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公开(公告)号：CN111071985A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911394080.2
申请日：2019-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种通过引入牺牲层的阳极氧化铝薄膜制备牢固金属纳米颗粒的方法，包括以下步骤：在衬底上旋涂或蒸镀牺牲层，加热固化；将阳极氧化铝薄膜转移到所述牺牲层上；以阳极氧化铝薄膜为模板，刻蚀牺牲层；在上述步骤得到的衬底上蒸镀粘附层和金属层；去除阳极氧化铝薄膜；去除牺牲层，最终在所述衬底上形成牢固的金属纳米颗粒阵列。该方法可以实现在衬底上形成牢固纳米颗粒阵列，金属纳米颗粒的直径最小可制备30nm，厚度可随着纳米颗粒直径的增加而增加，但是不超过纳米颗粒直径。利用商用阳极氧化铝薄膜为模板，成本低廉，实验过程简单。
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公开(公告)号：CN108380249A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810145027.8
申请日：2018-02-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B01L3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于LSPR的多通道微流控传感芯片及其制作方法。其中，该制作方法，包括：将多孔胶片版贴在转移有双通AAO膜的衬底上，然后生长金膜；依次揭掉多孔胶片版、剥离双通AAO膜，在衬底上得到与多孔胶片版匹配的包含金纳米颗粒阵列的传感单元阵列；将带有传感单元阵列的衬底和与之匹配的多通道PDMS微流控芯片键合；以及修饰传感单元阵列中的金纳米颗粒，偶联检测抗体，完成多通道微流控传感芯片的制作。该制备方法简单、材料和制作成本较低，并且具有可调节的多个通道，可根据检测的标志物种类选择合适的通道数，集成度高，有利于实现产业化生产。
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公开(公告)号：CN118943208A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310517673.3
申请日：2023-05-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/028 , H01L31/032 , H01L31/0336 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本公开提供了一种量子点‑石墨烯探测器及其制备方法，应用于半导体技术领域，该方法包括：通过负胶光刻工艺在氧化硅片衬底的一边上蒸镀金属底电极；通过负胶光刻工艺在该金属底电极上溅射氧化镍层；在该氧化镍层转移单层石墨烯层；通过正胶光刻工艺和氧等离子体刻蚀进行该石墨烯层的图形化，使该石墨烯层覆盖部分该氧化镍层的表面以及该氧化硅衬底的另一边的表面；在该石墨烯层通过负胶光刻工艺蒸镀金属顶电极，得到预备探测器；在该预备探测器的上表面旋涂量子点膜。可以抑制石墨烯暗电流。
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公开(公告)号：CN111071985B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN201911394080.2
申请日：2019-12-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种通过引入牺牲层的阳极氧化铝薄膜制备牢固金属纳米颗粒的方法，包括以下步骤：在衬底上旋涂或蒸镀牺牲层，加热固化；将阳极氧化铝薄膜转移到所述牺牲层上；以阳极氧化铝薄膜为模板，刻蚀牺牲层；在上述步骤得到的衬底上蒸镀粘附层和金属层；去除阳极氧化铝薄膜；去除牺牲层，最终在所述衬底上形成牢固的金属纳米颗粒阵列。该方法可以实现在衬底上形成牢固纳米颗粒阵列，金属纳米颗粒的直径最小可制备30nm，厚度可随着纳米颗粒直径的增加而增加，但是不超过纳米颗粒直径。利用商用阳极氧化铝薄膜为模板，成本低廉，实验过程简单。
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公开(公告)号：CN111141703A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010014994.8
申请日：2020-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/3586 , G01N21/01
Abstract: 一种太赫兹超材料传感器，包括衬底、太赫兹超材料结构传感单元和用于限制细胞生长区域的聚二甲基硅氧烷围挡，其中：所述太赫兹超材料结构传感单元形成于所述衬底上，其上形成有周期性排列的劈裂环和两个圆环对准标记；所述聚二甲基硅氧烷围挡位于所述衬底上，包括中空圆内径与所述太赫兹超材料结构传感单元上的外圈圆环对准标记对齐的中间圆形镂空的聚二甲基硅氧烷方形片，以及外径与内圈圆环对准标记对齐的实心聚二甲基硅氧烷圆柱形片。该传感器制备流程简单，检测速度快，需要的细胞量少，为细胞迁移的检测提供又一快速、可靠的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108801746A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201710311447.4
