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公开(公告)号：CN116204035A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310267481.1
申请日：2023-03-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G05F1/573
Abstract: 本发明提供一种过流阈值可外部调控的过流保护电路，其中，电流基准模块的输出端与电流比较模块的基准输入端相连；电流比较模块的N个比较输入端与电流检测模块的N个检测端一一对应相连；电流比较模块的N个输出端与控制模块的N个输入端一一对应相连；控制模块的输出端与电流检测模块的控制端相连；电流检测模块的使能端作为过流保护电路的使能端；电流检测模块的输出端作为过流保护电路的输出端；结合电流基准模块、电流比较模块、电流检测模块和控制模块，使过流保护电路产生N个过流阈值，还能够通过输入使能信号对不同的过流阈值进行调控，能够大大降低电路的静态功耗，提升电路的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN115686167A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211491255.3
申请日：2022-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种背栅电压控制电路、方法及芯片，涉及集成电路技术领域，所述控制电路包括：目标电路，所述背栅电压用于控制所述目标电路工作；检测电路，所述检测电路用于检测所述目标电路的输出值；调节电路，所述调节电路的输入端与所述检测电路的输出端连接，用于所述调节电路通过所述检测电路获取所述目标电路的输出值，所述调节电路根据所述输出值计算输出背栅电压，并输出背栅电压至目标电路的输入端，以控制所述目标电路正常工作。本申请可以针对温度、电压波动、辐照、老化等特殊环境，产生响应，恢复目标电路的工作状态。
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公开(公告)号：CN115172337A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210916549.X
申请日：2022-08-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/60
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于碳基集成电路的静电防护方法，所述方法包括，准备硅衬底；使用所述硅衬底制备静电防护电路和与所述碳基集成电路互联的窗口；在所述静电防护电路上制备碳纳米管；使用所述碳纳米管制备所述碳基集成电路；将所述静电防护电路与所述碳基集成电路互联。通过本申请提供的方法，实现对碳基集成电路的静电防护，同时能避免传统片上静电防护设计需占据片上面积、浪费片上资源的问题。
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公开(公告)号：CN114839168A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110139360.X
申请日：2021-02-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开一种二次谐波测量方法及测量仪器，方法包括：获取第一光信号，所述第一光信号通过滤掉经过待测样品反射回来的反射基波光信号获得；获取第二光信号，所述第二光信号包括经过所述待测样品反射回来的反射基波光信号；根据所述第二光信号，提取膜厚信息光信号，所述膜厚信息光信号包括带有所述待测样品对应位置处的膜厚信息的光信号；将所述第一光信号去除掉所述膜厚信息光信号，得到所述待测样品对应位置处的缺陷二次谐波信号；对所述缺陷二次谐波信号进行缺陷参数提取，得到所述待测样品对应位置处的缺陷参数。能够解决膜厚的波动会影响二次谐波，从而影响二次谐波对于样品缺陷的表征，降低缺陷参数提取的精度的问题。
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公开(公告)号：CN114823903A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110122096.9
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明实施例提供的一种单结晶体管结构及其制造方法，其中单结晶体管结构包括：衬底、第一氧化层、配置层、第二氧化层、第一高掺杂区、沟道区以及第二高掺杂区。第一氧化层形成在衬底上；配置层形成在第一氧化层上；第二氧化层形成在配置层上，第一高掺杂区、沟道区以及第二高掺杂区均形成在第二氧化层上，沟道区位于第一高掺杂区和第二高掺杂区之间并欧姆接触。本发明能够实现对单结晶体管结构的器件性能进行灵活调整，以应用于不同应用环境。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114724937A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110008867.1
申请日：2021-01-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/268 , H01S5/00
Abstract: 本发明公开了一种处理半导体激光器的方法，该方法包括：在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，以提高所述半导体激光器的调制带宽，其中，所述辐照源为粒子辐照源。通过在半导体激光器的制备过程中，利用预设辐照源对半导体激光器进行辐照处理，从而实现在不影响半导体激光器其他性能的情况下，以更为简单和低成本的方法，提高半导体激光器的调制带宽，有利于优化半导体激光器的动态性能。
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公开(公告)号：CN114577728A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210249176.5
申请日：2022-03-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种二次谐波表征光学系统和基于二次谐波表征的检测装置，该二次谐波表征光学系统通过使起偏器和检偏器均定轴旋转，分别驱动起偏器和检偏器进行多次旋转，在每次旋转过程中，起偏器被旋转到Ai位置以改变基频光的偏振态的同时，检偏器被旋转到与Ai位置对应的Bi位置，使依赖于Ai位置起偏器形成的基频光，经待检测样品产生的二次谐波信号能够收集于探测器内，获得Ai位置起偏器对应偏振依赖的二次谐波信号。在检测待检测样品的晶型和晶向时，可以通过多次旋转起偏器的过程中使检偏器配合联动，获取偏振依赖的二次谐波信号的周期，利用偏振依赖的二次谐波信号直接判断待检测样品的晶向和晶型，简化设备结构，降低成本。
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公开(公告)号：CN114497227A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111469316.1
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种多独立栅场效应管及其制备方法，其中，所述多独立栅场效应管包括：设置在绝缘衬底上的源极，漏极，沟道区和栅极结构；所述沟道区连接所述源极和所述漏极；所述栅极结构包括层叠设置的栅介质层和栅电极层；所述栅电极层包括两个以上，互不相交的碳纳米管栅电极。本申请提供的多独立栅场效应管显著提高了微缩能力或集成度能力，为超大规模集成电路中的高密度器件集成提供了一种灵活高效的新型场效应管器件设计。
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公开(公告)号：CN109213620B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201710542846.1
申请日：2017-07-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种闪存存储器的抗总剂量辐照加固方法，其中包括：步骤一、提供闪存存储阵列，以及与闪存存储阵列相邻的监控存储阵列；步骤二、在闪存存储阵列不工作时，关闭闪存存储阵列与外围电路的连接，使监控存储阵列开始工作，并在监控阵列单元的栅极施加读取电压；步骤三、将监控存储阵列的位线总电流输出，并与参考电流阈值进行比较；步骤四、判断比较结果，若位线总电流小于参考电流，隔固定时间后再次对监控存储阵列进行读操作；若位线总电流大于等于参考电流，则对闪存存储阵列和监控存储阵列执行刷新操作。本发明能够通过监控存储阵列位线电流的大小来发现漏电，提高存储阵列的抗总剂量辐照的能力。
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公开(公告)号：CN113224167A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110461719.5
申请日：2021-04-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，用于解决基于SOI平台的MOSFET器件由于埋氧层中易产生大量辐射诱发的陷阱俘获电荷，从而影响前端MOSFET的性能的问题。所述半导体器件包括：SOI衬底；自下而上层叠形成在SOI衬底上的电荷俘获结构以及第一半导体层，电荷俘获结构为介质层叠层结构；以及形成在SOI衬底的第二半导体层上的体接触电极，当体接触电极被施加电压时，电荷俘获结构用于俘获第一半导体层的电荷，以形成第一电场，第一电场用于中和电荷俘获结构由于辐射效应产生的第二电场。所述半导体器件制造方法用于制造包括上述技术方案所提的半导体器件。
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