2022-06-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种集成式LED芯片，集成式LED中的各LED发光单元具有一个共电极，且另一电极焊盘分布在集成式LED芯片的四周且通过第二金属层(即电极引线)与各LED发光单元连接，且所述LED发光单元的电极引线通过所述第一绝缘层与邻近的LED发光单元相互隔离的方式引出至导电基板的边缘，各自独立设置，进而可实现各LED发光单元的灵活控制。因此，基于上述设置，第二金属层既可以与各发光单元的第二半导体层实现电连接，也可充当引线，实现与集成式LED四周电极焊盘的电连接，在晶片端即完成电极引线和电极焊盘的布局，实现一体封装，可有效节省产品制作工艺及人工成本。
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公开(公告)号：CN216624313U
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202123222776.2
申请日：2021-12-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种具有波导应变的外延结构、LED芯片，通过在所述生长衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、第一波导层、有源区、第二波导层以及第二型半导体层；所述有源区包括交替形成的量子垒和量子阱，且所述量子垒和量子阱的晶格常数小于所述衬底的固有晶格常数，使所述量子垒和量子阱具有压应变；所述第一波导层或所述第二波导层的应力大于所述衬底的应力，且所述第一波导层或所述第二波导层的应力不大于所述量子垒的应力；有利于应力的过渡及释放，提高有源区的内量子效率。
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公开(公告)号：CN216624228U
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202220133938.0
申请日：2022-01-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L21/687 , H01L33/00 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/50
Abstract: 本实用新型提供了一种用于LED晶圆制程的装置，包括载盘和压环，载盘侧面为倾斜面，载盘侧面与晶圆放置面形成载盘倾斜角，压环用于固定载盘，压环定位角用于定位载盘倾斜角，压片部用于压住载盘边缘。本实用新型设置压环定位角与载盘倾斜角的形状、角度相匹配，在适当增大载盘尺寸的同时，既避免载盘过大导致压环无法压住载盘的问题，使机台能正常工作，又能避免制程时传入到腔室内，载盘与压环产生摩擦过程中，载盘易偏离压环的固定，可有效保证载盘的寿命和晶圆加工良率，实现稳定规模化量产。
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