公开(公告)号：CN115224150B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202210717030.9

申请日：2022-06-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程传同 ,  左金 ,  张恒杰 ,  黄北举 ,  陈弘达

IPC: H10F30/225 ,  H10F71/00 ,  H10F77/70 ,  H10F77/1223 ,  H10F77/14 ,  H10F77/30

Abstract: 本公开公开了一种硅光电倍增管及其制备方法，涉及光电传感器技术领域，尤其涉及单光子探测器技术领域。其中，该硅光电倍增管，包括。背电极、第一类型外延硅衬底、减反射层和电极，第一类型外延硅衬底包括第一类型硅衬底层、第一类型外延层和至少一个第二类型重掺杂区，其中，第一类型外延层和至少一个第二类型重掺杂区形成至少一个立体PN结；在第二类型重掺杂区的上表面设置倒金字塔结构；减反射层设置于第一类型外延硅衬底的上表面；电极设置于减反射层不覆盖第一类型外延硅衬底的上表面的区域；其中，第一类型和第二类型分别为电子型和空穴型中的一种。本公开可以在降低硅光电倍增管的工作电压的同时提高硅光电倍增管的光子探测效率。

公开(公告)号：CN115224150A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210717030.9

申请日：2022-06-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 程传同 ,  左金 ,  张恒杰 ,  黄北举 ,  陈弘达

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216

Abstract: 本公开公开了一种硅光电倍增管及其制备方法，涉及光电传感器技术领域，尤其涉及单光子探测器技术领域。其中，该硅光电倍增管，包括。背电极、第一类型外延硅衬底、减反射层和电极，第一类型外延硅衬底包括第一类型硅衬底层、第一类型外延层和至少一个第二类型重掺杂区，其中，第一类型外延层和至少一个第二类型重掺杂区形成至少一个立体PN结；在第二类型重掺杂区的上表面设置倒金字塔结构；减反射层设置于第一类型外延硅衬底的上表面；电极设置于减反射层不覆盖第一类型外延硅衬底的上表面的区域；其中，第一类型和第二类型分别为电子型和空穴型中的一种。本公开可以在降低硅光电倍增管的工作电压的同时提高硅光电倍增管的光子探测效率。