-
公开(公告)号：CN117191190A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310845604.5
申请日：2023-07-11
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成宽波段微光机电法布里‑珀罗滤光芯片阵列及其制作方法，其器件结构包括：一系列谐振腔尺寸不同的法布里‑珀罗滤光芯片，其中每个滤光芯片单元主要包括固定镜、谐振腔、及可动镜；其中固定镜由下至上主要组成部分包括：减反膜、衬底、增反膜、驱动电极以及键合环等；可动镜由下至上主要组成部分包括键合环、驱动电极、增反膜、衬底、增透膜等；固定镜增反膜与可动镜增反膜之间利用键合环形成一系列间距不同的空气腔，用于实现不同初始波长的微光机电法布里‑珀罗滤光芯片单元，一系列具有不同初始波长的微光机电法布里‑珀罗滤光芯片单元构成宽波段微光机电法布里‑珀罗滤光芯片。本发明提供的这种宽波段微光机电法布里‑珀罗滤光芯片可用于微型光谱仪及微型光谱成像仪，具有波长覆盖范围宽、集成度高、工艺简单、成本低的优势。
-
公开(公告)号：CN116053132A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211342034.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/864
Abstract: 本发明提供一种毫米波宽带IMPATT管超薄硅材料制备方法,采用多次离子注入工艺手段，在本征硅层上利用数次磷、硼杂质的离子注入与RTA退火工艺，使得材料内部杂质元素净掺杂分布按照IMPATT管器件设计的P+、P、N与N+区4个区域，形成不同的分布较为均匀的浓度分布台阶。本明具有操作步骤简单、实施方式简便，生产成本低廉，制备周期短等优点。
-
公开(公告)号：CN115893302A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211341951.6
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种热隔离MEMS芯片制备方法及其结构，它包括取硅晶圆，在硅晶圆上设置第一、二隔热介质膜，在硅晶圆背面通过多步骤制备出连通的槽体和内腔，从而形成上端与第二隔热介质膜连通的变径孔，从而完成小型化MEMS隔热芯片结构的制备。提供一种开口小、内腔大的小型化MEMS热隔离芯片结构及制备方法，该结构在保持芯片面积较小的情况下，降低对加工设备能力的要求，工艺简单，适用于MEMS隔热型芯片的最终设计制造。
-
公开(公告)号：CN106153241B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201610715473.9
申请日：2016-08-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种MEMS电容式压力传感器，包括衬底与压力应变膜片，压力应变膜片通过锚体固定于衬底上方；压力应变膜片底面中心键合有质量块，质量块四周沿X轴与Y轴分别设有可动梳齿电极；衬底顶部四周沿X轴与Y轴分别设有固定梳齿电极，可动梳齿电极与固定梳齿电极一一对应形成配合；每一对相互对应配合的可动梳齿电极与固定梳齿电极在Z轴方向形成零位差；压力应变膜片感应的压力传递给质量块，质量块带动可动梳齿电极沿Z轴移动，可动梳齿电极与固定梳齿电极正对面积的变化带来电容的变化，实现压力的测量；梳齿电极之间的相对移动是完全呈整体性的平行移动，正对面积的变化完全是线性的，使得电容的变化具有良好的线性度，提高器件性能。
-
公开(公告)号：CN104355284B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410535300.X
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件双面对通介质隔离结构及制备方法，包括硅基体（1）、可动结构（5）以及盖帽（8），可动结构（5）以及盖帽（8）之间用金属粘接剂（7）连接，可动结构（5）与硅基体（1）进行硅硅键合，其特征在于：硅基体（1）中设有对通的绝缘深槽，绝缘深槽中设有填充材料二氧化硅或氮化硅或多晶硅 （3），绝缘深槽之间的硅基体（1）形成隔离电极（4），隔离电极（4）上面与可动结构（5）对应配合。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104355285A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410535317.5
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件的真空封装结构，由SOI硅片制成的衬底层（3）、结构层（2）、盖帽层（1）组成，其特征在于：引线孔（6a）开设在衬底层（3）上，金属电极（6）设置在衬底层（3）中引线孔位置的顶层硅的电极引线（3b）上，盖帽层（1）粘贴在管壳（8）上。本发明与现有的MEMS器件封装结构相比具有如下优点：（1）本结构采用在器件的衬底层上开孔，将电极从背面引出，形成倒挂式器件结构，降低热应力对器件的影响。（2）本结构通过连线设计可以实现三层电极引出，可以根据器件需求，选择电极引出层次。（3）本结构的实现方法采用业界比较成熟的工艺技术，适宜于产业化应用。
-
公开(公告)号：CN103600287A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310589123.9
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B24B37/34
Abstract: 机电设备管线固定装置，其特征在于它包括：底座（1），立柱（2）、横梁（3）、锁紧螺母（4）、转子座（5）、固定销（7）、转子（8）、挂钩（9），立柱下端连接在底座上，上侧与横梁配合，锁紧螺母分别将它们固定锁紧，转子座固定在横梁的一侧，转子与转子座配合，挂钩连接在转子上。由于采用了上述技术方案，使得本发明结构简单，解决了加工过程中因管线无法固定造成的影响，具有方便加工和操作，提高工作效率等优点。
-
公开(公告)号：CN103558740A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310505575.4
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS圆片双面步进光刻方法，其特征在于包括以下步骤：a.晶圆片在投影步进光刻机进行正面光刻，制作出对准标记（a、a）以及器件结构；b.在双面光刻机中，将晶圆片背面制作出相应的对准标记（b,b）；c.在投影步进光刻机中，对准晶圆片背面的对准标记（b,b），在晶圆片背面光刻制作对应的器件结构。本发明是结合双面光刻技术，在投影步进光刻工艺加工中实现双面结构制作，采用双面光刻机在背面制作一个对准标记，圆片正反两面使用投影步进光刻机进行较高精度套刻工艺制作。
-
公开(公告)号：CN103557853A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310505577.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01C19/56
CPC classification number: G01C19/56
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的MEMS陀螺，硅片中设有质量块（6），它通过连接梁（1）固支于锚点（7），在质量块（6）的四周对称分布着带有防撞凸点（4）的固定块（3），质量块（6）中心掏空区域设置有带防撞凸点（5）的中心固定块（2），其特征在于：所述质量块（6）上设有一组网格空腔（6a）。本发明具有如下优点：网格空腔质量块的侧壁在碰撞过程中起到了弹性过载保护面的作用，它和防撞凸点共同作用可以释放高冲击产生的高冲击力，有效保护器件敏感结构，提高了器件抗高过载能力。本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了MEMS陀螺产品的一致性和可靠性，加工工艺比较简单，适合大批量生产。
-
公开(公告)号：CN102522262A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110419225.7
申请日：2011-12-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01H35/14
Abstract: 本发明提供了一种MEMS加速度开关，由衬底（5）、硅框架（8）、弧形悬臂梁（1）、环形质量块（2）、碰撞柱（3）、环形接触电极（4）和硅盖帽（7）组成。硅框架固定在衬底上，中心设有圆孔；碰撞柱位于硅框架中心，固定在衬底上；硅框架圆孔上均布一组悬空的弧形悬臂梁，弧形悬臂梁的端部与环形质量块连接；环形质量块与碰撞柱同心并具有一定的间隙；环形接触电极位于环形质量块下方并固定在衬底上。本发明采用环形碰撞结构，可以实现平面任意方向及垂直水平面方向等多个方向上信号检测，同时采用环形结构设计，提高了开关的抗高冲击能力。本发明具有结构精巧、加工工艺简单、便于批量制作等特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
40
records
(took 0.027 seconds)
