公开(公告)号：CN115101608B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202210694257.6

申请日：2022-06-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程传同 ,  张恒杰 ,  李刘杰 ,  黄北举 ,  陈弘达

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/10 ,  H01L31/109

Abstract: 本公开提供一种石墨烯红外探测器，包括：衬底；介质层，形成于衬底上；源电极和漏电极，从介质层的表面延伸至介质层中，其中，源电极与漏电极之间在结构上不对称；石墨烯，形成于介质层、源电极和漏电极的表面；红外敏感半导体薄膜，形成于石墨烯上。该石墨烯红外探测器通过设置非对称电极结构，可实现石墨烯红外探测器零偏压工作，在石墨烯表面引入红外敏感半导体薄膜，可以作为增敏层，提高石墨烯红外探测器的光响应度，解决了石墨烯红外探测器存在的暗电流大、响应度低的技术问题。

公开(公告)号：CN115101608A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210694257.6

申请日：2022-06-16

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程传同 ,  张恒杰 ,  李刘杰 ,  黄北举 ,  陈弘达

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/10 ,  H01L31/109

Abstract: 本公开提供一种石墨烯红外探测器，包括：衬底；介质层，形成于衬底上；源电极和漏电极，从介质层的表面延伸至介质层中，其中，源电极与漏电极之间在结构上不对称；石墨烯，形成于介质层、源电极和漏电极的表面；红外敏感半导体薄膜，形成于石墨烯上。该石墨烯红外探测器通过设置非对称电极结构，可实现石墨烯红外探测器零偏压工作，在石墨烯表面引入红外敏感半导体薄膜，可以作为增敏层，提高石墨烯红外探测器的光响应度，解决了石墨烯红外探测器存在的暗电流大、响应度低的技术问题。

公开(公告)号：CN117238345A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311199361.9

申请日：2023-09-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李刘杰 ,  程传同 ,  黄北举 ,  陈弘达

IPC: G11C13/00

Abstract: 本公开提供一种用于忆阻器阵列的训练装置及方法，涉及存储技术领域。该装置包括：忆阻器阵列，包括多行多列忆阻器单元，每个忆阻器单元包括晶体管和忆阻器；脉冲发生器，产生幅度以及脉宽可变的脉冲信号；选通模块，在忆阻器阵列中选通目标忆阻器单元，并向目标忆阻器单元输入脉冲信号；检测模块，包括采样电阻，采样电阻的第一端与忆阻器阵列串联，第二端接地，检测模块被配置为：基于采样电阻两端的电压以及脉冲信号检测目标忆阻器单元的忆阻器电阻，若忆阻器电阻未达到预设电阻值，则控制选通模块向目标忆阻器单元输入不同幅度和脉宽的脉冲信号以调节目标忆阻器单元中的忆阻器电阻，直至忆阻器电阻达到预设电阻值。