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公开(公告)号：CN102928925A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210408449.2
申请日：2012-10-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/26
Abstract: 一种基于对称垂直光栅耦合结构的SOI基光隔离器，包括：一个垂直耦合光栅；两个模式转换器，分别制作在垂直耦合光栅的两侧，实现近似无损耗的能量传输以及模式转换；两个单模脊型波导，其分别与两个模式转换器的一端连接；一个光学合束器，其分别与两个单模脊型波导的另一端连接；其中所述的一个垂直耦合光栅、两个模式转换器、两个单模脊型波导和一个光学合束器均制作在一衬底上。其具有耦合与光隔离功能一体化、易于对准、低插入损耗、制作工艺与CMOS工艺兼容等潜在的特性和优点，有望在未来的片上/片间光互连网络中获得重要应用。
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公开(公告)号：CN100574103C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610011447.4
申请日：2006-03-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03K17/72
Abstract: 一种CMOS硅发光二极管驱动电路，其特征在于，包括：一输入阻抗匹配电路；一差分信号放大电路，该差分信号放大电路接收输入阻抗匹配电路的信号，该差分信号放大电路将输入小信号进行放大；一源跟随器电路，该源跟随器电路接收差分信号放大电路的信号，该源跟随器电路起到隔离信号和降低电平的作用；一输出电路，该输出电路与源跟随器电路连接，实现差分输入变单端输出，能为光发射二极管提供足够的电压和电流驱动。
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公开(公告)号：CN101135748A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610112700.5
申请日：2006-08-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，包括一衬底；一二氧化硅掩埋层位于衬底上；一n型单晶硅层为衬底上的单晶硅，制作成凹槽结构；一n+注入层制作在n型单晶硅层两侧的平面上；一横向栅氧化层和一纵向栅氧化层，制作在n型单晶硅层上的凹槽内壁面；一p型单晶硅层制作在n型单晶硅层的凹槽结构内，该p型单晶硅层和n型单晶硅层一起形成脊形波导结构；一p+注入层制作在p型单晶硅层的上面；金属接触层制作在p+注入层上面的中间位置及n+注入层上面的中间位置，分别形成调制器的正负电极；一氧化层制作在n型单晶硅层和p型单晶硅层的表面，起到保护作用。
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公开(公告)号：CN115224150B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202210717030.9
申请日：2022-06-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H10F30/225 , H10F71/00 , H10F77/70 , H10F77/1223 , H10F77/14 , H10F77/30
Abstract: 本公开公开了一种硅光电倍增管及其制备方法，涉及光电传感器技术领域，尤其涉及单光子探测器技术领域。其中，该硅光电倍增管，包括。背电极、第一类型外延硅衬底、减反射层和电极，第一类型外延硅衬底包括第一类型硅衬底层、第一类型外延层和至少一个第二类型重掺杂区，其中，第一类型外延层和至少一个第二类型重掺杂区形成至少一个立体PN结；在第二类型重掺杂区的上表面设置倒金字塔结构；减反射层设置于第一类型外延硅衬底的上表面；电极设置于减反射层不覆盖第一类型外延硅衬底的上表面的区域；其中，第一类型和第二类型分别为电子型和空穴型中的一种。本公开可以在降低硅光电倍增管的工作电压的同时提高硅光电倍增管的光子探测效率。
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公开(公告)号：CN115101608B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202210694257.6
申请日：2022-06-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/10 , H01L31/109
Abstract: 本公开提供一种石墨烯红外探测器，包括：衬底；介质层，形成于衬底上；源电极和漏电极，从介质层的表面延伸至介质层中，其中，源电极与漏电极之间在结构上不对称；石墨烯，形成于介质层、源电极和漏电极的表面；红外敏感半导体薄膜，形成于石墨烯上。该石墨烯红外探测器通过设置非对称电极结构，可实现石墨烯红外探测器零偏压工作，在石墨烯表面引入红外敏感半导体薄膜，可以作为增敏层，提高石墨烯红外探测器的光响应度，解决了石墨烯红外探测器存在的暗电流大、响应度低的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118738072A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410824362.6
