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公开(公告)号：CN103956408B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410191727.2
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/173
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，作为脊型光波导的芯层；步骤2：在衬底上相隔预定距离制备两个局部氧化隔离层，形成脊型光波导的两侧包层；步骤3：在两个局部氧化隔离层之间及两个局部氧化隔离层上制备一包层，形成脊型光波导的上包层；步骤4：将衬底减薄，完成制备。本发明的制作完全采用标准CMOS工艺，可以实现光波导器件与CMOS电路单片集成。
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公开(公告)号：CN103956408A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410191727.2
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/173
CPC classification number: Y02P70/521 , G02B6/13
Abstract: 一种采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，作为脊型光波导的芯层；步骤2：在衬底上相隔预定距离制备两个局部氧化隔离层，形成脊型光波导的两侧包层；步骤3：在两个局部氧化隔离层之间及两个局部氧化隔离层上制备一包层，形成脊型光波导的上包层；步骤4：将衬底减薄，完成制备。本发明的制作完全采用标准CMOS工艺，可以实现光波导器件与CMOS电路单片集成。
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公开(公告)号：CN103956340A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410192668.0
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/8249
CPC classification number: H01L21/823871
Abstract: 一种采用后端CMOS工艺三维光电集成的方法，包括如下步骤：步骤1：提供CMOS集成电路芯片；步骤2：在CMOS集成电路芯片上表面制备二氧化硅层；步骤3：对二氧化硅层进行平坦化处理；步骤4：在二氧化硅层上表面制备光电器件层，并在此层制备光电器件；步骤5：在光电器件层的表面向下刻蚀多个通孔，并在通孔中填充金属，与CMOS集成电路芯片上的电极接触，完成电学互连；步骤6：在光电器件层的表面淀积金属，制备电极，完成制备。本发明的工艺温度控制在400℃以下，可以防止因工艺温度过高导致的集成电路芯片失效。
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公开(公告)号：CN103811568A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410060091.8
申请日：2014-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/101
CPC classification number: H01L31/02325 , H01L31/028 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器，包括：SOI衬底，由下至上依次包括硅、埋氧层和顶层硅；刻蚀该顶层硅形成的一维光栅，该一维光栅由多个二氧化硅条(6)和多个硅条(7)交替分布构成，用以调制与石墨烯层作用的光场的空间分布；形成于该一维光栅之上的石墨烯层(8)，作为有源层与其周围的光场作用产生电子空穴对；形成于该石墨烯层(8)之上的第一叉指电极(4)和第二叉指电极(5)，二者均与石墨烯接触从而在接触面形成内建电场，用以实现对光生载流子的有效收集而形成光电流。利用本发明，通过光栅结构调制入射光在石墨烯周围的光场，以实现红外探测的高响应度和高带宽。
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公开(公告)号：CN102928925A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210408449.2
申请日：2012-10-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02B6/26
Abstract: 一种基于对称垂直光栅耦合结构的SOI基光隔离器，包括：一个垂直耦合光栅；两个模式转换器，分别制作在垂直耦合光栅的两侧，实现近似无损耗的能量传输以及模式转换；两个单模脊型波导，其分别与两个模式转换器的一端连接；一个光学合束器，其分别与两个单模脊型波导的另一端连接；其中所述的一个垂直耦合光栅、两个模式转换器、两个单模脊型波导和一个光学合束器均制作在一衬底上。其具有耦合与光隔离功能一体化、易于对准、低插入损耗、制作工艺与CMOS工艺兼容等潜在的特性和优点，有望在未来的片上/片间光互连网络中获得重要应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103811568B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410060091.8
