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公开(公告)号：CN118943208A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310517673.3
申请日：2023-05-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/028 , H01L31/032 , H01L31/0336 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本公开提供了一种量子点‑石墨烯探测器及其制备方法，应用于半导体技术领域，该方法包括：通过负胶光刻工艺在氧化硅片衬底的一边上蒸镀金属底电极；通过负胶光刻工艺在该金属底电极上溅射氧化镍层；在该氧化镍层转移单层石墨烯层；通过正胶光刻工艺和氧等离子体刻蚀进行该石墨烯层的图形化，使该石墨烯层覆盖部分该氧化镍层的表面以及该氧化硅衬底的另一边的表面；在该石墨烯层通过负胶光刻工艺蒸镀金属顶电极，得到预备探测器；在该预备探测器的上表面旋涂量子点膜。可以抑制石墨烯暗电流。
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公开(公告)号：CN113793881B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111089808.8
申请日：2021-09-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/10 , H01L31/0216 , G06N3/067
Abstract: 本公开提供了一种光电突触器件阵列及其制备方法、图像处理设备，该光电突触器件阵列包括：底电极；依次叠设于底电极上的P型半导体层、N型半导体层、光吸收层以及透明的顶电极；其中，顶电极与底电极保持垂直交叉结构，每个交叉点形成一个单独的光电突触器件单元。
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公开(公告)号：CN113782640A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111065535.3
申请日：2021-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/09 , H01L27/144 , C01B32/186 , G01J5/20
Abstract: 本公开提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的制备方法，包括：S1，在CMOS集成电路表面沉积隔离层；S2，在隔离层中刻蚀通孔，填充金属；S3，在隔离层表面溅射金属镍层；S4，在金属镍层的表面等离子增强化学气相淀积石墨烯；S5，腐蚀去除金属镍层；S6，制备电极，得到基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片。本公开还提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的红外成像系统。本公开通过引入石墨烯‑CMOS单片集成探测器芯片可以实现多光谱的红外成像，有效地解决了现有红外成像领域低成本、多光谱红外成像的技术难点。
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公开(公告)号：CN112864164A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011643161.4
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568
Abstract: 本发明提供一种三端人工光学突触，包括：栅极(2)；依次叠设于所述栅极表面的离子存储层(3)；离子导体层(4)和半导体沟道层(5)；源极(6)和漏极(7)，分别位于所述半导体沟道层(5)的表面两端；其中，所述半导体沟道层(5)采用与所述离子存储层(3)的互补的半导体材料。本发明还提供一种该三端人工光学突触的制备方法。本发明通过对半导体沟道层施加不同的光学和电学脉冲调节该层内部的活跃性离子的浓度，从而实现人工光学突触的兴奋和抑制。本发明的三端人工光学突触器件采用互补型半导体的电容效应提高了稳定性和重复率，降低了人工光学突触的能耗，对沟道导电性的增强和抑制的可控性增强。
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公开(公告)号：CN115274889B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202210694742.3
申请日：2022-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/08 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种石墨烯器件及其制备方法、光电探测器，制备方法包括：对衬底进行光刻，形成器件图案，其中，器件图案包括第一部分图案和第二部分图案，第一部分图案与第二部分图案之间的连接处为尖端形状；在器件图案上制备金属催化层，其中，金属催化层的形状与器件图案的形状相同；在预设温度条件下，在金属催化层表面生长石墨烯并使金属催化层的尖端处熔断，得到石墨烯器件。该制备方法通过一步法同时获得石墨烯和电极，进而得到光电性能优良的石墨烯器件，无需石墨烯的转移过程，解决了石墨烯转移过程损伤石墨烯，导致石墨烯光电探测器的性能差的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108793137B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810999694.2
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 一种利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法，包括以下步骤：将聚对二甲苯裂解后沉积在铜箔表面，作为固态碳源；将固态碳源和洁净铜箔放入双温区反应装置，其中固态碳源放在低温区，洁净铜箔放在高温区；反应装置抽真空后，将高温区升温至设置温度，通保护气和还原气体；将低温区升温至设置温度，反应结束后降温；关闭气体并将高温区降温至室温。本发明的利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法可以降低石墨烯的制备成本，加快单层石墨烯制备技术的提升，提高单层石墨烯产业化的潜力。
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公开(公告)号：CN113782640B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202111065535.3
申请日：2021-09-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/09 , H01L27/144 , C01B32/186 , G01J5/20
Abstract: 本公开提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的制备方法，包括：S1，在CMOS集成电路表面沉积隔离层；S2，在隔离层中刻蚀通孔，填充金属；S3，在隔离层表面溅射金属镍层；S4，在金属镍层的表面等离子增强化学气相淀积石墨烯；S5，腐蚀去除金属镍层；S6，制备电极，得到基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片。本公开还提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的红外成像系统。本公开通过引入石墨烯‑CMOS单片集成探测器芯片可以实现多光谱的红外成像，有效地解决了现有红外成像领域低成本、多光谱红外成像的技术难点。
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公开(公告)号：CN115274889A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210694742.3
申请日：2022-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/08 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种石墨烯器件及其制备方法、光电探测器，制备方法包括：对衬底进行光刻，形成器件图案，其中，器件图案包括第一部分图案和第二部分图案，第一部分图案与第二部分图案之间的连接处为尖端形状；在器件图案上制备金属催化层，其中，金属催化层的形状与器件图案的形状相同；在预设温度条件下，在金属催化层表面生长石墨烯并使金属催化层的尖端处熔断，得到石墨烯器件。该制备方法通过一步法同时获得石墨烯和电极，进而得到光电性能优良的石墨烯器件，无需石墨烯的转移过程，解决了石墨烯转移过程损伤石墨烯，导致石墨烯光电探测器的性能差的技术问题。
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公开(公告)号：CN112864164B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202011643161.4
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568
Abstract: 本发明提供一种三端人工光学突触，包括：栅极(2)；依次叠设于所述栅极表面的离子存储层(3)；离子导体层(4)和半导体沟道层(5)；源极(6)和漏极(7)，分别位于所述半导体沟道层(5)的表面两端；其中，所述半导体沟道层(5)采用与所述离子存储层(3)的互补的半导体材料。本发明还提供一种该三端人工光学突触的制备方法。本发明通过对半导体沟道层施加不同的光学和电学脉冲调节该层内部的活跃性离子的浓度，从而实现人工光学突触的兴奋和抑制。本发明的三端人工光学突触器件采用互补型半导体的电容效应提高了稳定性和重复率，降低了人工光学突触的能耗，对沟道导电性的增强和抑制的可控性增强。
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公开(公告)号：CN114326923A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210127057.2
申请日：2022-02-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于偏振旋转分束器实现的光学矩阵向量乘法器，包括由半导体激光器阵列组成的多波长光源模块、由调制器阵列组成的电光转换模块、基于可重构的偏振旋转分束器阵列的信号加权模块以及由平衡探测器和跨阻放大器组成的信号累加模块。本发明采用相变材料与超表面结构结合的方式实现了可重构的偏振旋转分束器，可重构的偏振旋转分束器能够分离TE偏振模光信号和TM偏振模光信号，并通过添加偏压作为外部激励，能够改变偏振旋转分束器的相变波导表面的结晶态，从而改变TE偏振模光信号和TM偏振模光信号的比例，根据比例不同的偏振模的功率组分之差来表示权重值，可以实现权重态的精确调控，解决权重的正负态表达问题。
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