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公开(公告)号：CN114326923B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202210127057.2
申请日：2022-02-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于偏振旋转分束器实现的光学矩阵向量乘法器，包括由半导体激光器阵列组成的多波长光源模块、由调制器阵列组成的电光转换模块、基于可重构的偏振旋转分束器阵列的信号加权模块以及由平衡探测器和跨阻放大器组成的信号累加模块。本发明采用相变材料与超表面结构结合的方式实现了可重构的偏振旋转分束器，可重构的偏振旋转分束器能够分离TE偏振模光信号和TM偏振模光信号，并通过添加偏压作为外部激励，能够改变偏振旋转分束器的相变波导表面的结晶态，从而改变TE偏振模光信号和TM偏振模光信号的比例，根据比例不同的偏振模的功率组分之差来表示权重值，可以实现权重态的精确调控，解决权重的正负态表达问题。
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公开(公告)号：CN116948629A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310854906.9
申请日：2023-07-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种钙钛矿闪烁体材料制备方法，该方法包括：S11，旋涂底层钙钛矿纳米晶层，沉积底层聚合物薄膜层；S12，在底层聚合物薄膜层上表面依次旋涂钙钛矿纳米晶层和聚合物薄膜层，钙钛矿纳米晶层和聚合物薄膜层组成复合结构层；其中，复合结构层至少为两层；复合结构层的最上层包括顶层钙钛矿纳米晶层；其中，自下而上从底层钙钛矿纳米晶层至顶层钙钛矿纳米晶层，钙钛矿纳米晶层的带隙逐层降低。本公开另一方面提供了一种利用钙钛矿闪烁体材料制备间接型X射线探测器的方法。本公开通过引入钙钛矿纳米晶带隙梯度变化的多层薄膜解决自吸收问题，采用聚合物薄膜增加钙钛矿闪烁体材料稳定性，并采用高响应度光探测器配合钙钛矿闪烁体部分。
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公开(公告)号：CN113793881A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111089808.8
申请日：2021-09-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/10 , H01L31/0216 , G06N3/067
Abstract: 本公开提供了一种光电突触器件阵列及其制备方法、图像处理设备，该光电突触器件阵列包括：底电极；依次叠设于底电极上的P型半导体层、N型半导体层、光吸收层以及透明的顶电极；其中，顶电极与底电极保持垂直交叉结构，每个交叉点形成一个单独的光电突触器件单元。
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公开(公告)号：CN103956408B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410191727.2
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/173
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，作为脊型光波导的芯层；步骤2：在衬底上相隔预定距离制备两个局部氧化隔离层，形成脊型光波导的两侧包层；步骤3：在两个局部氧化隔离层之间及两个局部氧化隔离层上制备一包层，形成脊型光波导的上包层；步骤4：将衬底减薄，完成制备。本发明的制作完全采用标准CMOS工艺，可以实现光波导器件与CMOS电路单片集成。
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公开(公告)号：CN103956408A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410191727.2
申请日：2014-05-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/173
CPC classification number: Y02P70/521 , G02B6/13
Abstract: 一种采用标准CMOS工艺制备脊型光波导的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，作为脊型光波导的芯层；步骤2：在衬底上相隔预定距离制备两个局部氧化隔离层，形成脊型光波导的两侧包层；步骤3：在两个局部氧化隔离层之间及两个局部氧化隔离层上制备一包层，形成脊型光波导的上包层；步骤4：将衬底减薄，完成制备。本发明的制作完全采用标准CMOS工艺，可以实现光波导器件与CMOS电路单片集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115274889B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202210694742.3
申请日：2022-06-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/028 , H01L31/08 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种石墨烯器件及其制备方法、光电探测器，制备方法包括：对衬底进行光刻，形成器件图案，其中，器件图案包括第一部分图案和第二部分图案，第一部分图案与第二部分图案之间的连接处为尖端形状；在器件图案上制备金属催化层，其中，金属催化层的形状与器件图案的形状相同；在预设温度条件下，在金属催化层表面生长石墨烯并使金属催化层的尖端处熔断，得到石墨烯器件。该制备方法通过一步法同时获得石墨烯和电极，进而得到光电性能优良的石墨烯器件，无需石墨烯的转移过程，解决了石墨烯转移过程损伤石墨烯，导致石墨烯光电探测器的性能差的技术问题。
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公开(公告)号：CN114899268B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210619483.8
申请日：2022-05-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/18 , G01S7/48
Abstract: 本公开提供一种硅光电倍增管，可用于光电探测技术领域，硅光电倍增管包括：衬底，由P型低阻硅构成；外延层，形成于衬底的表面，外延层由p型高阻硅构成；多个N++掺杂区和多个P++掺杂区，规则分布在外延层中，每个N++掺杂区和外延层组成一个PN结，沿垂直于衬底的方向，N++掺杂区和P++掺杂区呈柱状结构；正电极，形成于每个P++掺杂区中；负电极，形成于每个N++掺杂区中；减反射层，形成于外延层表面，其中，正电极与负电极对应的区域未形成减反射层；淬灭电阻，形成于减反射层表面且与负电极连接。该光电倍增管能够增加了耗尽区的体积，从而在不提高工作电压的条件下提高光子的探测效率。解决了传统硅光电倍增管效率和电压不能兼顾的问题。
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公开(公告)号：CN108793137B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201810999694.2
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 一种利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法，包括以下步骤：将聚对二甲苯裂解后沉积在铜箔表面，作为固态碳源；将固态碳源和洁净铜箔放入双温区反应装置，其中固态碳源放在低温区，洁净铜箔放在高温区；反应装置抽真空后，将高温区升温至设置温度，通保护气和还原气体；将低温区升温至设置温度，反应结束后降温；关闭气体并将高温区降温至室温。本发明的利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法可以降低石墨烯的制备成本，加快单层石墨烯制备技术的提升，提高单层石墨烯产业化的潜力。
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公开(公告)号：CN108321119A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810062157.5
申请日：2018-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/82 , H01L21/8238 , H01L27/085 , H01L27/12
Abstract: 一种三维光电集成滤波器及其制备方法，包括：自下而上依次沉积在CMOS集成电路上的隔离层、第一光电器件层、监测层、缓冲层、第二光电器件层和保护层，多个通孔穿过上述各层，所述通孔中填充有金属并与CMOS集成电路的电极接触，通孔上方设置有互连电极；其中，第一光电器件层用于制备与CMOS集成电路相互作用的下层滤波器；第二光电器件层用于制备与第一光电器件层进行光互连的上层滤波器。本发明既可以解决单个平面内光电子集成光互连的损耗和串扰，实现多个平面内多维光电子集成，提高光电子集成的密度和光互连系统的复杂度；又可以解决微环滤波器对环境温度的依赖，通过底层温控电路对顶层滤波器的自动热调谐，实现宽工作温度范围的目的。
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公开(公告)号：CN103811568B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410060091.8
申请日：2014-02-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器，包括：SOI衬底，由下至上依次包括硅、埋氧层和顶层硅；刻蚀该顶层硅形成的一维光栅，该一维光栅由多个二氧化硅条(6)和多个硅条(7)交替分布构成，用以调制与石墨烯层作用的光场的空间分布；形成于该一维光栅之上的石墨烯层(8)，作为有源层与其周围的光场作用产生电子空穴对；形成于该石墨烯层(8)之上的第一叉指电极(4)和第二叉指电极(5)，二者均与石墨烯接触从而在接触面形成内建电场，用以实现对光生载流子的有效收集而形成光电流。利用本发明，通过光栅结构调制入射光在石墨烯周围的光场，以实现红外探测的高响应度和高带宽。
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