公开(公告)号：CN114899268B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202210619483.8

申请日：2022-05-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程传同 ,  张恒杰 ,  罗霂榃 ,  陈弘达

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  G01S7/48

Abstract: 本公开提供一种硅光电倍增管，可用于光电探测技术领域，硅光电倍增管包括：衬底，由P型低阻硅构成；外延层，形成于衬底的表面，外延层由p型高阻硅构成；多个N++掺杂区和多个P++掺杂区，规则分布在外延层中，每个N++掺杂区和外延层组成一个PN结，沿垂直于衬底的方向，N++掺杂区和P++掺杂区呈柱状结构；正电极，形成于每个P++掺杂区中；负电极，形成于每个N++掺杂区中；减反射层，形成于外延层表面，其中，正电极与负电极对应的区域未形成减反射层；淬灭电阻，形成于减反射层表面且与负电极连接。该光电倍增管能够增加了耗尽区的体积，从而在不提高工作电压的条件下提高光子的探测效率。解决了传统硅光电倍增管效率和电压不能兼顾的问题。

公开(公告)号：CN114899268A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210619483.8

申请日：2022-05-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程传同 ,  张恒杰 ,  罗霂榃 ,  陈弘达

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  G01S7/48

Abstract: 本公开提供一种硅光电倍增管，可用于光电探测技术领域，硅光电倍增管包括：衬底，由P型低阻硅构成；外延层，形成于衬底的表面，外延层由p型高阻硅构成；多个N++掺杂区和多个P++掺杂区，规则分布在外延层中，每个N++掺杂区和外延层组成一个PN结，沿垂直于衬底的方向，N++掺杂区和P++掺杂区呈柱状结构；正电极，形成于每个P++掺杂区中；负电极，形成于每个N++掺杂区中；减反射层，形成于外延层表面，其中，正电极与负电极对应的区域未形成减反射层；淬灭电阻，形成于减反射层表面且与负电极连接。该光电倍增管能够增加了耗尽区的体积，从而在不提高工作电压的条件下提高光子的探测效率。解决了传统硅光电倍增管效率和电压不能兼顾的问题。