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公开(公告)号：CN112094649A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011008793.3
申请日：2020-09-23
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料，该上转换发光材料的化学通式为Te1‑xLnxO2，其中，Ln为Nd、Sm、Ho中的任一种，0＜X≤0.10。本发明还公开了该材料的制备方法，包括：按照上述化学组成式的摩尔配比，以二氧化碲为基质材料，掺杂稀土氧化物，加无水乙醇将混合料研磨混匀，进行两次高温固相烧结，再经研磨、过筛即得稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料。本发明制备得到的稀土掺杂二氧化碲上转换发光材料具有化学稳定性好，结晶度高、均匀性好、发光性能稳定等特点，适用于工业化生产，可作为新一代LED的潜在应用材料，能有效改善LED的显色性及使用性能。
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公开(公告)号：CN111379025A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010321316.6
申请日：2020-04-22
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种卤化铯铅晶体的生长方法，包括以下步骤：原料的密封：将卤化铯和卤化铅粉末干燥后，置于石英安培瓶中抽真空进行密封；多晶料的制备：将石英安培瓶置于摇摆炉内进行分阶段升温至690～700℃后，保温，然后将炉温降至室温，得到多晶料；卤化铯铅晶体的制备：将装有多晶料的安培瓶置于区熔炉的顶部，将区熔炉的温度升至690～730℃，待温场稳定之后将安培瓶向下移动，完成晶锭的生长；最后进行退火处理。本发明制备方法简单，容易控制，生长周期较短，温度梯度可调。本发明制备的晶体无明显的杂质，具有良好的光学性能，可以用于作为闪烁晶体用于辐射探测等领域。
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公开(公告)号：CN111334859A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010262675.9
申请日：2020-04-06
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明申请属于晶体生长技术领域，具体公开了一种利用氧化铝助熔剂生长二氧化铀晶体的方法，包括以下步骤：(1)将UO2-Al2O3原料按照设计的摩尔比配料混合均匀，然后压制成芯块；(2)将步骤(1)中的芯块装入钨坩埚并放置石墨坩埚中；(3)将步骤(2)中的石墨坩埚放置高频感应加热装置的感应线圈中间；(4)加热将原料充分熔融，缓慢冷却后得到二氧化铀晶锭；(5)将所得晶锭中助熔剂与晶体分离，得到二氧化铀单晶。本方案主要用于制备二氧化铀单晶，为研究单晶物理化学性能，进而解决核燃料棒在裂变过程中产生的裂变产物引起辐照肿胀导致燃料与包壳相互作用的问题，同时拓展其在半导体、太阳能以及热电领域的应用。
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公开(公告)号：CN110820045A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911268308.3
申请日：2019-12-11
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土石榴石单晶的制备方法，包括以下步骤：根据晶体分子式Y（2.9-x）RexBi0.1Fe5O12，其中x=0.2～0.4，准确称量原料、混合、烧结、研磨得到多晶料；向多晶料中加入PbO复合助熔剂，球磨、压块；清洗籽晶；晶体生长，将籽晶缓慢浸入接近过饱和的高温溶液，短暂生长，随后提离液面，完成初次生长；根据理论计算消耗量补充溶质，使其再次达到过饱和，重复上述步骤，进行晶体的二次生长；多次重复上述步骤得到目标晶体。本发明采用生长-补充溶质-再生长-再补充溶质多次循环的方式进行晶体生长，实现晶体生长与质量的精准控制，得到表面光滑、无开裂的稀土石榴石单晶；通过多层增厚法制备的稀土石榴石单晶厚度可达100μm以上，满足磁光、微波器件应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108425153A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810113276.9
申请日：2018-02-05
