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公开(公告)号：CN100424879C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200510086483.2
申请日：2005-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/14 , H01L31/00 , H01L21/822
Abstract: 一种深亚微米CMOS工艺电感补偿型光电探测器，包括：一P衬底；一正方形N阱区制作在P衬底上；一环形浅沟道隔离区制作在N阱区中，且被环形N+区环绕；一阵列形第一P+区制作在N阱区中，且被环形浅沟道隔离区环绕，构成探测器阵列阳极；一环形N+区制作在N阱区中，且将浅沟道隔离区环绕；一环形第二P+区制作在P衬底上，且将正方形的N阱区环绕；一平面螺旋形金属电极将阵列形第一P+区中各个单元块逐个相连；一环形金属电极连接在N+区上；一环形金属电极连接在第二P+区上。
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公开(公告)号：CN101135748A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610112700.5
申请日：2006-08-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，包括一衬底；一二氧化硅掩埋层位于衬底上；一n型单晶硅层为衬底上的单晶硅，制作成凹槽结构；一n+注入层制作在n型单晶硅层两侧的平面上；一横向栅氧化层和一纵向栅氧化层，制作在n型单晶硅层上的凹槽内壁面；一p型单晶硅层制作在n型单晶硅层的凹槽结构内，该p型单晶硅层和n型单晶硅层一起形成脊形波导结构；一p+注入层制作在p型单晶硅层的上面；金属接触层制作在p+注入层上面的中间位置及n+注入层上面的中间位置，分别形成调制器的正负电极；一氧化层制作在n型单晶硅层和p型单晶硅层的表面，起到保护作用。
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公开(公告)号：CN100514099C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610112702.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 一种双电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，包括一SOI衬底；一二氧化硅掩埋层位于SOI衬底上；一p型单晶硅层为SOI衬底上的单晶硅，在p型单晶硅层的两侧形成栅氧化层；一p+注入层制作在p型单晶硅层的上面；一n型单晶硅层制作在二氧化硅掩埋层上及p型单晶硅层表面的栅氧化层的两侧，该n型单晶硅层和p型单晶硅层一起形成脊形波导结构；一n+注入层制作在n型单晶硅层脊形波导结构两侧的平面上；一金属接触层制作在p+注入层上面的中间位置及n+注入层上面的中间位置，分别形成调制器的正负电极；一氧化层，该氧化层制作在n型单晶硅层和p型单晶硅层的表面，起到保护作用。
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公开(公告)号：CN100478718C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200610058659.8
申请日：2006-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种多层金属间氧化物脊形波导结构，包括：一硅衬底；一氧化隔离层位于衬底和阱上，用于隔离不同的电子器件；一PSG磷硅玻璃制作在氧化隔离层、有源区和阱上；第一层金属制作在PSG磷硅玻璃上，作为波导下包层；第一层氧化层制作在第一层金属上；第二层金属制作在第一层氧化层上；第二层氧化层制作在第二层金属上；第三层金属制作在第二层氧化层上；第三层氧化层制作在第三层金属上；第四层金属位于顶层位于顶层制作在第三层氧化层上；第一层金属和第二层金属接触、第二层金属和第三层金属接触、第三层金属和第四层金属接触作为脊形波导横向限制层，使光线被限制在脊形波导内。
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公开(公告)号：CN100468103C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200610112700.5
申请日：2006-08-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，包括一衬底；一二氧化硅掩埋层位于衬底上；一n型单晶硅层为衬底上的单晶硅，制作成凹槽结构；一n+注入层制作在n型单晶硅层两侧的平面上；一横向栅氧化层和一纵向栅氧化层，制作在n型单晶硅层上的凹槽内壁面；一p型单晶硅层制作在n型单晶硅层的凹槽结构内，该p型单晶硅层和n型单晶硅层一起形成脊形波导结构；一p+注入层制作在p型单晶硅层的上面；金属接触层制作在p+注入层上面的中间位置及n+注入层上面的中间位置，分别形成调制器的正负电极；一氧化层制作在n型单晶硅层和p型单晶硅层的表面，起到保护作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1941525A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200510105261.0
申请日：2005-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件技术领域，特别是一种与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺。本发明采用SOI晶片为衬底，利用与标准集成电路工艺兼容的工艺制作，有源区采用PN结发光二极管结构，有源区两侧的无源区内分别设置DBR布拉格全反射器和DBR半反射器，构成谐振腔。
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公开(公告)号：CN100369339C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200510105261.0
申请日：2005-09-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件技术领域，特别是一种与标准集成电路工艺兼容的硅基DBR激光器及其工艺。本发明采用SOI晶片为衬底，利用与标准集成电路工艺兼容的工艺制作，有源区采用PN结发光二极管结构，有源区两侧的无源区内分别设置DBR布拉格全反射器和DBR半反射器，构成谐振腔。
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公开(公告)号：CN101034185A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200610058659.8
申请日：2006-03-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种多层金属间氧化物脊形波导结构，包括：一硅衬底；一氧化隔离层位于衬底和阱上，用于隔离不同的电子器件；一PSG磷硅玻璃制作在氧化隔离层、有源区和阱上；第一层金属制作在PSG磷硅玻璃上，作为波导下包层；第一层氧化层制作在第一层金属上；第二层金属制作在第一层氧化层上；第二层氧化层制作在第二层金属上；第三层金属制作在第二层氧化层上；第三层氧化层制作在第三层金属上；第四层金属位于顶层制作在第三层氧化层上；第一层金属和第二层金属接触、第二层金属和第三层金属接触、第三层金属和第四层金属接触作为脊形波导横向限制层，使光线被限制在脊形波导内。
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公开(公告)号：CN1937232A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200510086483.2
申请日：2005-09-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/14 , H01L31/00 , H01L21/822
Abstract: 一种深亚微米CMOS工艺电感补偿型光电探测器，包括：一P衬底；一正方形N阱区制作在P衬底上；一环形浅沟道隔离区制作在N阱区中，且被环形N+区环绕；一阵列形第一P+区制作在N阱区中，且被环形浅沟道隔离区环绕，构成探测器阵列阳极；一环形N+区制作在N阱区中，且将浅沟道隔离区环绕；一环形第二P+区制作在P衬底上，且将正方形的N阱区环绕；一平面螺旋形金属电极将阵列形第一P+区中各个单元块逐个相连；一环形金属电极连接在N+区上；一环形金属电极连接在第二P+区上。
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公开(公告)号：CN101135749A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610112702.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 一种双电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，包括一衬底；一二氧化硅掩埋层位于衬底上；一p型单晶硅层为衬底上的单晶硅，在p型单晶硅层的两侧形成栅氧化层；一p+注入层制作在p型单晶硅层的上面；一n型单晶硅层制作在二氧化硅掩埋层上及p型单晶硅层表面的栅氧化层的两侧，该n型单晶硅层和p型单晶硅层一起形成脊形波导结构；一n+注入层制作在n型单晶硅层脊形波导结构两侧的平面上；一金属接触层制作在p+注入层上面的中间位置及n+注入层上面的中间位置，分别形成调制器的正负电极；一氧化层，该氧化层制作在n型单晶硅层和p型单晶硅层的表面，起到保护作用。
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