-
公开(公告)号：CN111048131B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202010033808.5
申请日：2020-01-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明公开了一种基于RRAM的非易失性锁存器，包括：电源、双互锁存模块、存储节点、备份模块和若干开关控制节点，双互锁存模块包括第一锁存单元、第一反馈单元、第二锁存单元和第二反馈单元；存储节点设置在第一锁存单元、第一反馈单元、第二锁存单元和第二反馈单元的连接处；备份模块包括若干1T1R结构，每一1T1R结构的第三接线端与对应存储节点连接，每一1T1R结构的第四接线端共接；本锁存器可以在电路不需要工作时进行断电处理，减少静态功耗，且在遇到意外断电的情况时，可以保证重新上电后能恢复到断电前的工作状态；同时，应用双互锁存模块的加固方式，提高非易失性电路的抗单粒子性能，避免电路损坏和数据传输存储错误。本发明还提供一种集成电路。
-
公开(公告)号：CN112086516B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202010797041.3
申请日：2020-08-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/792 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/268
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上半导体结构及其抗总剂量辐照加固方法。一种绝缘体上半导体结构，由下至上包括：半导体衬底，第一绝缘层，电子捕获层，第二绝缘层，所述电子捕获层与所述第一绝缘层及所述第二绝缘层的材料不同，半导体层，其中，所述半导体层包括源区、漏区，以及设置在所述源区和所述漏区之间的沟道区；第三绝缘层，栅极。本发明解决了现有的加固方案因工艺复杂、沟道寄生效应、应用不灵活等原因导致的应用局限性与无法灵活地、非易失地解决总剂量辐照效应累积与不可逆问题。
-
公开(公告)号：CN117236396A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311185785.X
申请日：2023-09-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种信号处理电路和方法，可以应用于微电子器件技术领域。该方法包括：第一晶体管，第一晶体管的源极用于连接第一信号输入端，第一晶体管的栅极用于连接第二信号输入端；第二晶体管，第二晶体管的漏极用于连接第一晶体管的漏极和信号输出端，第二晶体管的栅极用于连接第二信号输入端；第三晶体管，第三晶体管的漏极用于连接第二晶体管的源极，第三晶体管的源极用于接地；第四晶体管，第四晶体管的源极用于连接第三晶体管的栅极，第四晶体管的漏极用于连接第三信号输入端。
-
公开(公告)号：CN114637039A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210135474.1
申请日：2022-02-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01T1/02 , H01L31/119
Abstract: 本发明公开一种针对总剂量效应损失的半导体辐照探测器，涉及辐照探测技术领域。半导体辐照探测器包括：半导体场效应管，以及设置在半导体场效应管顶部后端的电容模块；电容模块被配置为在进行预充电后，随着总剂量效应的不断累积，电容模块两端电压发生漂移，施加在所述半导体场效应管的栅极电压基于所述电容模块两端电压的漂移而漂移，确定所述半导体场效应管的漏极电流变化量；所述半导体场效应管被配置为基于所述漏极电流变化量确定辐照剂量变化量，可以使得半导体场效应管在保证了厚栅氧化层的情况下，通过电容模块提高辐照剂量，使得半导体辐照探测器可以融入互补金属氧化物半导体制造工艺中，降低在芯片上集成半导体辐照探测器的成本。
-
公开(公告)号：CN107704285B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201710889479.2
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供了一种FPGA多版本配置芯片，所述芯片为一个封装体，包括：至少一个存储单元，用于存储FPGA的配码数据文件；控制单元，与存储单元相连接，能够对存储单元进行读取、擦除、写入操作，包括：版本切换通信接口，用于控制单元接收数据、地址和控制信息，实现配码数据文件在线切换，所述控制单元接收到配码版本的首地址后，按照指定的地址、读取相应版本的配码数据并完成FPGA配置；FPGA配置接口，用于控制单元与FPGA的交互，完成FPGA的在线配置功能。本公开为FPGA版本配置提供了更多选择，并且可以在系统不掉电的情况下进行版本切换。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109215715B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201710542438.6