申请日：2014-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器，包括：SOI衬底，由下至上依次包括硅、埋氧层和顶层硅；刻蚀该顶层硅形成的一维光栅，该一维光栅由多个二氧化硅条(6)和多个硅条(7)交替分布构成，用以调制与石墨烯层作用的光场的空间分布；形成于该一维光栅之上的石墨烯层(8)，作为有源层与其周围的光场作用产生电子空穴对；形成于该石墨烯层(8)之上的第一叉指电极(4)和第二叉指电极(5)，二者均与石墨烯接触从而在接触面形成内建电场，用以实现对光生载流子的有效收集而形成光电流。利用本发明，通过光栅结构调制入射光在石墨烯周围的光场，以实现红外探测的高响应度和高带宽。
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公开(公告)号：CN102540505B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210010933.X
申请日：2012-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/025
Abstract: 一种基于对称垂直光栅耦合的SOI基电光调制器，包括：一个对称垂直耦合光栅，作为SOI基电光调制器与单模光纤的接口或耦合器和SOI基电光调制器输入端的3-dB光学分束器；两个模式转换器，作为对称垂直耦合光栅处宽波导与单模脊型波导的连接；两个光学相移臂，每个光学相移臂由单模脊型波导和嵌入到其中的电学结构组成；一个光学合束器，用于将对称垂直耦合光栅分成的两个光学相移臂中的光合为一束，从而将光的相位调制转换为强度调制；两个共面波导行波电极，分别位于两个光学相移臂的上面，与光学相移臂中的电学结构形成电学接触，用于射频/微波电调制信号的加载和传输；一个环形金属对准标记，位于对称垂直耦合光栅的周围，用于光栅测试时对光纤的对准。
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公开(公告)号：CN102565955B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210012013.1
申请日：2012-01-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种电可调谐光栅耦合器，包括：一SOI衬底，包括硅衬底、埋氧层以及上方的顶层硅层；一斜入射光栅耦合器，位于SOI衬底之上的顶层硅层上；一P+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的一侧平板区域内；一N+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的另一侧平板区域内；一对电极，位于P+掺杂区和N+掺杂区的上方，通过金属接触通孔分别与P+掺杂区和N+掺杂区相连，用于电信号的加载；一模式转换器，一端为宽波导，该模式转换器位于斜入射光栅耦合器的一端，具有宽波导的一端与斜入射光栅耦合器的一端耦合；一单模脊型波导，与斜入射光栅耦合器分别位于模式转换器的两端；一衬底金反射镜，嵌入于SOI衬底底部的硅衬底中，斜入射光栅耦合器和埋氧层的下方。
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公开(公告)号：CN102565955A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210012013.1
申请日：2012-01-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种电可调谐光栅耦合器，包括：一SOI衬底，包括硅衬底、埋氧层以及上方的顶层硅层；一斜入射光栅耦合器，位于SOI衬底之上的顶层硅层上；一P+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的一侧平板区域内；一N+掺杂区，位于斜入射光栅耦合器的另一侧平板区域内；一对电极，位于P+掺杂区和N+掺杂区的上方，通过金属接触通孔分别与P+掺杂区和N+掺杂区相连，用于电信号的加载；一模式转换器，一端为宽波导，该模式转换器位于斜入射光栅耦合器的一端，具有宽波导的一端与斜入射光栅耦合器的一端耦合；一单模脊型波导，与斜入射光栅耦合器分别位于模式转换器的两端；一衬底金反射镜，嵌入于SOI衬底底部的硅衬底中，斜入射光栅耦合器和埋氧层的下方。
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公开(公告)号：CN102540505A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210010933.X
申请日：2012-01-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F1/025
Abstract: 一种基于对称垂直光栅耦合的SOI基电光调制器，包括：一个对称垂直耦合光栅，作为SOI基电光调制器与单模光纤的接口或耦合器和SOI基电光调制器输入端的3-dB光学分束器；两个模式转换器，作为对称垂直耦合光栅处宽波导与单模脊型波导的连接；两个光学相移臂，每个光学相移臂由单模脊型波导和嵌入到其中的电学结构组成；一个光学合束器，用于将对称垂直耦合光栅分成的两个光学相移臂中的光合为一束，从而将光的相位调制转换为强度调制；两个共面波导行波电极，分别位于两个光学相移臂的上面，与光学相移臂中的电学结构形成电学接触，用于射频/微波电调制信号的加载和传输；一个环形金属对准标记，位于对称垂直耦合光栅的周围，用于光栅测试时对光纤的对准。
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