申请日：2024-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/146 , H01L31/0352 , G01J3/28
Abstract: 本公开提供了一种基于红外胶体量子点的光谱芯片、探测器及其制备方法，该光谱芯片包括：衬底（1）；探测单元，由多个像素组成阵列，每个像素的红外光谱响应范围至少部分不同；其中，每个像素至少包括：第一电极（2）、第二电极（8）和位于两电极之间的本征量子点层（5）；本征量子点层为红外胶体量子点，且每个像素的红外胶体量子点对应不同波长的红外光波段；像素阵列中所需的不同红外胶体量子点使用高通量喷头一次性打印完成。本公开的光谱芯片使用红外胶体量子点作为光敏材料，借助高通量喷墨打印设备将上百种不同的胶体量子点一次性打印到接收电路表面，可低成本、高效地制备红外光谱芯片，得到高性能的微型红外光谱芯片。
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公开(公告)号：CN113782640B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202111065535.3
申请日：2021-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/09 , H01L27/144 , C01B32/186 , G01J5/20
Abstract: 本公开提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的制备方法，包括：S1，在CMOS集成电路表面沉积隔离层；S2，在隔离层中刻蚀通孔，填充金属；S3，在隔离层表面溅射金属镍层；S4，在金属镍层的表面等离子增强化学气相淀积石墨烯；S5，腐蚀去除金属镍层；S6，制备电极，得到基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片。本公开还提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的红外成像系统。本公开通过引入石墨烯‑CMOS单片集成探测器芯片可以实现多光谱的红外成像，有效地解决了现有红外成像领域低成本、多光谱红外成像的技术难点。
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公开(公告)号：CN115274889A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210694742.3
申请日：2022-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/08 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种石墨烯器件及其制备方法、光电探测器，制备方法包括：对衬底进行光刻，形成器件图案，其中，器件图案包括第一部分图案和第二部分图案，第一部分图案与第二部分图案之间的连接处为尖端形状；在器件图案上制备金属催化层，其中，金属催化层的形状与器件图案的形状相同；在预设温度条件下，在金属催化层表面生长石墨烯并使金属催化层的尖端处熔断，得到石墨烯器件。该制备方法通过一步法同时获得石墨烯和电极，进而得到光电性能优良的石墨烯器件，无需石墨烯的转移过程，解决了石墨烯转移过程损伤石墨烯，导致石墨烯光电探测器的性能差的技术问题。
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公开(公告)号：CN115101608A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210694257.6
申请日：2022-06-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/10 , H01L31/109
Abstract: 本公开提供一种石墨烯红外探测器，包括：衬底；介质层，形成于衬底上；源电极和漏电极，从介质层的表面延伸至介质层中，其中，源电极与漏电极之间在结构上不对称；石墨烯，形成于介质层、源电极和漏电极的表面；红外敏感半导体薄膜，形成于石墨烯上。该石墨烯红外探测器通过设置非对称电极结构，可实现石墨烯红外探测器零偏压工作，在石墨烯表面引入红外敏感半导体薄膜，可以作为增敏层，提高石墨烯红外探测器的光响应度，解决了石墨烯红外探测器存在的暗电流大、响应度低的技术问题。
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公开(公告)号：CN112864164B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202011643161.4
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568
Abstract: 本发明提供一种三端人工光学突触，包括：栅极(2)；依次叠设于所述栅极表面的离子存储层(3)；离子导体层(4)和半导体沟道层(5)；源极(6)和漏极(7)，分别位于所述半导体沟道层(5)的表面两端；其中，所述半导体沟道层(5)采用与所述离子存储层(3)的互补的半导体材料。本发明还提供一种该三端人工光学突触的制备方法。本发明通过对半导体沟道层施加不同的光学和电学脉冲调节该层内部的活跃性离子的浓度，从而实现人工光学突触的兴奋和抑制。本发明的三端人工光学突触器件采用互补型半导体的电容效应提高了稳定性和重复率，降低了人工光学突触的能耗，对沟道导电性的增强和抑制的可控性增强。
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