申请日：2017-07-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C16/22
Abstract: 本发明提供一种闪存存储电路的抗总剂量辐照加固方法，包括：步骤一、提供闪存存储阵列，并增设与闪存存储阵列相连的预存逻辑值为“0”的监控存储阵列；步骤二、确定监控存储阵列的读取电压；步骤三、确定逻辑值变化为“1”的监控存储阵列单元的数量阈值；步骤四、在闪存存储阵列工作状态下，依次读取监控存储阵列单元的读出数据并加合；步骤五、将加合结果与监控存储阵列单元的数量阈值比较，当加合结果小于数量阈值时，将加合结果清零；当加合结果大于或等于所述数量阈值时，刷新闪存存储阵列和监控存储阵列。本发明能够提前发现存储阵列漏电并及时刷新，提高存储阵列的抗总剂量辐照能力，保证器件的稳定性。
-
公开(公告)号：CN108321197A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810157476.4
申请日：2018-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/739 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种遂穿场效应晶体管及其制造方法，形成的源区位于部分栅结构下以及栅结构侧面的衬底中，也就是说，栅结构交叠覆盖部分的源区，这样，可以提高栅电压对器件源区/沟道区的电势控制能力，进一步地，源区的面积大于漏区的面积，且源区掺杂浓度高于漏区掺杂浓度，使源区载流子浓度总体上高于漏区载流子浓度，最终形成的具有铁电栅层的栅极具有负电容效应，可以放大栅极表面电势，这些都可以增大器件的遂穿几率，整体提高器件的开态电流。
-
公开(公告)号：CN106445544A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610879153.7
申请日：2016-10-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开了一种对可编程逻辑器件进行配置或更新的装置和方法，其中，对可编程逻辑器件进行配置或更新的装置包括：控制模块和与控制模块连接的存储模块，其中，控制模块具有用于与JTAG主机连接的JTAG接口和与待配置可编程逻辑器件兼容的配置接口；控制模块用于在通过JTAG接口接收到包含配置信息的第一控制指令后，将配置信息存储于存储模块中，和用于在接收到配置指令后读取配置信息对待配置可编程逻辑器件进行配置；控制模块对待配置可编程逻辑器件进行配置时使用的配置时钟来源于待配置可编程逻辑器件或控制模块或外部时钟源。避免了由于存储器接口与大容量待配置可编程逻辑器件的配置接口的时序不兼容而出现的易用性较差的问题。
-
公开(公告)号：CN103411997B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310339890.4
申请日：2013-08-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明提供了一种SOI_MOSFET的热阻提取方法，该方法包括以下步骤：设计一种器件，所述器件的栅结构的两端都引出连线；在不同温度下测试所述栅结构的电阻，获得其电阻随温度变化的特性；在常温下，使所述器件处于工作状态，测试此时所述栅结构的电阻；将所述栅结构在常温工作状态下的电阻代入温度变化特性中，得到工作状态下器件的真实温度，进而求出热阻。与现有技术相比，采用本发明提供的技术方案具有如下优点：通过利用栅电阻的温度特性来提取器件的热阻，简单易行，避免了使用PIV设备带来成本过高的问题。
-
公开(公告)号：CN102831254B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201110160075.2
申请日：2011-06-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种MOS器件版图批量化设计的方法，包括：确定栅极层的形状和尺寸；以栅极层为自变量，确定有源区层的形状和尺寸；以有源区层为自变量，确定注入层、阱层的形状和尺寸；以栅极层和有源区层为自变量，确定通孔的形状和尺寸；以及以通孔为自变量，确定金属层的形状和尺寸。依照本发明的MOS管结构批量化设计方法，解决器件尺寸要求较多、器件尺寸变量较多的情况下，高效完成大量版图设计的问题，从而降低人工设计版图过程中产生的错误率，并缩短版图设计时间。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
152
records
(took 0.036 seconds)
