一种稀土石榴石单晶的制备方法

    公开(公告)号:CN110820045B

    公开(公告)日:2021-11-05

    申请号:CN201911268308.3

    申请日:2019-12-11

    Abstract: 本发明公开了一种稀土石榴石单晶的制备方法,包括以下步骤:根据晶体分子式Y(2.9‑x)RexBi0.1Fe5O12,其中x=0.2~0.4,准确称量原料、混合、烧结、研磨得到多晶料;向多晶料中加入PbO复合助熔剂,球磨、压块;清洗籽晶;晶体生长,将籽晶缓慢浸入接近过饱和的高温溶液,短暂生长,随后提离液面,完成初次生长;根据理论计算消耗量补充溶质,使其再次达到过饱和,重复上述步骤,进行晶体的二次生长;多次重复上述步骤得到目标晶体。本发明采用生长‑补充溶质‑再生长‑再补充溶质多次循环的方式进行晶体生长,实现晶体生长与质量的精准控制,得到表面光滑、无开裂的稀土石榴石单晶;通过多层增厚法制备的稀土石榴石单晶厚度可达100μm以上,满足磁光、微波器件应用。

    一种稀土石榴石单晶的制备方法

    公开(公告)号:CN110820045A

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201911268308.3

    申请日:2019-12-11

    Abstract: 本发明公开了一种稀土石榴石单晶的制备方法,包括以下步骤:根据晶体分子式Y(2.9-x)RexBi0.1Fe5O12,其中x=0.2~0.4,准确称量原料、混合、烧结、研磨得到多晶料;向多晶料中加入PbO复合助熔剂,球磨、压块;清洗籽晶;晶体生长,将籽晶缓慢浸入接近过饱和的高温溶液,短暂生长,随后提离液面,完成初次生长;根据理论计算消耗量补充溶质,使其再次达到过饱和,重复上述步骤,进行晶体的二次生长;多次重复上述步骤得到目标晶体。本发明采用生长-补充溶质-再生长-再补充溶质多次循环的方式进行晶体生长,实现晶体生长与质量的精准控制,得到表面光滑、无开裂的稀土石榴石单晶;通过多层增厚法制备的稀土石榴石单晶厚度可达100μm以上,满足磁光、微波器件应用。

    一种晶体生长辅助接种系统

    公开(公告)号:CN212247271U

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:CN202020484140.1

    申请日:2020-04-06

    Abstract: 本实用新型申请属于晶体生长设备技术领域,具体公开了一种晶体生长辅助接种系统,包括炉体、传动装置、接种检测装置和控制装置;炉体内部放置有坩埚,传动装置包括电机、籽晶杆,籽晶杆与电机的输出轴同轴连接;接种检测装置包括探针、信号传输线和报警信号灯;探针连接在籽晶杆的下部,控制装置包括控制面板,探针与控制器电连接,控制面板通过信号传输线与电机电连接,报警信号灯与控制面板电连接。本方案主要用于熔体法或高温溶液法晶体生长的接种工艺,解决了现有技术中难以实现准确接种并对生长实验进行精确控制带来的技术问题。

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