公开(公告)号：CN110820045B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201911268308.3

申请日：2019-12-11

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  王昂 ,  申慧 ,  田甜 ,  蒋颖穗 ,  封鹏

IPC: C30B29/28 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开了一种稀土石榴石单晶的制备方法，包括以下步骤：根据晶体分子式Y（2.9‑x）RexBi0.1Fe5O12，其中x=0.2～0.4，准确称量原料、混合、烧结、研磨得到多晶料；向多晶料中加入PbO复合助熔剂，球磨、压块；清洗籽晶；晶体生长，将籽晶缓慢浸入接近过饱和的高温溶液，短暂生长，随后提离液面，完成初次生长；根据理论计算消耗量补充溶质，使其再次达到过饱和，重复上述步骤，进行晶体的二次生长；多次重复上述步骤得到目标晶体。本发明采用生长‑补充溶质‑再生长‑再补充溶质多次循环的方式进行晶体生长，实现晶体生长与质量的精准控制，得到表面光滑、无开裂的稀土石榴石单晶；通过多层增厚法制备的稀土石榴石单晶厚度可达100μm以上，满足磁光、微波器件应用。

公开(公告)号：CN110820045A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911268308.3

申请日：2019-12-11

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 徐家跃 ,  王昂 ,  申慧 ,  田甜 ,  蒋颖穗 ,  封鹏

IPC: C30B29/28 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明公开了一种稀土石榴石单晶的制备方法，包括以下步骤：根据晶体分子式Y（2.9-x）RexBi0.1Fe5O12，其中x=0.2～0.4，准确称量原料、混合、烧结、研磨得到多晶料；向多晶料中加入PbO复合助熔剂，球磨、压块；清洗籽晶；晶体生长，将籽晶缓慢浸入接近过饱和的高温溶液，短暂生长，随后提离液面，完成初次生长；根据理论计算消耗量补充溶质，使其再次达到过饱和，重复上述步骤，进行晶体的二次生长；多次重复上述步骤得到目标晶体。本发明采用生长-补充溶质-再生长-再补充溶质多次循环的方式进行晶体生长，实现晶体生长与质量的精准控制，得到表面光滑、无开裂的稀土石榴石单晶；通过多层增厚法制备的稀土石榴石单晶厚度可达100μm以上，满足磁光、微波器件应用。