公开(公告)号：CN116948629A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310854906.9

申请日：2023-07-12

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程传同 ,  关硕 ,  黄丽婷 ,  黄北举 ,  陈弘达

IPC: C09K11/02 ,  G01T1/202 ,  G01T1/20 ,  C09K11/66 ,  B82Y20/00

Abstract: 本公开提供了一种钙钛矿闪烁体材料制备方法，该方法包括：S11，旋涂底层钙钛矿纳米晶层，沉积底层聚合物薄膜层；S12，在底层聚合物薄膜层上表面依次旋涂钙钛矿纳米晶层和聚合物薄膜层，钙钛矿纳米晶层和聚合物薄膜层组成复合结构层；其中，复合结构层至少为两层；复合结构层的最上层包括顶层钙钛矿纳米晶层；其中，自下而上从底层钙钛矿纳米晶层至顶层钙钛矿纳米晶层，钙钛矿纳米晶层的带隙逐层降低。本公开另一方面提供了一种利用钙钛矿闪烁体材料制备间接型X射线探测器的方法。本公开通过引入钙钛矿纳米晶带隙梯度变化的多层薄膜解决自吸收问题，采用聚合物薄膜增加钙钛矿闪烁体材料稳定性，并采用高响应度光探测器配合钙钛矿闪烁体部分。