公开(公告)号：CN114326923B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202210127057.2

申请日：2022-02-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄北举 ,  黄宇龙 ,  程传同 ,  张欢 ,  张恒杰 ,  陈润 ,  陈弘达

IPC: G06E1/04 ,  G06F7/523 ,  G02F3/00 ,  G02F3/02

Abstract: 本发明公开了一种基于偏振旋转分束器实现的光学矩阵向量乘法器，包括由半导体激光器阵列组成的多波长光源模块、由调制器阵列组成的电光转换模块、基于可重构的偏振旋转分束器阵列的信号加权模块以及由平衡探测器和跨阻放大器组成的信号累加模块。本发明采用相变材料与超表面结构结合的方式实现了可重构的偏振旋转分束器，可重构的偏振旋转分束器能够分离TE偏振模光信号和TM偏振模光信号，并通过添加偏压作为外部激励，能够改变偏振旋转分束器的相变波导表面的结晶态，从而改变TE偏振模光信号和TM偏振模光信号的比例，根据比例不同的偏振模的功率组分之差来表示权重值，可以实现权重态的精确调控，解决权重的正负态表达问题。

公开(公告)号：CN113793881A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202111089808.8

申请日：2021-09-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程传同 ,  张恒杰 ,  黄北举 ,  张欢 ,  陈润 ,  黄宇龙 ,  陈弘达

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0216 ,  G06N3/067

Abstract: 本公开提供了一种光电突触器件阵列及其制备方法、图像处理设备，该光电突触器件阵列包括：底电极；依次叠设于底电极上的P型半导体层、N型半导体层、光吸收层以及透明的顶电极；其中，顶电极与底电极保持垂直交叉结构，每个交叉点形成一个单独的光电突触器件单元。

公开(公告)号：CN113782640B

公开(公告)日：2023-02-21

申请号：CN202111065535.3

申请日：2021-09-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄北举 ,  陈润 ,  程传同 ,  张恒杰 ,  张欢 ,  黄宇龙 ,  陈弘达

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/09 ,  H01L27/144 ,  C01B32/186 ,  G01J5/20

Abstract: 本公开提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的制备方法，包括：S1，在CMOS集成电路表面沉积隔离层；S2，在隔离层中刻蚀通孔，填充金属；S3，在隔离层表面溅射金属镍层；S4，在金属镍层的表面等离子增强化学气相淀积石墨烯；S5，腐蚀去除金属镍层；S6，制备电极，得到基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片。本公开还提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的红外成像系统。本公开通过引入石墨烯‑CMOS单片集成探测器芯片可以实现多光谱的红外成像，有效地解决了现有红外成像领域低成本、多光谱红外成像的技术难点。

公开(公告)号：CN114326923A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202210127057.2

申请日：2022-02-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄北举 ,  黄宇龙 ,  程传同 ,  张欢 ,  张恒杰 ,  陈润 ,  陈弘达

IPC: G06E1/04 ,  G06F7/523 ,  G02F3/00 ,  G02F3/02

Abstract: 本发明公开了一种基于偏振旋转分束器实现的光学矩阵向量乘法器，包括由半导体激光器阵列组成的多波长光源模块、由调制器阵列组成的电光转换模块、基于可重构的偏振旋转分束器阵列的信号加权模块以及由平衡探测器和跨阻放大器组成的信号累加模块。本发明采用相变材料与超表面结构结合的方式实现了可重构的偏振旋转分束器，可重构的偏振旋转分束器能够分离TE偏振模光信号和TM偏振模光信号，并通过添加偏压作为外部激励，能够改变偏振旋转分束器的相变波导表面的结晶态，从而改变TE偏振模光信号和TM偏振模光信号的比例，根据比例不同的偏振模的功率组分之差来表示权重值，可以实现权重态的精确调控，解决权重的正负态表达问题。

公开(公告)号：CN113793881B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202111089808.8

申请日：2021-09-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程传同 ,  张恒杰 ,  黄北举 ,  张欢 ,  陈润 ,  黄宇龙 ,  陈弘达

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0216 ,  G06N3/067

Abstract: 本公开提供了一种光电突触器件阵列及其制备方法、图像处理设备，该光电突触器件阵列包括：底电极；依次叠设于底电极上的P型半导体层、N型半导体层、光吸收层以及透明的顶电极；其中，顶电极与底电极保持垂直交叉结构，每个交叉点形成一个单独的光电突触器件单元。

公开(公告)号：CN113782640A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111065535.3

申请日：2021-09-10

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 黄北举 ,  陈润 ,  程传同 ,  张恒杰 ,  张欢 ,  黄宇龙 ,  陈弘达

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/09 ,  H01L27/144 ,  C01B32/186 ,  G01J5/20

Abstract: 本公开提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的制备方法，包括：S1，在CMOS集成电路表面沉积隔离层；S2，在隔离层中刻蚀通孔，填充金属；S3，在隔离层表面溅射金属镍层；S4，在金属镍层的表面等离子增强化学气相淀积石墨烯；S5，腐蚀去除金属镍层；S6，制备电极，得到基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片。本公开还提供了一种基于石墨烯‑CMOS单片集成的探测器芯片的红外成像系统。本公开通过引入石墨烯‑CMOS单片集成探测器芯片可以实现多光谱的红外成像，有效地解决了现有红外成像领域低成本、多光谱红外成像的技术难点。