申请日：2017-05-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N1/34 , G01N1/30 , G01N33/68 , G01N33/574
CPC classification number: G01N1/34 , G01N1/30 , G01N33/57484 , G01N33/68
Abstract: 本发明公开了一种分离和富集体液成分的装置，包括分离腔室、集成于所述分离腔室内的多个分离单元、连接在第一分离单元入口处的进样器和连接于所述分离腔室出口处的收样器；其中，每一个所述分离单元包括上层夹具、下层夹具和位于上层夹具与下层夹具之间的多孔滤膜，所述上层夹具中设置有进液口，所述下层夹具中设置有出液口，所述多孔滤膜的孔径直径小于所分离的组分的直径。本发明的装置具有集成度高、通量高、易操作等优势，为各类体外体液样本的快速分离提供一种便捷有效的新途径。
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公开(公告)号：CN110987916B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201911313338.1
申请日：2019-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种微流控芯片，包括：上微流通道层(1)、主体通道层(2)、下微流通道层(3)、上窗口层4以及下窗口层5；主体通道层(2)设置于上微流通道层(1)与下微流通道层(3)之间，上窗口层4设置于上微流通道层1的上方，下窗口层5设置于下微流通道层3的下方；上微流通道层(1)包括出样微流通道(11)；主体通道层(2)包括进样通道(21)、反应腔室(22)、出样通道(23)以及废液通道(24)；下微流通道层(3)包括进样微流通道(31)以及废液微流通道(32)。
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公开(公告)号：CN110987916A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911313338.1
申请日：2019-12-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种微流控芯片，包括：上微流通道层(1)、主体通道层(2)、下微流通道层(3)、上窗口层4以及下窗口层5；主体通道层(2)设置于上微流通道层(1)与下微流通道层(3)之间，上窗口层4设置于上微流通道层1的上方，下窗口层5设置于下微流通道层3的下方；上微流通道层(1)包括出样微流通道(11)；主体通道层(2)包括进样通道(21)、反应腔室(22)、出样通道(23)以及废液通道(24)；下微流通道层(3)包括进样微流通道(31)以及废液微流通道(32)。
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公开(公告)号：CN118062804A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211496658.7
申请日：2022-11-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种纸芯片及其制备方法，可应用于微流控芯片技术领域。其制备方法包括：S1、将预先设计的亲疏水图案进行加工，得到具有所述亲疏水图案的图案化的夹具模板；S2、将聚合物倒入所述图案化的夹具模板中，分别得到上层图案化夹具和下层图案化夹具；S3、将滤纸固定在所述上层图案化夹具和所述下层图案化夹具之间，得到夹有所述滤纸的装配体；S4、将所述夹有所述滤纸的装配体进行蒸镀；以及S5、取出所述装配体，得到具有所述亲疏水图案的纸芯片。该制备方法具有操作简单，低成本、安全无毒，环境友好等优点。
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公开(公告)号：CN111141703B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010014994.8
申请日：2020-01-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01N21/3586 , G01N21/01
Abstract: 一种太赫兹超材料传感器，包括衬底、太赫兹超材料结构传感单元和用于限制细胞生长区域的聚二甲基硅氧烷围挡，其中：所述太赫兹超材料结构传感单元形成于所述衬底上，其上形成有周期性排列的劈裂环和两个圆环对准标记；所述聚二甲基硅氧烷围挡位于所述衬底上，包括中空圆内径与所述太赫兹超材料结构传感单元上的外圈圆环对准标记对齐的中间圆形镂空的聚二甲基硅氧烷方形片，以及外径与内圈圆环对准标记对齐的实心聚二甲基硅氧烷圆柱形片。该传感器制备流程简单，检测速度快，需要的细胞量少，为细胞迁移的检测提供又一快速、可靠的方法。
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