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明提供了一种掺铬铌酸铝钙可调谐激光晶体，该晶体材料的化学式为:Cr3+:Ca2AlNbO6，该晶体属于单斜晶系，P21/c空间群结构，其晶胞参数为：β＝89.970(2)°，Z＝2。本发明还提供了上述可调谐激光晶体的制备方法，采用CaCO3、Al2O3、Nb2O5和Cr2O3作为初始原料，按照固相合成，二次烧结的方法制备Cr3+:Ca2AlNbO6原料，然后将Cr3+:Ca2AlNbO6原料采用提拉法生长出大尺寸、高光学质量的晶体。本发明的晶体可作为可调谐激光晶体，其可调谐范围在600～1000nm之间。
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公开(公告)号：CN108221055A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810018733.6
申请日：2018-01-09
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明提供了一种闪烁晶体钽酸镁，其化学式Mg4Ta2O9，属于六方晶系，具有钛铁矿结构，闪烁发光的光产额为16000photons/M eV，衰减时间为5μs，能量分辨率为6.2%，还提供了上述Mg4Ta2O9作为闪烁晶体材料的用途，还提供了其制备方法，即以MgO和Ta2O5为初始粉料，按摩尔比4.04:1混匀，做成原料棒并预烧得纯相、致密、均匀的多晶料棒，采用光学浮区法生长出大小为Φ4mm×L62mm的无色、透明棒状晶体。该方法具有熔区稳定、操作简便等优点，能有效抑制MgO挥发、保持组分均匀和结晶质量稳定。
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公开(公告)号：CN106948006A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710112231.5
申请日：2017-02-28
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明提供了一种高光输出硅酸铋闪烁晶体，在硅酸铋晶体中掺有Ta5+，Ta5+以Ta2O5的形式掺入，掺杂量为0.2～4mol%/mol。本发明还提供了上述高光输出硅酸铋闪烁晶体的制备方法，通过固相烧结法合成掺杂硅酸铋多晶粉料，将合成的掺杂硅酸铋多晶料压成致密圆柱状料块；将籽晶固定在坩埚底部的种井部位，然后将多晶料块装入坩埚并封好，置于晶体生长炉内并控制温度在1050‑1200℃，晶体生长速度为0.2‑0.6mm/h。由于Ta5+的掺入，使所得BSO晶体光输出大幅提高。本发明实现了高光输出以及高质量硅酸铋单晶的生长，同时工艺设备简单，可同时生长多根晶体，极大提高了硅酸铋闪烁晶体的生长效率及应用。
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公开(公告)号：CN119039986A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411166353.9
申请日：2024-08-23
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种N掺杂Mg4Ta2O9闪烁发光材料及其制备方法和应用，N掺杂Mg4Ta2O9闪烁发光材料的化学式为：Mg4Ta2O9:x wt％CO(NH2)2，其中，0.5≤x≤20。本发明采用二步高温固相反应法合成掺N的Mg4Ta2O9化合物，能够在空气中稳定存在，且工艺安全简单，容易控制。此外，本发明的掺N的Mg4Ta2O9XEL发光强度是Mg4Ta2O9(MTO)的1.47～2.61倍。其中Mg4Ta2O9:2wt％CO(NH2)2的XEL发光强度最高，是Mg4Ta2O9(MTO)的2.61倍，在安检、核医学成像和工业检测等领域中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118147752A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410307647.2
申请日：2024-03-18
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种铝和钽双掺杂提高透过率的硅酸铋晶体及其制备方法，该Bi12SiO20晶体掺有铝离子Al3+和钽离子Ta5+，其中，铝离子以Al2O3形式掺入，钽离子以Ta2O5形式掺入。选用高纯SiO2、Bi2O3原料，采用固相烧结法制备Bi12SiO20多晶料，然后按向多晶料中加入Al2O3和Ta2O5，混合均匀并烧结，得到铝和钽双掺杂的多晶料；将硅酸铋籽晶和掺杂的多晶料装入坩埚并封口，移入氧化铝管中，置于晶体炉内，升温、保温、接种后以一定的速率下降生长，得到透过率提高的铝和钽双掺杂硅酸铋晶体。采用本发明制备方法得到的铝和钽双掺杂硅酸铋晶体，可显著提高晶体的透过率。
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