公开(公告)号：CN113699582A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110942567.0

申请日：2021-08-17

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  马振振 ,  陈媛芝 ,  邵跃钦

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/22 ,  H01S3/16

Abstract: 本发明公开了一种掺铥硅锗酸铋激光晶体及其制备方法。分子式为(TmxBi1‑x)4(GeySi1‑y)3O12，其中，x的取值范围为0.005‑0.15，y的取值范围为0.1‑0.9。将原料粉末按比例混合后烧结，研磨后，再次烧结，得到掺铥硅锗酸铋多晶料；将籽晶放入坩埚的种阱部位并固定，将掺铥硅锗酸铋多晶料装进坩埚中并封好，移入引下管；将引下管置于晶体炉内，待坩埚内的多晶料完全熔化后，保温2～4h；以0.2～0.5mm/h的速度下降引下管，进行晶体生长。本发明制得的掺铥硅锗酸铋激光晶体在1.5～2.0μm范围具有高强度宽带发光，可实现大功率激光输出，在激光测距雷达、空间通信方向具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN111962151A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010787234.0

申请日：2020-08-07

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 陈媛芝 ,  张庆礼 ,  徐家跃 ,  马振振 ,  邵跃钦

IPC: C30B29/28 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂的抗辐照含钪钆铝石榴石晶体及其制备方法。所述含钪钆铝石榴石晶体的化学式为RE3x{Gd3(1-x-y)Sc3y}(Sc2zAl2-2z)Al3O12，其中0.001