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公开(公告)号：CN114326923B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202210127057.2
申请日：2022-02-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于偏振旋转分束器实现的光学矩阵向量乘法器，包括由半导体激光器阵列组成的多波长光源模块、由调制器阵列组成的电光转换模块、基于可重构的偏振旋转分束器阵列的信号加权模块以及由平衡探测器和跨阻放大器组成的信号累加模块。本发明采用相变材料与超表面结构结合的方式实现了可重构的偏振旋转分束器，可重构的偏振旋转分束器能够分离TE偏振模光信号和TM偏振模光信号，并通过添加偏压作为外部激励，能够改变偏振旋转分束器的相变波导表面的结晶态，从而改变TE偏振模光信号和TM偏振模光信号的比例，根据比例不同的偏振模的功率组分之差来表示权重值，可以实现权重态的精确调控，解决权重的正负态表达问题。
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公开(公告)号：CN116948629A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310854906.9
申请日：2023-07-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种钙钛矿闪烁体材料制备方法，该方法包括：S11，旋涂底层钙钛矿纳米晶层，沉积底层聚合物薄膜层；S12，在底层聚合物薄膜层上表面依次旋涂钙钛矿纳米晶层和聚合物薄膜层，钙钛矿纳米晶层和聚合物薄膜层组成复合结构层；其中，复合结构层至少为两层；复合结构层的最上层包括顶层钙钛矿纳米晶层；其中，自下而上从底层钙钛矿纳米晶层至顶层钙钛矿纳米晶层，钙钛矿纳米晶层的带隙逐层降低。本公开另一方面提供了一种利用钙钛矿闪烁体材料制备间接型X射线探测器的方法。本公开通过引入钙钛矿纳米晶带隙梯度变化的多层薄膜解决自吸收问题，采用聚合物薄膜增加钙钛矿闪烁体材料稳定性，并采用高响应度光探测器配合钙钛矿闪烁体部分。
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公开(公告)号：CN113793881A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111089808.8
申请日：2021-09-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/10 , H01L31/0216 , G06N3/067
Abstract: 本公开提供了一种光电突触器件阵列及其制备方法、图像处理设备，该光电突触器件阵列包括：底电极；依次叠设于底电极上的P型半导体层、N型半导体层、光吸收层以及透明的顶电极；其中，顶电极与底电极保持垂直交叉结构，每个交叉点形成一个单独的光电突触器件单元。
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公开(公告)号：CN103956408B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410191727.2
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/173
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，作为脊型光波导的芯层；步骤2：在衬底上相隔预定距离制备两个局部氧化隔离层，形成脊型光波导的两侧包层；步骤3：在两个局部氧化隔离层之间及两个局部氧化隔离层上制备一包层，形成脊型光波导的上包层；步骤4：将衬底减薄，完成制备。本发明的制作完全采用标准CMOS工艺，可以实现光波导器件与CMOS电路单片集成。
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公开(公告)号：CN103956408A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410191727.2
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/173
CPC classification number: Y02P70/521 , G02B6/13
Abstract: 一种采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，作为脊型光波导的芯层；步骤2：在衬底上相隔预定距离制备两个局部氧化隔离层，形成脊型光波导的两侧包层；步骤3：在两个局部氧化隔离层之间及两个局部氧化隔离层上制备一包层，形成脊型光波导的上包层；步骤4：将衬底减薄，完成制备。本发明的制作完全采用标准CMOS工艺，可以实现光波导器件与CMOS电路单片集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103956340A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410192668.0
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/8249
CPC classification number: H01L21/823871
Abstract: 一种采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法，包括如下步骤：步骤1：提供CMOS集成电路芯片；步骤2：在CMOS集成电路芯片上表面制备二氧化硅层；步骤3：对二氧化硅层进行平坦化处理；步骤4：在二氧化硅层上表面制备光电器件层，并在此层制备光电器件；步骤5：在光电器件层的表面向下刻蚀多个通孔，并在通孔中填充金属，与CMOS集成电路芯片上的电极接触，完成电学互连；步骤6：在光电器件层的表面淀积金属，制备电极，完成制备。本发明的工艺温度控制在400℃以下，可以防止因工艺温度过高导致的集成电路芯片失效。
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公开(公告)号：CN101465358A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710179892.6
申请日：2007-12-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明提出一种采用CMOS集成电路工艺制作的差分硅光电探测器，包括：一个衬底(16)；第一、二、三、四、五、六个阱(10)，所述阱等间距地制作在所述衬底上；第一、二、三、四、五、六个扩散区(11)，所述六个扩散区分别制作在所述六个阱的正中央；第七个扩散区(15)，所述第七个扩散区制作在所述六个扩散区和所述六个阱外面；在所述第一个、第三个和第五个扩散区上制作接触孔(14)，通过第一层金属(12)将这三个扩散区连在一起；在所述第二个、第四个和第六个扩散区上覆盖第一层金属，使这些扩散区不透光；在所述第二个、第四个和第六个扩散区上制作接触孔，通过第二层金属(13)将这三个扩散区连在一起。
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公开(公告)号：CN101135749A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200610112702.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 一种双电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器，包括一衬底；一二氧化硅掩埋层位于衬底上；一p型单晶硅层为衬底上的单晶硅，在p型单晶硅层的两侧形成栅氧化层；一p+注入层制作在p型单晶硅层的上面；一n型单晶硅层制作在二氧化硅掩埋层上及p型单晶硅层表面的栅氧化层的两侧，该n型单晶硅层和p型单晶硅层一起形成脊形波导结构；一n+注入层制作在n型单晶硅层脊形波导结构两侧的平面上；一金属接触层制作在p+注入层上面的中间位置及n+注入层上面的中间位置，分别形成调制器的正负电极；一氧化层，该氧化层制作在n型单晶硅层和p型单晶硅层的表面，起到保护作用。
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公开(公告)号：CN115274889B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202210694742.3
申请日：2022-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/08 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种石墨烯器件及其制备方法、光电探测器，制备方法包括：对衬底进行光刻，形成器件图案，其中，器件图案包括第一部分图案和第二部分图案，第一部分图案与第二部分图案之间的连接处为尖端形状；在器件图案上制备金属催化层，其中，金属催化层的形状与器件图案的形状相同；在预设温度条件下，在金属催化层表面生长石墨烯并使金属催化层的尖端处熔断，得到石墨烯器件。该制备方法通过一步法同时获得石墨烯和电极，进而得到光电性能优良的石墨烯器件，无需石墨烯的转移过程，解决了石墨烯转移过程损伤石墨烯，导致石墨烯光电探测器的性能差的技术问题。
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公开(公告)号：CN108793137B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810999694.2
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 一种利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法，包括以下步骤：将聚对二甲苯裂解后沉积在铜箔表面，作为固态碳源；将固态碳源和洁净铜箔放入双温区反应装置，其中固态碳源放在低温区，洁净铜箔放在高温区；反应装置抽真空后，将高温区升温至设置温度，通保护气和还原气体；将低温区升温至设置温度，反应结束后降温；关闭气体并将高温区降温至室温。本发明的利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法可以降低石墨烯的制备成本，加快单层石墨烯制备技术的提升，提高单层石墨烯产业化的潜力。
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