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公开(公告)号：CN104090447B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201410331789.9
申请日：2014-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种无源光限幅器，包括：一基底，该基底上面开有一凹槽；一输入光路，其制作在基底上面的一侧，一端探入到凹槽上；一输出光路，其制作在基底上面的另一侧，一端探入到凹槽上，该输入光路和输出光路之间有一狭缝，形成镜面微腔；一光输入端，其与输入光路连接；一光输出端，其与输出光路连接。本发明提供的无源光限幅器，具有结构简单，成本低，反应速度快，性能稳定的优点。
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公开(公告)号：CN108793137B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810999694.2
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 一种利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法，包括以下步骤：将聚对二甲苯裂解后沉积在铜箔表面，作为固态碳源；将固态碳源和洁净铜箔放入双温区反应装置，其中固态碳源放在低温区，洁净铜箔放在高温区；反应装置抽真空后，将高温区升温至设置温度，通保护气和还原气体；将低温区升温至设置温度，反应结束后降温；关闭气体并将高温区降温至室温。本发明的利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法可以降低石墨烯的制备成本，加快单层石墨烯制备技术的提升，提高单层石墨烯产业化的潜力。
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公开(公告)号：CN103956408B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410191727.2
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/173
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，作为脊型光波导的芯层；步骤2：在衬底上相隔预定距离制备两个局部氧化隔离层，形成脊型光波导的两侧包层；步骤3：在两个局部氧化隔离层之间及两个局部氧化隔离层上制备一包层，形成脊型光波导的上包层；步骤4：将衬底减薄，完成制备。本发明的制作完全采用标准CMOS工艺，可以实现光波导器件与CMOS电路单片集成。
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公开(公告)号：CN103956408A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410191727.2
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/173
CPC classification number: Y02P70/521 , G02B6/13
Abstract: 一种采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，作为脊型光波导的芯层；步骤2：在衬底上相隔预定距离制备两个局部氧化隔离层，形成脊型光波导的两侧包层；步骤3：在两个局部氧化隔离层之间及两个局部氧化隔离层上制备一包层，形成脊型光波导的上包层；步骤4：将衬底减薄，完成制备。本发明的制作完全采用标准CMOS工艺，可以实现光波导器件与CMOS电路单片集成。
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公开(公告)号：CN111142186B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201911424036.1
申请日：2019-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种波导结构的神经突触，包括：脊形波导层(1)、狭缝结构(2)、相变材料(3)以及平板波导层(4)；狭缝结构(2)设置于脊形波导层(1)之间，且与脊形波导层(1)接触，狭缝结构(2)与脊形波导层(1)之间形成凹槽结构(5)；相变材料(3)填充凹槽结构(5)，相变材料(3)还设置于脊形波导层(1)以及填充后的凹槽结构(5)的表面；脊形波导层(1)以及狭缝结构(2)设置于平板波导层(4)的上方，脊形波导层(1)、狭缝结构(2)以及平板波导层(4)形成的结构能够实现波导的单模传输。本发明提供的波导结构的神经突触至少用于解决神经突触中权重动态范围低以及动态功耗高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108793137A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810999694.2
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 一种利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法，包括以下步骤：将聚对二甲苯裂解后沉积在铜箔表面，作为固态碳源；将固态碳源和洁净铜箔放入双温区反应装置，其中固态碳源放在低温区，洁净铜箔放在高温区；反应装置抽真空后，将高温区升温至设置温度，通保护气和还原气体；将低温区升温至设置温度，反应结束后降温；关闭气体并将高温区降温至室温。本发明的利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法可以降低石墨烯的制备成本，加快单层石墨烯制备技术的提升，提高单层石墨烯产业化的潜力。
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公开(公告)号：CN105812058A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610320188.7
申请日：2016-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/116 , H04L29/10
CPC classification number: H04B10/116 , H04L29/10
Abstract: 本发明公开了一种数据接口，包括：控制芯片，负责从与数据接口相连的设备接收输入数据和向该设备提供输出数据，管理数据接口的供电和时序控制；调制电路，与控制芯片相连，实现来自控制芯片的表示输入数据的电调制；LED，与调制电路的调制发送信号线相连，将已调制的电信号转换为光信号；前透镜，LED的发散光线通过前透镜变为平行光线从该数据接口出射；滤光片，滤除该数据接口接收的非信号光的杂色光，保留信号光；后透镜，将光线汇聚到探测器处；接收机，与控制芯片的接收信号线相连，接收机的探测器将光信号转换为电信号，经过接收机的解调电路将电信号转换为数字基带信号发送到控制芯片，控制芯片基于数字基带信号得到要提供给设备的输出数据。
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公开(公告)号：CN111142186A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911424036.1
申请日：2019-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种波导结构的神经突触，包括：脊形波导层(1)、狭缝结构(2)、相变材料(3)以及平板波导层(4)；狭缝结构(2)设置于脊形波导层(1)之间，且与脊形波导层(1)接触，狭缝结构(2)与脊形波导层(1)之间形成凹槽结构(5)；相变材料(3)填充凹槽结构(5)，相变材料(3)还设置于脊形波导层(1)以及填充后的凹槽结构(5)的表面；脊形波导层(1)以及狭缝结构(2)设置于平板波导层(4)的上方，脊形波导层(1)、狭缝结构(2)以及平板波导层(4)形成的结构能够实现波导的单模传输。本发明提供的波导结构的神经突触至少用于解决神经突触中权重动态范围低以及动态功耗高的问题。
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公开(公告)号：CN104037068B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410324605.6
申请日：2014-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种全新的芯片表面污物清洁处理的方法，包括步骤：将待清理芯片在烘箱中烘烤第一预定时间；将待清理芯片在室温下冷却后置于热板上；在冷却后的待清理芯片上放置一限位框，所述限位框具有一中空部分，用于在所述待清理芯片表面限定待清理部位；在限位框中滴入液态胶，使其充满限位框的中空部分；打开热板电源，使温度升高至第一预定温度并保持第二预定时间；将带限位框的芯片由热板放到去离子水中；剥离限位框和芯片；将芯片先后在丙酮、乙醇中浸泡，然后在去离子水反复冲洗后用氮气吹干。本发明能够实现某些功能芯片重复利用以及对芯片特定区域进行清洁处理提供有效解决办法。
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公开(公告)号：CN104090447A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410331789.9
申请日：2014-07-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种无源光限幅器，包括：一基底，该基底上面开有一凹槽；一输入光路，其制作在基底上面的一侧，一端探入到凹槽上；一输出光路，其制作在基底上面的另一侧，一端探入到凹槽上，该输入光路和输出光路之间有一狭缝，形成镜面微腔；一光输入端，其与输入光路连接；一光输出端，其与输出光路连接。本发明提供的无源光限幅器，具有结构简单，成本低，反应速度快，性能稳定的优点。
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