公开(公告)号：CN115274889A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210694742.3

申请日：2022-06-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程传同 ,  刘玲玲 ,  张恒杰 ,  陈润 ,  于璇 ,  黄北举 ,  陈弘达

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开提供一种石墨烯器件及其制备方法、光电探测器，制备方法包括：对衬底进行光刻，形成器件图案，其中，器件图案包括第一部分图案和第二部分图案，第一部分图案与第二部分图案之间的连接处为尖端形状；在器件图案上制备金属催化层，其中，金属催化层的形状与器件图案的形状相同；在预设温度条件下，在金属催化层表面生长石墨烯并使金属催化层的尖端处熔断，得到石墨烯器件。该制备方法通过一步法同时获得石墨烯和电极，进而得到光电性能优良的石墨烯器件，无需石墨烯的转移过程，解决了石墨烯转移过程损伤石墨烯，导致石墨烯光电探测器的性能差的技术问题。

公开(公告)号：CN115274889B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202210694742.3

申请日：2022-06-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程传同 ,  刘玲玲 ,  张恒杰 ,  陈润 ,  于璇 ,  黄北举 ,  陈弘达

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开提供一种石墨烯器件及其制备方法、光电探测器，制备方法包括：对衬底进行光刻，形成器件图案，其中，器件图案包括第一部分图案和第二部分图案，第一部分图案与第二部分图案之间的连接处为尖端形状；在器件图案上制备金属催化层，其中，金属催化层的形状与器件图案的形状相同；在预设温度条件下，在金属催化层表面生长石墨烯并使金属催化层的尖端处熔断，得到石墨烯器件。该制备方法通过一步法同时获得石墨烯和电极，进而得到光电性能优良的石墨烯器件，无需石墨烯的转移过程，解决了石墨烯转移过程损伤石墨烯，导致石墨烯光电探测器的性能差的技术问题。