公开(公告)号：CN103031529B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201210376114.7

申请日：2012-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 水野茂 ,  户岛宏至 ,  五味淳 ,  宫下哲也 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/32688 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455

Abstract: 本发明提供一种磁控溅射装置，其确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。以与载置于真空容器（2）内的晶片（10）相对的方式配置靶（31），并在该靶（31）的背面侧设置磁体排列体（5）。该磁体排列体（5）具有：内侧磁体组（54），其矩阵状地排列有磁体（61、62）；和返回用的磁体（53），其设置于该内侧磁体组（54）的周围，阻止电子的飞出。由此，在靶（31）的正下方，基于会切磁场引起的电子的漂移产生高密度的等离子体，另外，腐蚀的面内均匀性提高。因此，能够使靶（31）和晶片（10）接近进行溅射，能够确保成膜速度的面内均匀性，并且提高成膜效率，提高靶的使用效率。

公开(公告)号：CN102112653A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200980130137.6

申请日：2009-08-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  原正道 ,  山本薰 ,  安室千晃

IPC: C23C16/44 ,  B01D53/14 ,  B01D53/18 ,  B01D53/72 ,  B01D53/77 ,  C23C16/16 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4412 ,  B01D53/002 ,  B01D53/62 ,  B01D53/75 ,  B01D2257/706 ,  B01D2258/0216 ,  B01D2259/416 ,  C23C16/16 ,  Y02C20/30

Abstract: 本发明提供一种原料回收方法，该原料回收方法从由处理容器排出的排出气体中回收原料，在处理容器中，使用使相对于特定的制冷剂不分解而具有稳定的特性的有机金属化合物的原料气化而得到的原料气体，在被处理体的表面上形成金属膜的薄膜，其特征在于，该原料回收方法具有：凝固工序，通过使上述排出气体与上述制冷剂接触而进行冷却，使未反应的原料气体凝固，并再次析出上述原料；回收工序，其从上述制冷剂中分离并回收在上述凝固工序中再次析出的上述原料。

公开(公告)号：CN101490818B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200780027573.1

申请日：2007-06-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  池田太郎 ,  波多野达夫

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、计算机程序以及存储介质，可以制造出能够抑制有机杂质层的形成并且铜膜与成为衬底的金属之间的密接性良好的半导体装置。将表面被由钛等氧化倾向高的金属构成的隔离金属层(衬底膜)(13)所覆盖的基板(晶片W)载置在处理容器内。在开始供给水蒸气的同时或者之后，供给由铜的有机化合物(例如Cu(hfac)TMVS)构成的原料气体，在通过水蒸气而形成有氧化物层(13a)的隔离金属层(13)的表面形成铜膜。接着，对该晶片(W)实施热处理，使氧化物层(13a)转化成构成隔离金属层(13)的金属和铜的合金层(13b)。

公开(公告)号：CN101421825B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200780012765.5

申请日：2007-02-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐久间隆 ,  池田太郎 ,  横山敦 ,  松田司 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/046 ,  H01J37/321 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882 ,  H01L21/76883

Abstract: 公开了一种仅通过等离子体溅射在例如半导体晶片W的处理对象的表面中所设置的凹部中嵌入金属的技术。作为典型实例，金属为铜。作为典型实例，凹部具有直径或宽度为100nm或更小的微细孔或沟。使成膜步骤和扩散步骤交替执行多次。成膜步骤在凹部中沉积少量金属膜。扩散步骤使沉积的金属膜朝向凹部的底部移动。在成膜步骤中，将对用于支持晶片W的载置台施加的偏置电能设定到一定的值，以保证在晶片W的表面上，由于金属粒子的吸入而产生的金属沉积速率基本上等于由等离子体进行的溅射蚀刻的速率。在扩散步骤中，将晶片W保持在允许发生沉积在凹部中的金属膜的表面扩散的温度。

公开(公告)号：CN101044259B

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200580035907.0

申请日：2005-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木健二 ,  池田太郎 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/14 ,  H01L23/52 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/2855 ,  C03C17/09 ,  C03C2218/153 ,  C03C2218/33 ,  C23C14/046 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/352 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供一种利用等离子体使金属靶(56)离子化，产生金属离子，利用偏置电力将金属离子引入到在处理容器内的载置台(20)上载置的被处理体(S)，使金属膜(74)沉积在形成有凹部(2)的被处理体上以填充凹部的方法。设定偏置电力，使得在被处理体表面，因金属离子的引入而产生的金属沉积速率和等离子体溅射蚀刻的蚀刻速率大致均衡。由此，能够向被处理体的凹部填充金属，而不会产生空隙等缺陷。

公开(公告)号：CN101542016A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000148.8

申请日：2008-02-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  原正道 ,  横山敦 ,  多贺敏

IPC: C23C16/16

CPC classification number: C23C16/16 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76873

Abstract: 本发明涉及一种成膜方法，其通过向被处理基板的表面上供给羰基金属原料的气相分子，在所述被处理基板表面附近使其分解，而在所述被处理基板的表面上堆积金属膜，设置有在所述被处理基板表面堆积金属层时，使与所述被处理基板外周部分邻接的区域中的所述羰基金属原料优先分解的工序，使得在所述被处理基板外周部附近的气氛中CO浓度局部增大，抑制金属膜在所述外周部的堆积。

公开(公告)号：CN100483637C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200480028497.2

申请日：2004-09-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 山崎英亮 ,  松田司 ,  五味淳 ,  波多野达夫 ,  立花光博 ,  松泽兴明 ,  河野有美子 ,  格特·J·莱乌辛克 ,  芬顿·R·麦克非利 ,  桑德拉·G·马尔霍特拉 ,  安德鲁·H·西蒙 ,  约翰·J·尤尔坎斯

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/16 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4408 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 本发明提供了一种利用间歇前驱气流工艺在衬底上形成金属层的方法。该方法包括使衬底暴露于还原气中，同时使衬底暴露于金属-羰基前驱气脉冲中。该工艺进行到在衬底上形成期望厚度的金属层。该金属层可以形成在衬底上，或者该金属层可以形成在金属成核层上。

公开(公告)号：CN119101879A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202410671771.7

申请日：2024-05-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡边直树 ,  波多野达夫

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/687 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种对载置基板的载台进行冷却的载台结构体、基板处理装置和温度控制方法。载台结构体包括：多个载台，用于载置基板；一个冷却板，由多个所述载台共用；冷冻机，用于冷却所述冷却板；以及升降装置，能够将多个所述载台的第一接触面与所述冷却板的第二接触面热连接或分离开。

公开(公告)号：CN114730727A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202080080931.0

申请日：2020-11-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 波多野达夫 ,  宫下哲也 ,  渡边直树 ,  铃木直行

IPC: H01L21/677

Abstract: 提供一种输送基板的基板输送装置。本公开的一技术方案的基板输送装置包括：平面马达，其设于输送室，并具有排列着的线圈；输送单元，其在所述平面马达上移动；以及控制部，其控制所述线圈的通电，所述输送单元包括：两个基座，其具有排列着的磁体，并在所述平面马达上移动；基板支承构件，其用于支承基板；以及连杆机构，其将所述基板支承构件和两个所述基座连结。

公开(公告)号：CN101914752B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010244028.1

申请日：2006-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  横山敦 ,  佐久间隆

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01J37/321 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844

Abstract: 本发明提供金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置。本发明的金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：将表面上形成有凹部的被处理的物体放置在处理容器中的载置台上；抽空处理容器以在其中产生真空；借助于从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处理容器中将金属靶离子化，以产生包括金属离子的金属粒子；通过对放置在载置台上的被处理的物体施加偏压电功率，将等离子体和金属粒子吸向被处理的物体，刮削凹部的底部以形成刮削凹部，并在包括凹部内和刮削凹部内的表面在内的被处理的物体的整个表面上沉积金属膜。